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公开(公告)号：CN102282291A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004703.1
申请日：2010-02-15
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C23C16/34 , C07F7/12 , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料。使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104470892A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035400.X
申请日：2013-10-21
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C251/08 , C23C16/16 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F1/08 , C07F15/04 , C07F15/06
CPC classification number: C07F15/065 , C07C251/04 , C07C251/08 , C07F1/08 , C07F7/28 , C07F15/045 , C23C16/18 , C23C16/406 , C23C16/408
Abstract: 本发明提供一种具有适合作为CVD法中的薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物，特别是具有适合作为金属铜薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物。具体地说，提供一种由下述通式(I)表示的金属醇盐化合物以及含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料。通式(I)中，R1表示甲基或乙基，R2表示氢原子或甲基，R3表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示金属原子或硅原子的价数。
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公开(公告)号：CN103502202A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280022056.6
申请日：2012-05-15
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , C23C16/18 , H01L21/285 , C07F15/04
CPC classification number: C07F15/045 , C07C215/08 , C23C16/06 , C23C16/406 , C23C16/45553
Abstract: 本发明涉及一种由下述通式（I）表示的醇盐化合物以及含有该醇盐化合物的薄膜形成用原料。式中，R1表示碳原子数为2～4的直链或支链状烷基，R2、R3表示碳原子数为1～4的直链或支链状烷基。在下述通式（I）中，R1优选为乙基。另外，还优选R2和R3中的任一者或两者为乙基。另外，含有由下述通式（I）表示的醇盐化合物的薄膜形成用原料优选用作化学气相沉积法用原料。
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公开(公告)号：CN104470892B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380035400.X
申请日：2013-10-21
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C251/08 , C23C16/16 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F1/08 , C07F15/04 , C07F15/06
CPC classification number: C07F15/065 , C07C251/04 , C07C251/08 , C07F1/08 , C07F7/28 , C07F15/045 , C23C16/18 , C23C16/406 , C23C16/408
Abstract: 本发明提供一种具有适合作为CVD法中的薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物，特别是具有适合作为金属铜薄膜形成用原料的物性的金属醇盐化合物。具体地说，提供一种由下述通式(I)表示的金属醇盐化合物以及含有该金属醇盐化合物的薄膜形成用原料。通式(I)中，R1表示甲基或乙基，R2表示氢原子或甲基，R3表示碳原子数为1～3的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示金属原子或硅原子的价数。
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公开(公告)号：CN103502202B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201280022056.6
申请日：2012-05-15
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , C23C16/18 , H01L21/285 , C07F15/04
CPC classification number: C07F15/045 , C07C215/08 , C23C16/06 , C23C16/406 , C23C16/45553
Abstract: 本发明涉及一种由下述通式（I）表示的醇盐化合物以及含有该醇盐化合物的薄膜形成用原料。式中，R1表示碳原子数为2～4的直链或支链状烷基，R2、R3表示碳原子数为1～4的直链或支链状烷基。在下述通式（I）中，R1优选为乙基。另外，还优选R2和R3中的任一者或两者为乙基。另外，含有由下述通式（I）表示的醇盐化合物的薄膜形成用原料优选用作化学气相沉积法用原料，
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公开(公告)号：CN102282291B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201080004703.1
申请日：2010-02-15
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C23C16/34 , C07F7/12 , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料。使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。
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