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公开(公告)号：CN1914150A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580004018.8
申请日：2005-02-14
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C07C215/08 , C23C16/40 , H01L21/316 , C07F7/00 , C07F7/04
CPC classification number: C07F7/045 , C07C215/08 , C23C16/401 , C23C16/405 , H01L21/02148 , H01L21/02181 , H01L21/02192 , H01L21/02216 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/31604 , H01L21/31645 , H01L28/40 , H01L29/51 , H01L29/517
Abstract: 本发明的烷氧基金属化合物以下述通式(1)表示，其适用于例如CVD法等的使化合物气化而形成薄膜的方法中所使用的薄膜形成用原料。此外，本发明的薄膜形成用原料含有该烷氧基金属化合物，本发明的薄膜的制造方法是将含有使该薄膜形成用原料气化而得到的烷氧基金属化合物的蒸汽引入到基材上，使蒸汽分解和/或进行化学反应而在基材上形成薄膜，式中，R1和R2中的之一表示碳原子数为1～4的烷基，另一个表示氢原子或者碳原子数为1～4的烷基，R3和R4表示碳原子数为1～4的烷基，A表示碳原子数为1～8的亚烷基，M表示硅原子或者铪原子，n表示4。
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公开(公告)号：CN104603327A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380043243.7
申请日：2013-10-15
Applicant: 株式会社艾迪科
CPC classification number: C07F17/00 , C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/405 , C23C16/44 , C23C16/45525
Abstract: 本发明的薄膜的制造方法中将含有钼酰亚胺化合物的蒸汽导入至基体上，使其分解和/或发生化学反应，从而在基体上形成含有钼的薄膜，所述钼酰亚胺化合物是使含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化来获得的。本发明的薄膜形成用原料是含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的。式中，R1～R10表示氢原子或者碳数为1～5的直链或支链状烷基，R11表示碳数为1～8的直链或支链状烷基。
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公开(公告)号：CN102282291B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201080004703.1
申请日：2010-02-15
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C23C16/34 , C07F7/12 , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料。使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1981069A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200580022724.5
申请日：2005-12-21
Applicant: 株式会社艾迪科
CPC classification number: C23C16/401 , C07F7/21 , C09D4/00 , C08G77/04
Abstract: 本发明提供一种组合物，其包含具有－HSiRO－的硅氧烷化合物，以及作为稳定剂成分的至少一种用下述通式(1)或(2)表示的苯酚化合物，其中，R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基；相对于100质量份的所述硅氧烷化合物，所述稳定剂成分为0.0001～1质量份；在通式(1)和(2)中，a和b表示0～4的整数，m表示0或1，p和q表示1或2，R1～R4表示碳原子数为1～4的烷基，X1和X2表示碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或卤素基，Y表示碳原子数为1～4的烷二基，R1～R4、X1、X2和Y在分子内存在多个时可以相同也可以不同。
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公开(公告)号：CN104603327B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201380043243.7
申请日：2013-10-15
Applicant: 株式会社艾迪科
CPC classification number: C07F17/00 , C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/405 , C23C16/44 , C23C16/45525
Abstract: 本发明的薄膜的制造方法中将含有钼酰亚胺化合物的蒸汽导入至基体上，使其分解和/或发生化学反应，从而在基体上形成含有钼的薄膜，所述钼酰亚胺化合物是使含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化来获得的。本发明的薄膜形成用原料是含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的。式中，R1～R10表示氢原子或者碳数为1～5的直链或支链状烷基，R11表示碳数为1～8的直链或支链状烷基。
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公开(公告)号：CN103562434A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201280020076.X
申请日：2012-05-11
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C23C16/40 , C07C211/03 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F11/00
CPC classification number: H01L21/28194 , C07F11/005 , C23C16/40 , C23C16/405 , C23C16/45553 , H01L21/28556 , H01L21/76841 , H01L29/4966 , H01L29/517 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种含有氧化钼的薄膜的制造方法，其中，使含有下述通式（I）表示的化合物的薄膜形成用原料气化，将得到的含有钼酰胺化合物的蒸汽导入至基体上，进而导入氧化性气体，从而使其发生分解和/或化学反应而在基体上形成薄膜。式中，R1、R2表示碳原子数为1～4的直链或支链状烷基，R3表示叔丁基或叔戊基，y表示0或2，当y为0时，x为4，当y为2时，x为2，多个存在的R1、R2分别可以相同，也可以不同，
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公开(公告)号：CN102282291A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004703.1
申请日：2010-02-15
Applicant: 株式会社艾迪科
IPC: C23C16/34 , C07F7/12 , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料。使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。
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公开(公告)号：CN1981069B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200580022724.5
申请日：2005-12-21
Applicant: 株式会社艾迪科
CPC classification number: C23C16/401 , C07F7/21 , C09D4/00 , C08G77/04
Abstract: 本发明提供一种组合物，其包含具有-HSiRO-的硅氧烷化合物，以及作为稳定剂成分的至少一种用下述通式(1)或(2)表示的苯酚化合物，其中，R表示氢原子、碳原子数为1～8的烃基、碳原子数为1～8的烷氧基或苯氧基；相对于100质量份的所述硅氧烷化合物，所述稳定剂成分为0.0001～1质量份；在通式(1)和(2)中，a和b表示0～4的整数，m表示0或1，p和q表示1或2，R1～R4表示碳原子数为1～4的烷基，X1和X2表示碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或卤素基，Y表示碳原子数为1～4的烷二基，R1～R4、X1、X2和Y在分子内存在多个时可以相同也可以不同。
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