公开(公告)号：CN102282291A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201080004703.1

申请日：2010-02-15

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 佐藤宏树 ,  水尾克英 ,  斋藤昭夫 ,  上山润二

IPC: C23C16/34 ,  C07F7/12 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L21/318

CPC classification number: C07F7/025 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料。使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。

公开(公告)号：CN102282291B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201080004703.1

申请日：2010-02-15

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 佐藤宏树 ,  水尾克英 ,  斋藤昭夫 ,  上山润二

IPC: C23C16/34 ,  C07F7/12 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L21/318

CPC classification number: C07F7/025 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料。使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。