一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置

    公开(公告)号:CN105420684A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510968214.2

    申请日:2015-12-21

    Applicant: 东北大学

    CPC classification number: C23C16/408 C23C16/45512 C23C16/45565 C23C16/45572

    Abstract: 一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置,包括真空室、金属有机源输送管路、喷淋器、冷却器、衬底、加热器及氧气引入机构,金属有机源输送管路位于真空室顶部,喷淋器位于真空室内部并与金属有机源输送管路相连,冷却器位于喷淋器下方,氧气引入机构位于冷却器下方,衬底通过弧形板安装在真空室下部,加热器位于衬底及弧形板下方,衬底与氧气引入机构之间留有反应气体输送空间;氧气引入机构与衬底之间距离可调;氧气引入机构包括氧气入口和进气通道,氧气入口与进气通道相连通,进气通道上密布有若干喷淋孔;进气通道采用环状结构;喷淋孔的氧气喷射方向与喷淋器的金属有机源喷射方向平行且相反;在靠近喷淋器一侧的氧气引入机构上设置有隔热机构。

    一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置

    公开(公告)号:CN105420684B

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201510968214.2

    申请日:2015-12-21

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置,包括真空室、金属有机源输送管路、喷淋器、冷却器、衬底、加热器及氧气引入机构,金属有机源输送管路位于真空室顶部,喷淋器位于真空室内部并与金属有机源输送管路相连,冷却器位于喷淋器下方,氧气引入机构位于冷却器下方,衬底通过弧形板安装在真空室下部,加热器位于衬底及弧形板下方,衬底与氧气引入机构之间留有反应气体输送空间;氧气引入机构与衬底之间距离可调;氧气引入机构包括氧气入口和进气通道,氧气入口与进气通道相连通,进气通道上密布有若干喷淋孔;进气通道采用环状结构;喷淋孔的氧气喷射方向与喷淋器的金属有机源喷射方向平行且相反;在靠近喷淋器一侧的氧气引入机构上设置有隔热机构。

    一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置

    公开(公告)号:CN205329157U

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201521075029.2

    申请日:2015-12-21

    Applicant: 东北大学

    Abstract: 一种基于MOCVD技术制备REBCO超导材料的装置,包括真空室、金属有机源输送管路、喷淋器、冷却器、衬底、加热器及氧气引入机构,金属有机源输送管路位于真空室顶部,喷淋器位于真空室内部并与金属有机源输送管路相连,冷却器位于喷淋器下方,氧气引入机构位于冷却器下方,衬底通过弧形板安装在真空室下部,加热器位于衬底及弧形板下方,衬底与氧气引入机构之间留有反应气体输送空间;氧气引入机构与衬底之间距离可调;氧气引入机构包括氧气入口和进气通道,氧气入口与进气通道相连通,进气通道上密布有若干喷淋孔;进气通道采用环状结构;喷淋孔的氧气喷射方向与喷淋器的金属有机源喷射方向平行且相反;在靠近喷淋器一侧的氧气引入机构上设置有隔热机构。

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