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公开(公告)号：CN102605344B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210015269.8
申请日：2012-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。
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公开(公告)号：CN102605344A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210015269.8
申请日：2012-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405
Abstract: 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。
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公开(公告)号：CN103718277B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280037156.6
申请日：2012-06-13
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: [课题]提供对地球环境的影响小且具有所需要的性能的干蚀刻剂。[解决手段]提供一种干蚀刻剂，其分别以特定的体积%包含(A)式CaFbHc(式中，a、b和c分别表示正整数，并且满足2≤a≤5、c＜b≥1、2a+2＞b+c、b≤a+c的关系。其中，a=3、b=4、c=2的情况除外。)所示的含氟不饱和烃、(B)选自由O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2以及YFn(其中，Y表示Cl、Br或I。n表示1～5的整数。)组成的组中的至少一种气体、和(C)选自由N2、He、Ar、Ne、Xe以及Kr组成的组中的至少一种气体。
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公开(公告)号：CN104220632A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380015350.9
申请日：2013-02-20
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23F1/12
Abstract: 本发明公开一种干洗方法，其特征在于，该干洗方法使用β-二酮去除附着于成膜装置的金属膜，将包含β-二酮与NOx(表示NO、N2O中的至少1个)的气体用作清洁气体，使该清洁气体与处于200℃～400℃的温度范围内的该金属膜反应，从而去除该金属膜。依据该方法，根据附着金属膜的情况产生温度差可以进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN103429790A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280013502.7
申请日：2012-01-27
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C25B11/0478 , C25B1/245 , C25B11/12 , C25D3/66 , C25D9/06
Abstract: 本发明的氟化合物的电解合成用电极具备：电极基材，至少其表面由导电性炭材料构成；导电性金刚石层，覆盖于前述电极基材表面的一部分上；和含金属氟化物膜，覆盖于没有被前述导电性金刚石层覆盖的前述电极基材的露出部上。该电解合成用电极能够抑制电极表面上的氟化石墨层的生成，防止电极的有效电解面积的减少，在包含氟化氢的熔融盐电解浴中稳定地实施电解。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102369591A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014661.X
申请日：2010-02-26
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C01B7/20
CPC classification number: C01B7/20 , B01F3/028 , B01F15/0408 , G05D11/132
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够以稳定、大量且具有精确的浓度的状态将由氟气产生装置产生的氟气供给到半导体处理装置的氟气的当场气体混合及稀释系统。该氟气的供给系统具有下述结构，即，将储存在缓冲罐内的混合气体导入到在进行缓冲罐内调整混合气体前的导入气体的气体导入配管，使混合气体循环，此外，设有用于测量混合气体中的氟浓度的监视装置，能够根据获得的氟浓度而调整非活性气体供给源的流量。
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公开(公告)号：CN102143793A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134404.7
申请日：2009-11-09
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: B01D53/68 , B01D53/1406 , B01D53/75 , B01D53/76 , B01D2251/10 , B01D2251/108 , B01D2257/2027 , B01D2257/204
Abstract: 本发明公开了一种除害方法，其特征在于，其是通过湿式涤气器对至少含有三氟化氯和氟气的混合气体进行除害处理的方法，在通过湿式涤气器进行除害处理之前的阶段中，向所述混合气体中添加卤素气体X2(X＝Cl、Br或I。)，使所述混合气体中的氟气与卤素气体X2(X＝Cl，Br或I。)反应，从而减少所述混合气体中的氟气，将在湿式涤气器中生成的过氯酰氟(ClO3F)的生成防止于未然。
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公开(公告)号：CN110036460A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780073050.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开一种干式蚀刻剂组合物、及使用其的发明，该干式蚀刻剂组合物含有1,3,3,3-四氟丙烯、与CHxClyFz(x、y、z为1以上的整数，且x+y+z＝4)所表示的氢氯氟烃，且相对于1,3,3,3-四氟丙烯的上述氢氯氟烃的浓度为3体积ppm以上且不足10000体积ppm。本发明的目的在于：于半导体制造工艺中，在无损HFO-1234ze的良好的蚀刻特性的情况下提高HFO-1234ze的保存稳定性，抑制酸性物质的产生，而防止保存容器或配管、蚀刻腔室的腐蚀。
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公开(公告)号：CN104969333B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201480007116.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其为在处理室内蚀刻处理对象物的硅层的干蚀刻方法，从供给源在供给压力为66kPa～0.5MPa的压力范围供给包含七氟化碘的蚀刻气体，将保持在该压力范围的蚀刻气体导入到减压至比前述供给压力低的压力的处理室，蚀刻前述硅层。在该干蚀刻方法中，在温和的压力条件下使蚀刻气体绝热膨胀来蚀刻硅，因此不担心对装置的负担、装置成本的增加，并且，蚀刻量的面内分布均匀性良好。
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公开(公告)号：CN103782369B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280043758.2
申请日：2012-08-08
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/306 , H01L21/32137 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其在形成于基板上的、具有硅层和绝缘层层叠而成的层状结构的层叠膜中，对于出现于在与基板面垂直的方向上形成的孔或槽的内侧面的硅层，使用蚀刻气体进行蚀刻时，作为蚀刻气体，使用含有选自ClF3、BrF5、BrF3、IF7、IF5中的至少一种气体和F2的气体。由此，能够抑制硅层的干蚀刻深度的不均匀化。
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