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公开(公告)号：CN107075724B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201580048948.7
申请日：2015-09-10
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 中央硝子株式会社
Abstract: 得到了一种能够在碳化硅的偏离基板上抑制表面粗糙并且使碳化硅的单晶生长的方法。使用如下的碳化硅的晶体的制造方法，其为使碳化硅的晶种接触包含硅和碳的原料溶液并旋转的碳化硅的晶体的制造方法，其特征在于，前述晶种的晶体生长面具有偏离角，相对于前述晶种的中心位置，前述晶种的旋转中心的位置处于作为前述偏离角的形成方向的阶梯流动方向的下游侧。
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公开(公告)号：CN107075724A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580048948.7
申请日：2015-09-10
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 中央硝子株式会社
Abstract: 得到了一种能够在碳化硅的偏离基板上抑制表面粗糙并且使碳化硅的单晶生长的方法。使用如下的碳化硅的晶体的制造方法，其为使碳化硅的晶种接触包含硅和碳的原料溶液并旋转的碳化硅的晶体的制造方法，其特征在于，前述晶种的晶体生长面具有偏离角，相对于前述晶种的中心位置，前述晶种的旋转中心的位置处于作为前述偏离角的形成方向的阶梯流动方向的下游侧。
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公开(公告)号：CN104220632B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201380015350.9
申请日：2013-02-20
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: C23C16/4405 , C23F1/12
Abstract: 本发明公开一种干洗方法，其特征在于，该干洗方法使用β‑二酮去除附着于成膜装置的金属膜，将包含β‑二酮与NOx(表示NO、N2O中的至少1个)的气体用作清洁气体，使该清洁气体与处于200℃～400℃的温度范围内的该金属膜反应，从而去除该金属膜。依据该方法，根据附着金属膜的情况产生温度差可以进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN102884348A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180021294.0
申请日：2011-03-08
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: F16K1/302 , F16J3/02 , F16K7/126 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K25/00 , F17C2205/0329 , F17C2205/0385 , F17C2205/0394 , F17C2223/0123 , F17C2260/036 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明提供一种卤素气体或卤素化合物气体的填充容器用阀。根据本发明，直接接触型隔膜阀包括：阀主体，其设有入口通路和出口通路；阀室，其用于与阀主体的入口通路和出口通路相连通；阀座部，其设于入口通路的内端开口部；膜片，其设于阀座部的上方，用于保持阀室内的气密状态，并且用于开闭入口通路及出口通路；阀杆，其用于使膜片的中央部向下方下降；驱动部，其用于使阀杆沿上下方向移动，该直接接触型隔膜阀的特征在于，在阀座部与膜片相接触的接触面中，阀座部的接触面的表面粗糙度Ra的值为0.1μm～10.0μm，阀座部的接触面的曲率半径R为100mm～1000mm，膜片与阀座部相接触的接触面积Sb同膜片的气体接触部表面积Sa的面积比率Sb/Sa为0.2％～10％。本发明的阀具有充分的气密性，可以较佳地用作卤素气体或卤素化合物气体用的填充容器用阀。
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公开(公告)号：CN114703542B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210348418.6
申请日：2018-11-01
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H‑SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。
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公开(公告)号：CN111315923A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880071163.5
申请日：2018-11-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/12 , H01L21/208
Abstract: 在基于TSSG法的4H-SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H-SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H-SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。
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公开(公告)号：CN103782369B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280043758.2
申请日：2012-08-08
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/306 , H01L21/32137 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于，其在形成于基板上的、具有硅层和绝缘层层叠而成的层状结构的层叠膜中，对于出现于在与基板面垂直的方向上形成的孔或槽的内侧面的硅层，使用蚀刻气体进行蚀刻时，作为蚀刻气体，使用含有选自ClF3、BrF5、BrF3、IF7、IF5中的至少一种气体和F2的气体。由此，能够抑制硅层的干蚀刻深度的不均匀化。
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公开(公告)号：CN104024715A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065306.4
申请日：2012-12-20
CPC classification number: F17C13/04 , F16L19/0212 , F17C2205/0305 , F17C2205/0373 , F17C2205/0394 , F16L19/0218 , F17C13/00
Abstract: 一种气体充填容器用接头(100)，其包含：主体部(1)，其设置于对充填于气体充填容器中的气体的遮断与供给进行切换的容器源阀侧；管塞(2)，其连接于用于向外部引导充填于气体充填容器中的气体的配管(3)；盖构件(4)，其紧固于主体部的外周，用于向主体部按压管塞；及垫片(5)，其在盖构件的紧固力的作用下被压缩而介于主体部与管塞之间；且该气体充填容器用接头利用垫片将设置于主体部中的气体流路(7)与设置于管塞中的气体流路(8)之间密封连接起来；垫片包含：金属制的密封环(51)，其被压缩于主体部与管塞之间；及壳体(52)，其与密封环设为一体且包围密封环的外周。
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公开(公告)号：CN118043504A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202280066171.7
申请日：2022-09-26
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的碳化硅单晶晶圆(31)以1.0×1016atoms/cm3以下的浓度包含硼，在表面存在有基底面位错密度为100个/cm2以下的中央区域(33)。中央区域(33)包含碳化硅单晶晶圆(31)的表面的中心。中央区域(33)面积为碳化硅单晶晶圆(31)的表面的面积的四分之一以上。
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