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公开(公告)号：CN107075724B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201580048948.7
申请日：2015-09-10
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 中央硝子株式会社
Abstract: 得到了一种能够在碳化硅的偏离基板上抑制表面粗糙并且使碳化硅的单晶生长的方法。使用如下的碳化硅的晶体的制造方法，其为使碳化硅的晶种接触包含硅和碳的原料溶液并旋转的碳化硅的晶体的制造方法，其特征在于，前述晶种的晶体生长面具有偏离角，相对于前述晶种的中心位置，前述晶种的旋转中心的位置处于作为前述偏离角的形成方向的阶梯流动方向的下游侧。
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公开(公告)号：CN107075724A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580048948.7
申请日：2015-09-10
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 中央硝子株式会社
Abstract: 得到了一种能够在碳化硅的偏离基板上抑制表面粗糙并且使碳化硅的单晶生长的方法。使用如下的碳化硅的晶体的制造方法，其为使碳化硅的晶种接触包含硅和碳的原料溶液并旋转的碳化硅的晶体的制造方法，其特征在于，前述晶种的晶体生长面具有偏离角，相对于前述晶种的中心位置，前述晶种的旋转中心的位置处于作为前述偏离角的形成方向的阶梯流动方向的下游侧。
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公开(公告)号：CN110462112A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880019618.9
申请日：2018-02-20
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
IPC: C30B29/36 , C30B19/04 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明的目的在于提供不污染加工装置的低缺陷密度的碳化硅基板、和使用有该碳化硅基板的碳化硅半导体装置。本发明涉及的碳化硅基板(10)是具备基板内侧部(11)、和包围基板内侧部(11)的基板外侧部(12)的碳化硅基板(10)，基板内侧部(11)的非掺杂剂金属杂质浓度为1×1016cm-3以上，基板外侧部(12)中至少表面侧的区域是非掺杂剂金属杂质浓度不到1×1016cm-3的基板表面区域(13)。
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公开(公告)号：CN110462112B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201880019618.9
申请日：2018-02-20
Applicant: 三菱电机株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
IPC: C30B29/36 , C30B19/04 , C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明的目的在于提供不污染加工装置的低缺陷密度的碳化硅基板、和使用有该碳化硅基板的碳化硅半导体装置。本发明涉及的碳化硅基板(10)是具备基板内侧部(11)、和包围基板内侧部(11)的基板外侧部(12)的碳化硅基板(10)，基板内侧部(11)的非掺杂剂金属杂质浓度为1×1016cm‑3以上，基板外侧部(12)中至少表面侧的区域是非掺杂剂金属杂质浓度不到1×1016cm‑3的基板表面区域(13)。
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