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发明公开
碳化硅单晶晶圆、碳化硅单晶锭和碳化硅单晶的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118043504A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066171.7

申请日：2022-09-26

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 梅崎智典 , 熊谷和人 , 高野学

IPC: C30B29/36 , C30B19/10

Abstract: 本发明的碳化硅单晶晶圆(31)以1.0×1016atoms/cm3以下的浓度包含硼，在表面存在有基底面位错密度为100个/cm2以下的中央区域(33)。中央区域(33)包含碳化硅单晶晶圆(31)的表面的中心。中央区域(33)面积为碳化硅单晶晶圆(31)的表面的面积的四分之一以上。

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