公开(公告)号：CN101681874A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017920.7

申请日：2008-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  保坂重敏 ,  小池淳一 ,  根石浩司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法和半导体制造装置。沿着绝缘膜的表面和绝缘膜的凹部形成种晶层，在凹部中埋入铜配线之后，通过加热形成阻挡膜并从配线除去构成种晶层的金属的剩余部分。这时，配线中的上述金属及其氧化物的残留被抑制，抑制配线电阻上升。在露出在凹部的底部的由铜构成的下层侧导电路的表面，将上述铜的自然氧化物还原或除去，对上述自然氧化物被还原或除去的基板，形成由比铜的氧化倾向高、变成氧化物发挥铜的扩散防止功能的自形成阻挡用的金属、或该金属与铜的合金构成的种晶层。在凹部中埋入铜之后加热基板。由此，将上述自形成阻挡用的金属氧化形成阻挡层。同时，使自形成阻挡用的金属的剩余部分析出到被埋入的铜的表面。

公开(公告)号：CN100541737C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200680000505.1

申请日：2006-01-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贤治 ,  迫田智幸 ,  那须胜行 ,  池田岳

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在形成多元系金属氧化物膜时，能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。该成膜方法为，向可抽真空的处理容器(4)内供给将多种有机金属原料气化所产生的有机金属原料气体，在被处理体(W)的表面形成多元系金属氧化物膜，其中，在开始对上述被处理体进行成膜处理之前，通过将模拟被处理体搬入上述处理容器(4)内，并流入上述有机金属原料气体，进行至少相当于3次的模拟成膜处理。因此，在形成多元系金属氧化膜时，就能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。

公开(公告)号：CN102648513A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201080042660.6

申请日：2010-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 根石浩司 ,  小池淳一 ,  松本贤治

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种可使与Cu的密合性变良好的金属氧化膜的成膜方法。该成膜方法是一种将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在衬底上使金属氧化膜成膜的成膜方法，其中，将含有有机金属化合物的气体供给到衬底上，在衬底上使金属氧化膜成膜，并且，在金属氧化膜的成膜工艺的最后将金属氧化膜暴露于含氧气体或含氧等离子体中。

公开(公告)号：CN101911266B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200980101621.6

申请日：2009-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤浩 ,  伊藤仁 ,  松本贤治

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，含有如下工序：在形成于基板表面的层间绝缘膜，形成用于嵌入与下层侧导电路电连接的以铜作为主成分的上层侧导电路的凹部的工序；供给含有锰的有机化合物的气体，以覆盖层间绝缘膜的露出面的方式，形成用于抑制铜向所述层间绝缘膜扩散的由锰化合物构成的屏蔽层的工序；在形成所述屏蔽层后，为了提高构成屏蔽层的锰化合物中的锰的比率而向该屏蔽层供给有机酸的工序；在有机酸供给工序之后，在所述屏蔽层的表面形成以铜作为主成分的种子层的工序；在种子层形成工序之后，为了使屏蔽层的表面或层中的锰向种子层的表面析出而将所述基板加热处理的工序；为了除去因加热而在种子层的表面析出的锰而向该种子层供给清洗液的工序；在清洗液供给工序之后，在所述凹部内形成以铜作为主成分的上层侧导电路的工序。

公开(公告)号：CN101715602A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200880018745.3

申请日：2008-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体(或含Mn原料气体和含Cu原料气体)和含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。

公开(公告)号：CN100508136C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200510114267.4

申请日：2005-10-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  近藤英一

Inventor： 松泽兴明 ,  佐藤浩 ,  小宫隆行 ,  近藤英一 ,  松本贤治

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/04 ,  C23C18/08 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12903

Abstract: 在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中，在Cu扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Cu膜在接触膜上形成。

公开(公告)号：CN101715602B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880018745.3

申请日：2008-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体(或含Mn原料气体和含Cu原料气体)和含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含Mn薄膜或含CuMn合金膜薄膜。

公开(公告)号：CN101897016A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200980101317.1

申请日：2009-01-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  佐藤浩 ,  小池淳一 ,  根石浩司

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/40 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C28/00 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844

Abstract: 本发明提供如下的半导体装置的制造方法，即，在基板上的形成了凹部的层间绝缘膜的露出面形成屏蔽膜，在凹部内形成与下层侧的金属配线电连接的金属配线时，可以形成阶梯覆盖性良好的屏蔽膜，而且可以抑制配线电阻的上升。在将向形成于层间绝缘膜的凹部的底面露出的下层侧的铜配线的表面的氧化膜还原或蚀刻，除去该铜配线的表面的氧后，通过供给含有锰而不含有氧的有机金属化合物，而在凹部的侧壁及层间绝缘膜的表面等含有氧的部位选择性地生成作为自形成屏蔽膜的氧化锰，另一方面，在铜配线的表面不生成该氧化锰。其后，向该凹部中嵌入铜。

公开(公告)号：CN101765680A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200880101144.9

申请日：2008-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/7837 ,  Y10T137/8593

Abstract: 本发明提供处理气体供给系统及处理装置。处理气体供给系统(2)向气体使用系统(4)供给利用稀释气体稀释后的处理气体。处理气体供给系统(2)包括：处理气体罐(10)、稀释气体罐(12)、连接处理气体罐(10)和气体使用系统(4)的主气体通道(14)、将稀释气体罐(12)与主气体通道连接的稀释气体通道。在主气体通道(14)及稀释气体通道上，分别设置有流量控制器(FC1、FC2、FC5)。稀释气体通道在多个流量控制器当中的除最下游侧的流量控制器以外的流量控制器所紧邻的下游侧与主气体通道连接。还设有剩余气体排出通道(24)，其在流量控制器当中的除最上游侧的流量控制器以外的流量控制器所紧邻的上游侧与主气体通道连接，排出剩余的稀释后的处理气体。

公开(公告)号：CN101466864A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021133.5

申请日：2007-06-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  小池淳一 ,  根石浩司

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

Abstract: 在成膜方法中，首先向能够抽真空的处理容器内搬送被处理体。向处理容器内至少供给含有过渡金属的含过渡金属原料气体和还原气体，加热被处理体。然后通过热处理在被处理体的表面凹部上形成薄膜。由此能够用铜膜填埋被处理体的表面凹部。