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公开(公告)号：CN100541737C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200680000505.1
申请日：2006-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/409 , C23C16/44 , C23C16/52 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在形成多元系金属氧化物膜时，能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。该成膜方法为，向可抽真空的处理容器(4)内供给将多种有机金属原料气化所产生的有机金属原料气体，在被处理体(W)的表面形成多元系金属氧化物膜，其中，在开始对上述被处理体进行成膜处理之前，通过将模拟被处理体搬入上述处理容器(4)内，并流入上述有机金属原料气体，进行至少相当于3次的模拟成膜处理。因此，在形成多元系金属氧化膜时，就能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101322226A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200780000475.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片W的处理容器(2)；配置在处理容器(2)内、用于载置半导体晶片W的载置台(5)；设置在与该载置台(5)相对的位置处，用于向处理容器(2)内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头(40)；和对处理容器(2)内进行排气的排气装置(101)，喷淋头(40)具有用于导入处理气体的气体流路，并且具有围绕气体流路的环状调温室(400)。
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公开(公告)号：CN1830072A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021984.6
申请日：2004-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455
Abstract: 在重叠喷淋头基座(41)、气体扩散板(42)和喷淋平板(43)而构成，并且通过连通在气体扩散板(42)的两面上形成的第一气体扩散部(42a)、第二气体扩散部(42b)以及在喷淋平板(43)上形成的第一气体扩散空间(42c)的第一气体排出口(43a)和连通第二气体扩散空间(42d)的第二气体排出口(43b)而向装载台(5)上的芯片W供给原料气体和氧化剂气体的喷淋头(40)中，在第一气体扩散部(42a)内设置有与喷淋头基座(41)的下面密接的多个传热柱(42e)，使其间的部分成为第一气体扩散空间(42c)，通过该传热柱(42e)，将从装载台(5)接受的辐射热沿着喷淋头(40)的厚度方向传递。
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公开(公告)号：CN101322226B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200780000475.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片W的处理容器(2)；配置在处理容器(2)内、用于载置半导体晶片W的载置台(5)；设置在与该载置台(5)相对的位置处，用于向处理容器(2)内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头(40)；和对处理容器(2)内进行排气的排气装置(101)，喷淋头(40)具有用于导入处理气体的气体流路，并且具有围绕气体流路的环状调温室(400)。
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公开(公告)号：CN100495655C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480021984.6
申请日：2004-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455
Abstract: 在重叠喷淋头基座(41)、气体扩散板(42)和喷淋平板(43)而构成，并且通过连通在气体扩散板(42)的两面上形成的第一气体扩散部(42a)、第二气体扩散部(42b)以及在喷淋平板(43)上形成的第一气体扩散空间(42c)的第一气体排出口(43a)和连通第二气体扩散空间(42d)的第二气体排出口(43b)而向装载台(5)上的芯片W供给原料气体和氧化剂气体的喷淋头(40)中，在第一气体扩散部(42a)内设置有与喷淋头基座(41)的下面密接的多个传热柱(42e)，使其间的部分成为第一气体扩散空间(42c)，通过该传热柱(42e)，将从装载台(5)接受的辐射热沿着喷淋头(40)的厚度方向传递。
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公开(公告)号：CN1993814A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200680000505.1
申请日：2006-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/409 , C23C16/44 , C23C16/52 , H01L21/02197 , H01L21/02271 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在形成多元系金属氧化物膜时，能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。该成膜方法为，向可抽真空的处理容器(4)内供给将多种有机金属原料气化所产生的有机金属原料气体，在被处理体(W)的表面形成多元系金属氧化物膜，其中，在开始对上述被处理体进行成膜处理之前，通过将模拟被处理体搬入上述处理容器(4)内，并流入上述有机金属原料气体，进行至少相当于3次的模拟成膜处理。因此，在形成多元系金属氧化膜时，就能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。
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