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公开(公告)号：CN100485870C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200580019315.X
申请日：2005-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其具有：供给由液体或气液混合物构成的原料的原料供给部；使原料气化并生成原料气体的原料气化部；和使用生成的原料气体进行成膜处理的成膜部，其中在从原料气化部至成膜部的导入部分的原料气体的输送路径的途中配置有过滤器(153)。过滤器(153)的外缘(153a)，利用相对于按压方向的负载比上述外缘(153a)难变形的环状支撑部件(158)，遍及其全周相对于输送路径的内面进行按压，在输送路径的内面与支撑部件(158)之间被压缩的状态下，固定在输送路径的内面上。
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公开(公告)号：CN1993805A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026440.3
申请日：2005-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/448 , G01F23/28
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/409 , C23C16/4485 , C23C16/52 , C30B25/14 , G01F23/2962 , G01F23/2968 , Y10T137/2931
Abstract: 半导体制造装置包括：包含收容液体材料的容器(Xb、Ab、Bb、Cb)，从该容器供给上述液体材料的液体材料供给部；使由上述液体材料供给部供给的上述液体材料气化而生成气体的液体气化部；使用由上述液体气化部供给的上述气体进行成膜处理的处理部；对上述处理部进行排气的排气部；以及配置在上述容器的底部，利用声波检测上述液体材料的液位的液位检测器(Xs、As、Bs、Cs)。
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公开(公告)号：CN102842524A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210212653.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32532
Abstract: 本发明提供一种可抑制消耗电力的半导体制造装置。半导体制造装置（1）具备：对处理空间S进行划分的处理容器（2），该处理容器（2）具有上表面（2a）；设于处理空间S内的载置台（3）；以与载置台（3）对面的方式设于该载置台的上方的上部电极（20）；对上部电极（20）进行加热的加热器（35）、（36），该加热器（35）、（36）设于上部电极（20）的周围且上表面（2a）的下方；搭载于上表面（2a）的隔热部件（50），隔热部件（50）包含板状部（51）和设于该板状部（51）的一方的主面（51a）侧的隔热部（52）。
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公开(公告)号：CN1969375A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580019315.X
申请日：2005-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其具有：供给由液体或气液混合物构成的原料的原料供给部；使原料气化并生成原料气体的原料气化部；和使用生成的原料气体进行成膜处理的成膜部，其中在从原料气化部至成膜部的导入部分的原料气体的输送路径的途中配置有过滤器(153)。过滤器(153)的外缘(153a)，利用相对于按压方向的负载比上述外缘(153a)难变形的环状支撑部件(158)，遍及其全周相对于输送路径的内面进行按压，在输送路径的内面与支撑部件(158)之间被压缩的状态下，固定在输送路径的内面上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100485871C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200580026440.3
申请日：2005-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/448 , G01F23/28
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/409 , C23C16/4485 , C23C16/52 , C30B25/14 , G01F23/2962 , G01F23/2968 , Y10T137/2931
Abstract: 半导体制造装置包括：包含收容液体材料的容器(Xb、Ab、Bb、Cb)，从该容器供给上述液体材料的液体材料供给部；使由上述液体材料供给部供给的上述液体材料气化而生成气体的液体气化部；使用由上述液体气化部供给的上述气体进行成膜处理的处理部；对上述处理部进行排气的排气部；以及配置在上述容器的底部，利用声波检测上述液体材料的液位的液位检测器(Xs、As、Bs、Cs)。
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公开(公告)号：CN1830072A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021984.6
申请日：2004-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455
Abstract: 在重叠喷淋头基座(41)、气体扩散板(42)和喷淋平板(43)而构成，并且通过连通在气体扩散板(42)的两面上形成的第一气体扩散部(42a)、第二气体扩散部(42b)以及在喷淋平板(43)上形成的第一气体扩散空间(42c)的第一气体排出口(43a)和连通第二气体扩散空间(42d)的第二气体排出口(43b)而向装载台(5)上的芯片W供给原料气体和氧化剂气体的喷淋头(40)中，在第一气体扩散部(42a)内设置有与喷淋头基座(41)的下面密接的多个传热柱(42e)，使其间的部分成为第一气体扩散空间(42c)，通过该传热柱(42e)，将从装载台(5)接受的辐射热沿着喷淋头(40)的厚度方向传递。
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公开(公告)号：CN102842524B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210212653.7
申请日：2012-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32532
Abstract: 本发明提供一种可抑制消耗电力的半导体制造装置。半导体制造装置（1）具备：对处理空间S进行划分的处理容器（2），该处理容器（2）具有上表面（2a）；设于处理空间S内的载置台（3）；以与载置台（3）对面的方式设于该载置台的上方的上部电极（20）；对上部电极（20）进行加热的加热器（35）、（36），该加热器（35）、（36）设于上部电极（20）的周围且上表面（2a）的下方；搭载于上表面（2a）的隔热部件（50），隔热部件（50）包含板状部（51）和设于该板状部（51）的一方的主面（51a）侧的隔热部（52）。
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公开(公告)号：CN100495655C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480021984.6
申请日：2004-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455
Abstract: 在重叠喷淋头基座(41)、气体扩散板(42)和喷淋平板(43)而构成，并且通过连通在气体扩散板(42)的两面上形成的第一气体扩散部(42a)、第二气体扩散部(42b)以及在喷淋平板(43)上形成的第一气体扩散空间(42c)的第一气体排出口(43a)和连通第二气体扩散空间(42d)的第二气体排出口(43b)而向装载台(5)上的芯片W供给原料气体和氧化剂气体的喷淋头(40)中，在第一气体扩散部(42a)内设置有与喷淋头基座(41)的下面密接的多个传热柱(42e)，使其间的部分成为第一气体扩散空间(42c)，通过该传热柱(42e)，将从装载台(5)接受的辐射热沿着喷淋头(40)的厚度方向传递。
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公开(公告)号：CN3560775D
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200530005785.3
申请日：2005-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 后视图与主视图相同，左视图和右视图与主视图对称，省略后视图、左视图和右视图。
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