公开(公告)号：CN101322226B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200780000475.9

申请日：2007-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城 ,  迫田智幸 ,  小田尚史 ,  辻德彦 ,  诸井政幸

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片W的处理容器(2)；配置在处理容器(2)内、用于载置半导体晶片W的载置台(5)；设置在与该载置台(5)相对的位置处，用于向处理容器(2)内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头(40)；和对处理容器(2)内进行排气的排气装置(101)，喷淋头(40)具有用于导入处理气体的气体流路，并且具有围绕气体流路的环状调温室(400)。

公开(公告)号：CN101322226A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200780000475.9

申请日：2007-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 饭塚八城 ,  迫田智幸 ,  小田尚史 ,  辻德彦 ,  诸井政幸

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/409 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括：收容半导体晶片W的处理容器(2)；配置在处理容器(2)内、用于载置半导体晶片W的载置台(5)；设置在与该载置台(5)相对的位置处，用于向处理容器(2)内喷出处理气体的作为处理气体喷出机构的喷淋头(40)；和对处理容器(2)内进行排气的排气装置(101)，喷淋头(40)具有用于导入处理气体的气体流路，并且具有围绕气体流路的环状调温室(400)。