公开(公告)号：CN100573813C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610005876.0

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  ASM吉尼泰克韩国株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  刘龙珉 ,  金大渊 ,  金永勋 ,  权大振 ,  金元洪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

Abstract: 提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。

公开(公告)号：CN1825537A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005876.0

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  ASM吉尼泰克韩国株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  刘龙珉 ,  金大渊 ,  金永勋 ,  权大振 ,  金元洪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

Abstract: 提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。

公开(公告)号：CN110690287B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201910593346.X

申请日：2019-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  金完敦 ,  金元洪 ,  朴锺昊 ,  白贤俊 ,  李炳训 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括第一有源区域和第二有源区域；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区域和第二有源区域中；第一栅电极和第二栅电极，分别交叉第一有源图案和第二有源图案；第一栅极绝缘图案，插设在第一有源图案和第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘图案，插设在第二有源图案和第二栅电极之间。第一栅极绝缘图案包括第一电介质图案和设置在第一电介质图案上的第一铁电图案。第二栅极绝缘图案包括第二电介质图案。第一有源区域中的晶体管的阈值电压不同于第二有源区域中的晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN110690199B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201910603103.X

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元洪 ,  金完敦 ,  白贤俊 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括包含有源图案的衬底、在俯视图中交叉有源图案的栅电极、以及插置在有源图案和栅电极之间的铁电图案。栅电极包括设置在铁电图案上的功函数金属图案、以及填充形成在功函数金属图案的上部中的凹陷的电极图案。铁电图案的最上部的顶表面低于凹陷的底表面。

公开(公告)号：CN102130125A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010623026.3

申请日：2010-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  金明宣 ,  郑会晟 ,  都晋昈 ,  金元洪 ,  宋文均 ,  朱大权

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的中央顶表面和从所述中央顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述中央顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述中央顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。

公开(公告)号：CN1992261B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200610143564.6

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权大振 ,  朴廷珉 ,  元皙俊 ,  宋珉宇 ,  金元洪 ,  金柱然

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。

公开(公告)号：CN1992261A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610143564.6

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权大振 ,  朴廷珉 ,  元皙俊 ,  宋珉宇 ,  金元洪 ,  金柱然

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。

公开(公告)号：CN1741271A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510092232.5

申请日：2005-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  宋珉宇 ,  金元洪

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/56

Abstract: 在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。

公开(公告)号：CN113871398A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110651905.5

申请日：2021-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴承河 ,  金元洪 ,  罗勋奏

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  H01L21/77

Abstract: 一种三维半导体装置包括：第一衬底、在第一衬底上的多个第一晶体管、在多个第一晶体管上的第二衬底、在第二衬底上的多个第二晶体管、以及电连接多个第一晶体管和多个第二晶体管的互连部分。多个第一晶体管中的每一个包括在第一衬底上并具有第一氢含量的第一栅极绝缘膜。多个第二晶体管中的每一个包括在第二衬底上并具有第二氢含量的第二栅极绝缘膜。第二氢含量大于第一氢含量。

公开(公告)号：CN111952276A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010086446.6

申请日：2020-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 佐佐木雄一朗 ,  林圣根 ,  姜泌圭 ,  金元洪 ,  吴承河 ,  河龙湖 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的半导体层；在第一表面上的有源图案，所述有源图案包括源极/漏极区域；电连接到所述源极/漏极区域的电力轨；以及在所述第二表面上的电力输送网络，所述电力输送网络电连接到所述电力轨。所述半导体层包括蚀刻停止掺杂剂，并且所述蚀刻停止掺杂剂在所述第二表面处具有最大浓度。