公开(公告)号：CN110690287B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201910593346.X

申请日：2019-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  金完敦 ,  金元洪 ,  朴锺昊 ,  白贤俊 ,  李炳训 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括第一有源区域和第二有源区域；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区域和第二有源区域中；第一栅电极和第二栅电极，分别交叉第一有源图案和第二有源图案；第一栅极绝缘图案，插设在第一有源图案和第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘图案，插设在第二有源图案和第二栅电极之间。第一栅极绝缘图案包括第一电介质图案和设置在第一电介质图案上的第一铁电图案。第二栅极绝缘图案包括第二电介质图案。第一有源区域中的晶体管的阈值电压不同于第二有源区域中的晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN110690287A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910593346.X

申请日：2019-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  金完敦 ,  金元洪 ,  朴锺昊 ,  白贤俊 ,  李炳训 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括第一有源区域和第二有源区域；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区域和第二有源区域中；第一栅电极和第二栅电极，分别交叉第一有源图案和第二有源图案；第一栅极绝缘图案，插设在第一有源图案和第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘图案，插设在第二有源图案和第二栅电极之间。第一栅极绝缘图案包括第一电介质图案和设置在第一电介质图案上的第一铁电图案。第二栅极绝缘图案包括第二电介质图案。第一有源区域中的晶体管的阈值电压不同于第二有源区域中的晶体管的阈值电压。