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公开(公告)号：CN1825537A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005876.0
申请日：2006-01-19
Applicant: 三星电子株式会社 , ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23F4/00
Abstract: 提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。
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公开(公告)号：CN100573813C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610005876.0
申请日：2006-01-19
Applicant: 三星电子株式会社 , ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23F4/00
Abstract: 提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。
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公开(公告)号：CN101171365A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200680015719.6
申请日：2006-05-04
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45591 , C23C16/5096
Abstract: 公开了一种反应器(200)，其配置用于使衬底经历交替重复的气相反应物的表面反应。反应器包括反应室、多个入口(210，212)和排出口(220)。反应室包含反应空间(251)。反应器也包括反应室内的气体流动控制引导结构(205)。气体流动控制引导结构(205)位于反应空间(251)上方，并且处于多个入口(210，212)和反应空间之间。气体流动控制引导结构(205)包含多个通道(210，212)，并且每个通道从入口之一延伸到反应空间的上游外缘。随着通道从入口延伸到反应空间(251)时，每个通道逐渐变宽。反应器还包括反应空间(251)内的衬底架(260)。
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公开(公告)号：CN101171365B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680015719.6
申请日：2006-05-04
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45591 , C23C16/5096
Abstract: 公开了一种反应器(200)，其配置用于使衬底经历交替重复的气相反应物的表面反应。反应器包括反应室、多个入口(210，212)和排出口(220)。反应室包含反应空间(251)。反应器也包括反应室内的气体流动控制引导结构(205)。气体流动控制引导结构(205)位于反应空间(251)上方，并且处于多个入口(210，212)和反应空间之间。气体流动控制引导结构(205)包含多个通道(210，212)，并且每个通道从入口之一延伸到反应空间的上游外缘。随着通道从入口延伸到反应空间(251)时，每个通道逐渐变宽。反应器还包括反应空间(251)内的衬底架(260)。
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公开(公告)号：CN101696494B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910204154.1
申请日：2006-05-04
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45591 , C23C16/5096
Abstract: 一种将反应物沉积到反应空间内的衬底上的方法，方法包含多个原子层沉积循环，每个循环包括：将第一反应物供应到反应空间；使第一反应物与衬底的表面反应；从反应空间除去过量的第一反应物；将第二反应物供应到反应空间；使第二反应物与衬底的表面反应；和从反应空间除去过量的第二反应物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101696494A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910204154.1
申请日：2006-05-04
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45591 , C23C16/5096
Abstract: 一种将反应物沉积到反应空间内的衬底上的方法，方法包含多个原子层沉积循环，每个循环包括：将第一反应物供应到反应空间；使第一反应物与衬底的表面反应；从反应空间除去过量的第一反应物；将第二反应物供应到反应空间；使第二反应物与衬底的表面反应；和从反应空间除去过量的第二反应物。
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公开(公告)号：CN1808939A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200610001904.1
申请日：2006-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B7/04
CPC classification number: H04B1/0483
Abstract: 本发明提供一种能够校准的收发器装置和一种由该收发器装置使用的校准方法。所述收发器装置包括：基准收发器；多个其余收发器；和多个发送校准路径，连接所述其余收发器和所述基准收发器，以用于所述其余收发器的发送校准。包括在基准收发器中的包络检波器被所述其余收发器共享。当在单一芯片中实现多输入多输出(MIM0)收发器时，可显著地减小芯片大小和MIMO收发器装置的制造成本。
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公开(公告)号：CN1794608A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510132822.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04B7/04
Abstract: 提供了一种用于使用单个串行编程接口(SPI)控制具有多个RF块的多入多出(MIMO)射频(RF)收发器的方法和设备。该MIMO系统包括：MIMO收发器，具有一个或多个输入和输出单元以及控制所述输入和输出单元串行接口转换单元；和控制器，控制MIMO收发器。串行接口转换单元经由串行编程接口(SPI)从控制器接收控制数据，将接收的控制数据解码为具有适于控制输入和输出单元的格式，并将从输入和输出单元接收的数据编码为与SPI兼容。因此，可实现具有简单结构的小尺寸MIMO系统，并且可减小在控制MIMO系统的多个RF块的处理中发生的错误的概率。
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公开(公告)号：CN1773844A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510103335.7
申请日：2005-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种不管放大增益的改变都具有稳定的输入阻抗匹配和稳定的噪声系数的可变增益放大器(VGA)。在VGA的实施例中，共阴共栅放大器放大单元的第一级不管放大增益的改变而具有固定的阻抗，包括多个晶体管的可变增益确定单元在共阴共栅放大器放大单元中的上一级形成。因此，由于放大增益的变化导致的共阴共栅放大器放大单元的输入阻抗的变化被最小化。在VGA的另一实施例中，通过控制由电流源输入的电流调整施加到放大单元的电压，来控制放大单元的放大增益，并且可获得稳定的输入阻抗匹配和稳定的噪声系数。
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公开(公告)号：CN1767372A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510114633.6
申请日：2005-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04B1/26 , H03D3/007 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/165 , H03D2200/0084
Abstract: 一种转换射频(RF)信号频率的I/Q正交解调器，具有在无线通信接收器中低电压和低噪声的特性。该I/Q正交解调器包括：输入端子，将输入RF信号转换为RF电流信号，并由I混和器和Q混和器共用；I混和器和Q混和器，接收来自输入端子的输入RF电流信号，然后分别输出I信号和Q信号。I混和器和Q混和器共用单个的输入端子，因此减少了功耗，增加了转换增益并减少了噪声系数。
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