-
公开(公告)号：CN101171365B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680015719.6
申请日：2006-05-04
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45591 , C23C16/5096
Abstract: 公开了一种反应器(200)，其配置用于使衬底经历交替重复的气相反应物的表面反应。反应器包括反应室、多个入口(210，212)和排出口(220)。反应室包含反应空间(251)。反应器也包括反应室内的气体流动控制引导结构(205)。气体流动控制引导结构(205)位于反应空间(251)上方，并且处于多个入口(210，212)和反应空间之间。气体流动控制引导结构(205)包含多个通道(210，212)，并且每个通道从入口之一延伸到反应空间的上游外缘。随着通道从入口延伸到反应空间(251)时，每个通道逐渐变宽。反应器还包括反应空间(251)内的衬底架(260)。
-
公开(公告)号：CN100573813C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610005876.0
申请日：2006-01-19
Applicant: 三星电子株式会社 , ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23F4/00
Abstract: 提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。
-
公开(公告)号：CN101696494B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910204154.1
申请日：2006-05-04
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45591 , C23C16/5096
Abstract: 一种将反应物沉积到反应空间内的衬底上的方法，方法包含多个原子层沉积循环，每个循环包括：将第一反应物供应到反应空间；使第一反应物与衬底的表面反应；从反应空间除去过量的第一反应物；将第二反应物供应到反应空间；使第二反应物与衬底的表面反应；和从反应空间除去过量的第二反应物。
-
公开(公告)号：CN101696494A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910204154.1
申请日：2006-05-04
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45591 , C23C16/5096
Abstract: 一种将反应物沉积到反应空间内的衬底上的方法，方法包含多个原子层沉积循环，每个循环包括：将第一反应物供应到反应空间；使第一反应物与衬底的表面反应；从反应空间除去过量的第一反应物；将第二反应物供应到反应空间；使第二反应物与衬底的表面反应；和从反应空间除去过量的第二反应物。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101171365A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200680015719.6
申请日：2006-05-04
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: C23C16/45548 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45591 , C23C16/5096
Abstract: 公开了一种反应器(200)，其配置用于使衬底经历交替重复的气相反应物的表面反应。反应器包括反应室、多个入口(210，212)和排出口(220)。反应室包含反应空间(251)。反应器也包括反应室内的气体流动控制引导结构(205)。气体流动控制引导结构(205)位于反应空间(251)上方，并且处于多个入口(210，212)和反应空间之间。气体流动控制引导结构(205)包含多个通道(210，212)，并且每个通道从入口之一延伸到反应空间的上游外缘。随着通道从入口延伸到反应空间(251)时，每个通道逐渐变宽。反应器还包括反应空间(251)内的衬底架(260)。
-
公开(公告)号：CN1825537A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005876.0
申请日：2006-01-19
Applicant: 三星电子株式会社 , ASM吉尼泰克韩国株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23F4/00
Abstract: 提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。
-
公开(公告)号：CN301123455D
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200930000374.3
申请日：2009-02-12
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
-
公开(公告)号：CN301098257D
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200830347957.9
申请日：2008-12-18
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
-
公开(公告)号：CN301123456D
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200930000375.8
申请日：2009-02-12
Applicant: ASM吉尼泰克韩国株式会社
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.117 seconds)
