公开(公告)号：CN100481713C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510103335.7

申请日：2005-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳载永 ,  姜贤求 ,  金大渊 ,  李政浩

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/00 ,  H03G3/20

Abstract: 本发明提供了一种不管放大增益的改变都具有稳定的输入阻抗匹配和稳定的噪声系数的可变增益放大器(VGA)。在VGA的实施例中，共阴共栅放大器放大单元的第一级不管放大增益的改变而具有固定的阻抗，包括多个晶体管的可变增益确定单元在共阴共栅放大器放大单元中的上一级形成。因此，由于放大增益的变化导致的共阴共栅放大器放大单元的输入阻抗的变化被最小化。在VGA的另一实施例中，通过控制由电流源输入的电流调整施加到放大单元的电压，来控制放大单元的放大增益，并且可获得稳定的输入阻抗匹配和稳定的噪声系数。

公开(公告)号：CN104518029A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410446750.1

申请日：2014-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宪福 ,  吕寅虎 ,  吴世春 ,  李硕均 ,  李政浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66712

Abstract: 半导体器件可以包括按照分离栅极结构设置在半导体衬底中的第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管。可以在有源区中第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管之间形成凹槽，导电图案可以位于有源区上凹槽中，其中导电图案可以包括用于第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管的源极接触。垂直肖特基半导体区可以嵌入到垂直沟道之间导电图案下方的有源区中。

公开(公告)号：CN101425786A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810182367.4

申请日：2005-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳载永 ,  姜贤求 ,  金大渊 ,  李政浩

IPC: H03G1/00 ,  H03G3/00

Abstract: 本发明提供了一种不管放大增益的改变都具有稳定的输入阻抗匹配和稳定的噪声系数的可变增益放大器(VGA)。在VGA的实施例中，共阴共栅放大器放大单元的第一级不管放大增益的改变而具有固定的阻抗，包括多个晶体管的可变增益确定单元在共阴共栅放大器放大单元中的上一级形成。因此，由于放大增益的变化导致的共阴共栅放大器放大单元的输入阻抗的变化被最小化。在VGA的另一实施例中，通过控制由电流源输入的电流调整施加到放大单元的电压，来控制放大单元的放大增益，并且可获得稳定的输入阻抗匹配和稳定的噪声系数。

公开(公告)号：CN1773844A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510103335.7

申请日：2005-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳载永 ,  姜贤求 ,  金大渊 ,  李政浩

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/00 ,  H03G3/20

Abstract: 本发明提供了一种不管放大增益的改变都具有稳定的输入阻抗匹配和稳定的噪声系数的可变增益放大器(VGA)。在VGA的实施例中，共阴共栅放大器放大单元的第一级不管放大增益的改变而具有固定的阻抗，包括多个晶体管的可变增益确定单元在共阴共栅放大器放大单元中的上一级形成。因此，由于放大增益的变化导致的共阴共栅放大器放大单元的输入阻抗的变化被最小化。在VGA的另一实施例中，通过控制由电流源输入的电流调整施加到放大单元的电压，来控制放大单元的放大增益，并且可获得稳定的输入阻抗匹配和稳定的噪声系数。