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公开(公告)号:CN101165766B
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN200710181998.X
申请日:2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3677 , G09G3/3696 , G09G2320/0223 , G09G2370/045
Abstract: 一种显示设备及其驱动方法,该显示设备包括:显示面板组件;驱动单元,用于驱动显示面板组件;以及串行外围接口,该串行外围接口包括多个寄存器,将这多个寄存器分成至少两块的组,并且该串行外围接口通过串行通信来接收外部驱动信号并且从而对驱动单元进行控制。
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公开(公告)号:CN101286304A
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200810087932.9
申请日:2008-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3614 , G09G2320/0247 , G09G2320/0257 , G09G2320/0276
Abstract: 本发明公开一种伽玛电压发生电路及具有该伽玛电压发生电路的显示装置。所述伽玛电压发生电路包括:电阻器串部件,包括在第一电源端和的第二电源端之间串联电连接的多个电阻器,第一电源端接收第一电源电压,第二电源端接收第二电源电压。电阻器串部件输出多个伽玛电压。第一电阻器部件包括与第一电阻器并联电连接的第一电子装置。第一电阻器部件在第一电源端和电阻器串部件的第一端之间串联电连接。第二电阻器部件包括与第二电阻器并联电连接的第二电子装置。第二电阻器部件在第二电源端和电阻器串部件的第二端之间串联电连接。
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公开(公告)号:CN1811890A
公开(公告)日:2006-08-02
申请号:CN200610001952.0
申请日:2006-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 吴世春
CPC classification number: G02F1/13452 , G09G3/3611 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2330/08
Abstract: 一种显示面板组件,包括显示面板、源极印刷电路板(PCB)、主路径单元和副路径单元。显示面板响应根据驱动电压产生的数据信号和栅极信号来显示图像。源极PCB设置在显示面板的周边区域并安装有输出驱动电压的驱动电路单元。该主路径单元传输该驱动电压到该显示面板,以及该副路径单元传输该驱动电压到该显示面板。因此,通过利用副路径单元将栅极驱动电压附加地传输到该显示面板,可以提高驱动的可靠性。
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公开(公告)号:CN101165766A
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:CN200710181998.X
申请日:2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3677 , G09G3/3696 , G09G2320/0223 , G09G2370/045
Abstract: 一种显示设备及其驱动方法,该显示设备包括:显示面板组件;驱动单元,用于驱动显示面板组件;以及串行外围接口,该串行外围接口包括多个寄存器,将这多个寄存器分成至少两决的组,并且该串行外围接口通过串行通信来接收外部驱动信号并且从而对驱动单元进行控制。
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公开(公告)号:CN101025899A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200610143583.9
申请日:2006-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3648 , G09G2310/0248 , G09G2310/061 , G09G2320/0257
Abstract: 源极驱动装置包括锁存器、附加数据产生器、输出控制器和缓冲器。锁存器锁存锁接收的常态数据信号并输出锁存的常态数据信号。附加数据产生器产生具有低灰度值的附加数据信号并输出附加数据信号。输出控制器控制附加数据产生器以在预定帧的无效数据间隔期间输出所产生的附加数据信号。缓冲器缓存所述常态数据信号和所述附加数据信号并输出常态数据信号和该附加数据信号。因此,可以通过改变所述源极驱动器的结构来消除瞬间残留图像现象。
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公开(公告)号:CN104518029A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410446750.1
申请日:2014-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/105 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7806 , H01L21/26586 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/66143 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/66712
Abstract: 半导体器件可以包括按照分离栅极结构设置在半导体衬底中的第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管。可以在有源区中第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管之间形成凹槽,导电图案可以位于有源区上凹槽中,其中导电图案可以包括用于第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管的源极接触。垂直肖特基半导体区可以嵌入到垂直沟道之间导电图案下方的有源区中。
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