公开(公告)号：CN1381894A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105217.4

申请日：1997-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

Abstract: 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN104518029A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410446750.1

申请日：2014-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宪福 ,  吕寅虎 ,  吴世春 ,  李硕均 ,  李政浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66712

Abstract: 半导体器件可以包括按照分离栅极结构设置在半导体衬底中的第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管。可以在有源区中第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管之间形成凹槽，导电图案可以位于有源区上凹槽中，其中导电图案可以包括用于第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管的源极接触。垂直肖特基半导体区可以嵌入到垂直沟道之间导电图案下方的有源区中。

公开(公告)号：CN1209818C

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02105216.6

申请日：1997-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

Abstract: 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1331230C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN02105217.4

申请日：1997-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

Abstract: 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1179627A

公开(公告)日：1998-04-22

申请号：CN97119313.4

申请日：1997-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金哲重 ,  李硕均

IPC: H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

Abstract: 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1201405C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN02105218.2

申请日：1997-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC: H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

Abstract: 有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1381901A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105218.2

申请日：1997-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC: H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

Abstract: 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

公开(公告)号：CN1381893A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02105216.6

申请日：1997-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟钚 ,  权泰勋 ,  金喆重 ,  李硕均

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/8226 ,  H01L21/8224 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/82285 ,  H01L27/0233 ,  H01L27/0647 ,  H01L27/0826

Abstract: 有横向npn双极晶体管,垂直和横向pnp双极晶体管,集成注入逻辑,扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区,发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中,集电区由高浓度p型区包围,低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前,除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外,还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。