公开(公告)号：CN104518029A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410446750.1

申请日：2014-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宪福 ,  吕寅虎 ,  吴世春 ,  李硕均 ,  李政浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L29/66712

Abstract: 半导体器件可以包括按照分离栅极结构设置在半导体衬底中的第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管。可以在有源区中第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管之间形成凹槽，导电图案可以位于有源区上凹槽中，其中导电图案可以包括用于第一和第二垂直沟道功率MOSFET晶体管的源极接触。垂直肖特基半导体区可以嵌入到垂直沟道之间导电图案下方的有源区中。