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公开(公告)号：CN112216956B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202010657605.3
申请日：2020-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及包括天线模块的电子设备。提供了一种便携式通信设备，其包括：显示器，其限定便携式通信设备的前表面；板，其限定便携式通信设备的后表面并包括非导电材料，其中该板包括面向便携式通信设备的外部的第一表面和面向便携式通信设备的内部的第二表面；第一天线模块，其附接到第二表面的第一区域或设置成与第一区域相邻；第二天线模块，其附接到第二表面的第二区域或设置成与第二区域相邻；以及导电构件，其设置在第一区域与第二区域之间的第三区域中或附接到第三区域，其中，导电构件至少部分地中断从第一天线模块辐射的电波中的通过板向第二天线模块传播的一些电波。
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公开(公告)号：CN112216956A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010657605.3
申请日：2020-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及包括天线模块的电子设备。提供了一种便携式通信设备，其包括：显示器，其限定便携式通信设备的前表面；板，其限定便携式通信设备的后表面并包括非导电材料，其中该板包括面向便携式通信设备的外部的第一表面和面向便携式通信设备的内部的第二表面；第一天线模块，其附接到第二表面的第一区域或设置成与第一区域相邻；第二天线模块，其附接到第二表面的第二区域或设置成与第二区域相邻；以及导电构件，其设置在第一区域与第二区域之间的第三区域中或附接到第三区域，其中，导电构件至少部分地中断从第一天线模块辐射的电波中的通过板向第二天线模块传播的一些电波。
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公开(公告)号：CN109713425A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811241386.X
申请日：2018-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04B7/0404 , H01Q3/24 , H04B1/0064 , H04B1/0067 , H04B1/44 , H04B7/0602 , H04B7/0608 , H04B7/0814
Abstract: 根据各种示例性实施例的电子装置可以包括：壳体；第一天线模块，其配置成设置在壳体中的第一端部中，并且包括第一天线和第一放大器电路以输出对应于第一天线的信号；第二天线模块，其配置成设置在壳体中的第二端部中，并且包括第二天线和第二放大器电路以输出对应于第二天线的信号；以及收发器，其配置成包括通过第一放大器电路连接到第一天线的第一端口和通过第二放大器电路连接到第二天线的第二端口。
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公开(公告)号：CN101123251B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200710111466.9
申请日：2007-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L28/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基板；在基板顶部部分上的绝缘体，其限定了绝缘体区；在基板上的导电层图案，该导电层图案由公共导电层被图案化，该导电层图案包括在绝缘体区中的绝缘体上的第一图案部分和在基板的有源区中的基板上的第二图案部分，其中第二图案部分包括在有源区中的晶体管的栅极；和在绝缘体区中的绝缘体上的电容器，该电容器包括：在导电层图案第一图案部分上的下部电极，在下部电极上的介电层图案和在介电层图案上的上部电极，其中所述下部电极不存在向上延伸的侧壁。
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公开(公告)号：CN101071769A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710102284.5
申请日：2007-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/32051 , H01L28/75
Abstract: 形成半导体器件的方法可包括利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在基底上形成第一导电金属化合物层和/或利用物理气相沉积(PVD)工艺在第一导电金属化合物层上形成第二导电金属化合物层。可形成第一导电金属化合物层和第二导电金属化合物层来减少或防止第一导电金属化合物层暴露于氧原子中，因此降低了第一导电金属化合物层的退化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106257896A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610425839.9
申请日：2016-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴廷珉
CPC classification number: H05K5/0247 , G02B6/0051 , G02B6/0083 , H01Q1/243 , H01R12/716 , H04B1/3888 , H04M1/0202 , H04M1/22 , H05K5/04 , H04M1/026 , H04M1/0283
Abstract: 本发明公开了一种电子装置。根据本公开的各种实施方式，所述电子装置可包括：壳体件，包括形成该壳体件的一面周围的侧壁的导电元件，以及至少部分地布置在所述导电元件之间的绝缘元件；以及布置在所述壳体件内的光源。所述绝缘元件可将由光源发出的光发射和/或传输至所述壳体件之外。上述电子装置可按照实施方式以多种形式实现。
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公开(公告)号：CN1992261B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610143564.6
申请日：2006-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/108 , H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L21/02 , H01L21/285
CPC classification number: H01L27/016 , H01L23/5223 , H01L28/75 , H01L2924/0002 , Y10S438/957 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。
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公开(公告)号：CN1992261A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610143564.6
申请日：2006-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/108 , H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L21/02 , H01L21/285
CPC classification number: H01L27/016 , H01L23/5223 , H01L28/75 , H01L2924/0002 , Y10S438/957 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。
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公开(公告)号：CN111656605A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980010568.2
申请日：2019-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种电子装置。该电子装置包括：壳体，其形成电子装置的外部，并且包括前表面、背离前表面的后表面以及与前表面与后表面基本垂直的侧面；朝向后表面定位的第一导电板，其上布置有第一天线阵列，该第一天线阵列被配置为朝向后表面发射第一频带中的信号；第二天线阵列，其连接到导电板并被配置为朝向侧面发射与第一频带至少部分不同的第二频带中的信号，并且第二天线阵列具有与第一天线阵列至少部分不同的天线元件；朝向侧面定位的第二导电板，其上布置有第三天线阵列，该第三天线阵列被配置为朝向侧面发射第二频带中的信号；以及第四天线阵列，其连接到第二导电板并被配置为朝向后表面发射第一频带中的信号。
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公开(公告)号：CN101123251A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710111466.9
申请日：2007-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L28/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基板；在基板顶部部分上的绝缘体，其限定了绝缘体区；在基板上的导电层图案，该导电层图案由公共导电层被图案化，该导电层图案包括在绝缘体区中的绝缘体上的第一图案部分和在基板的有源区中的基板上的第二图案部分，其中第二图案部分包括在有源区中的晶体管的栅极；和在绝缘体区中的绝缘体上的电容器，该电容器包括：在导电层图案第一图案部分上的下部电极，在下部电极上的介电层图案和在介电层图案上的上部电极。
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