公开(公告)号：CN100468622C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200410082530.1

申请日：2004-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  金元洪

IPC: H01L21/02 ,  H01G4/00 ,  H01G4/018 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645

Abstract: 提供一种具有至少3层高-k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高-k介电层。该至少3层高-k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高-k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高-k介电层。因此，由于使用至少3层高-k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。

公开(公告)号：CN1992261B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200610143564.6

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权大振 ,  朴廷珉 ,  元皙俊 ,  宋珉宇 ,  金元洪 ,  金柱然

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。

公开(公告)号：CN1992261A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610143564.6

申请日：2006-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权大振 ,  朴廷珉 ,  元皙俊 ,  宋珉宇 ,  金元洪 ,  金柱然

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/016 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/957 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。

公开(公告)号：CN1741271A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510092232.5

申请日：2005-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  宋珉宇 ,  金元洪

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/56

Abstract: 在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。

公开(公告)号：CN100573813C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610005876.0

申请日：2006-01-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  ASM吉尼泰克韩国株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  刘龙珉 ,  金大渊 ,  金永勋 ,  权大振 ,  金元洪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

Abstract: 提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。

公开(公告)号：CN101304019A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810127788.7

申请日：2008-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  姜虎圭

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种包括具有碳纳米管的电互连结构的集成电路装置及其形成方法。具体而言，集成电路装置包括包含碳纳米管的导电互连。电互连包括第一金属区域。在该第一金属区域的上表面上提供第一导电屏蔽层，并在该第一导电屏蔽层上提供第二金属区域。该第一导电屏蔽层包括抑制第一金属从第一金属区域向外扩散的材料，并且第二金属区域在其中包括催化金属。在第二金属区域上提供其中具有开口的电绝缘层。在开口中提供多个碳纳米管作为垂直电互连。

公开(公告)号：CN100388488C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510092232.5

申请日：2005-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  宋珉宇 ,  金元洪

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/56

Abstract: 在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。

公开(公告)号：CN101123251A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710111466.9

申请日：2007-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  朴廷珉

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基板；在基板顶部部分上的绝缘体，其限定了绝缘体区；在基板上的导电层图案，该导电层图案由公共导电层被图案化，该导电层图案包括在绝缘体区中的绝缘体上的第一图案部分和在基板的有源区中的基板上的第二图案部分，其中第二图案部分包括在有源区中的晶体管的栅极；和在绝缘体区中的绝缘体上的电容器，该电容器包括：在导电层图案第一图案部分上的下部电极，在下部电极上的介电层图案和在介电层图案上的上部电极。

公开(公告)号：CN110047743A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910255989.3

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN104934377B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201510122545.4

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。