-
公开(公告)号：CN113284862B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202110188275.2
申请日：2021-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面，芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔，通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra；再分布衬底，在芯构件的第一表面上，并且包括再分布层；半导体芯片，在再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至再分布层的接触焊盘；以及密封物，在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件，芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。
-
公开(公告)号：CN118692996A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410195399.7
申请日：2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜明杉
IPC: H01L23/15 , H01L23/538 , H01L21/50
Abstract: 提供了一种半导体封装，该半导体封装能够在保持芯片到芯片连接功能的同时最小化硅(Si)插入件的尺寸并最小化封装衬底的翘曲。该半导体封装包括：封装衬底，包括玻璃芯衬底、硅(Si)桥插入件、以及设置在玻璃芯衬底和Si桥插入件下方的多层布线层；以及至少两个半导体器件，堆叠在封装衬底上，其中，腔体形成在玻璃芯衬底的中心部分中，并且Si桥插入件嵌入在腔体中。
-
公开(公告)号：CN113903730A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110675772.5
申请日：2021-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01Q1/22
Abstract: 一种半导体封装包括：前重分布结构，具有第一表面和与所述第一表面相对的的第二表面；天线基板，包括介电层和介电层中的多个天线构件；半导体芯片，具有连接到多个天线构件的连接焊盘；导电核心结构，具有容纳天线基板的第一通孔和容纳半导体芯片的第二通孔；以及后重分布结构，包括暴露天线基板的上部并覆盖半导体芯片的上部的导电覆盖层和将导电覆盖层连接到导电核心结构的导电过孔。
-
公开(公告)号：CN119447099A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410792332.1
申请日：2024-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/13 , H01L23/15 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装件包括：具有腔的陶瓷衬底；下再分布结构，其位于陶瓷衬底的下表面上并且电连接到陶瓷衬底；上再分布结构，其位于陶瓷衬底的上表面上并且电连接到陶瓷衬底；多个半导体芯片，其在上再分布结构上沿第一方向布置；以及桥接芯片结构，其位于陶瓷衬底的腔中并且包括将多个半导体芯片彼此电连接的桥接芯片。
-
公开(公告)号：CN113284862A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110188275.2
申请日：2021-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面，芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔，通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra；再分布衬底，在芯构件的第一表面上，并且包括再分布层；半导体芯片，在再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至再分布层的接触焊盘；以及密封物，在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件，芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111725148A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910914319.8
申请日：2019-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/492 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有位于所述半导体芯片的一个表面上的连接焊盘；第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；连接结构，设置在所述半导体芯片的所述一个表面上并且包括电连接到所述连接焊盘的一个或更多个重新分布层。布线结构设置在所述第一包封剂的一个表面上，所述第一包封剂的一个表面与所述第一包封剂的面向所述连接结构的另一表面相对。所述布线结构具有嵌在所述布线结构中的无源组件并且包括电连接到所述无源组件的一个或更多个布线层。所述一个或更多个重新分布层和所述一个或更多个布线层彼此电连接。
-
公开(公告)号：CN111146177A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910843672.1
申请日：2019-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/31 , H01L25/16 , H05K1/18
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括绝缘层、设置在所述绝缘层上的重新分布层以及贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层的连接过孔；框架，设置在所述连接结构上并且具有通孔；半导体芯片，设置在所述通孔中，位于所述连接结构上并且具有被设置为面对所述连接结构的连接焊盘；以及无源组件，设置在所述框架上。
-
公开(公告)号：CN111128906B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910949683.8
申请日：2019-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01Q1/38
Abstract: 本公开提供了半导体封装件和包括该半导体封装件的天线模块。所述半导体封装件包括：芯结构，具有第一通孔并包括具有开口的框架、设置在开口中的无源组件、覆盖框架和无源组件的第一包封剂、设置在第一通孔的内表面上的第一金属层以及设置在开口的内表面上的第二金属层；第一半导体芯片，设置在第一通孔中并具有第一连接垫；第二包封剂，覆盖芯结构和第一半导体芯片；连接结构，设置在芯结构和第一半导体芯片上并包括重新分布层；以及金属图案层，设置在第二包封剂上。第一金属层和第二金属层通过具有彼此不同的高度的第一金属过孔和第二金属过孔连接到金属图案层。
-
公开(公告)号：CN111725148B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910914319.8
申请日：2019-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/492 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有位于所述半导体芯片的一个表面上的连接焊盘；第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；连接结构，设置在所述半导体芯片的所述一个表面上并且包括电连接到所述连接焊盘的一个或更多个重新分布层。布线结构设置在所述第一包封剂的一个表面上，所述第一包封剂的一个表面与所述第一包封剂的面向所述连接结构的另一表面相对。所述布线结构具有嵌在所述布线结构中的无源组件并且包括电连接到所述无源组件的一个或更多个布线层。所述一个或更多个重新分布层和所述一个或更多个布线层彼此电连接。
-
公开(公告)号：CN110556364B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201811398329.2
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L25/16
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括：支撑构件，包括树脂主体和至少一个无源组件，树脂主体具有彼此背对的第一表面和第二表面并且具有腔，所述至少一个无源组件嵌入树脂主体中并且具有从第一表面暴露的连接端子；第一连接构件，设置在树脂主体的第一表面上，并且具有设置在树脂主体的第一表面上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上并连接到连接端子的第一重新分布层；第二连接构件，设置在第一连接构件上并覆盖腔，并且具有设置在第一连接构件上并覆盖腔的表面的第二绝缘层以及位于第二绝缘层上并连接到第一重新分布层的第二重新分布层；以及半导体芯片，在腔中设置在第二连接构件上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.021 seconds)
