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公开(公告)号：CN111128906B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910949683.8
申请日：2019-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01Q1/38
Abstract: 本公开提供了半导体封装件和包括该半导体封装件的天线模块。所述半导体封装件包括：芯结构，具有第一通孔并包括具有开口的框架、设置在开口中的无源组件、覆盖框架和无源组件的第一包封剂、设置在第一通孔的内表面上的第一金属层以及设置在开口的内表面上的第二金属层；第一半导体芯片，设置在第一通孔中并具有第一连接垫；第二包封剂，覆盖芯结构和第一半导体芯片；连接结构，设置在芯结构和第一半导体芯片上并包括重新分布层；以及金属图案层，设置在第二包封剂上。第一金属层和第二金属层通过具有彼此不同的高度的第一金属过孔和第二金属过孔连接到金属图案层。
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公开(公告)号：CN111755395A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201911299256.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括一个或更多个重新分布层；芯结构，设置在所述连接结构的表面上；半导体芯片，设置在所述表面上，并且包括电连接到所述连接结构的所述重新分布层的连接垫；第一包封剂，设置在所述表面上并且覆盖所述芯结构和所述半导体芯片中的每个的至少一部分；天线基板，设置在所述第一包封剂上并且包括一个或更多个布线层，所述布线层的至少一部分包括天线图案；以及贯穿过孔，贯穿所述连接结构、所述芯结构、所述第一包封剂和所述天线基板中的每个的至少一部分。
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公开(公告)号：CN111128906A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910949683.8
申请日：2019-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01Q1/38
Abstract: 本公开提供了半导体封装件和包括该半导体封装件的天线模块。所述半导体封装件包括：芯结构，具有第一通孔并包括具有开口的框架、设置在开口中的无源组件、覆盖框架和无源组件的第一包封剂、设置在第一通孔的内表面上的第一金属层以及设置在开口的内表面上的第二金属层；第一半导体芯片，设置在第一通孔中并具有第一连接垫；第二包封剂，覆盖芯结构和第一半导体芯片；连接结构，设置在芯结构和第一半导体芯片上并包括重新分布层；以及金属图案层，设置在第二包封剂上。第一金属层和第二金属层通过具有彼此不同的高度的第一金属过孔和第二金属过孔连接到金属图案层。
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公开(公告)号：CN110277381A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201811636063.0
申请日：2018-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括连接结构，连接结构包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一布线层和第二布线层以及第一连接过孔和第二连接过孔。包括芯构件的芯结构位于所述第一绝缘层上。第一通孔穿透所述芯构件。无源组件在所述第一通孔中位于所述第一绝缘层上并且通过所述第一连接过孔连接到所述第一布线层。第一包封剂覆盖所述无源组件的至少一部分。第二通孔穿透所述芯结构和所述第一绝缘层。半导体芯片在所述第二通孔中位于所述第二绝缘层上并且通过所述第二连接过孔连接到所述第二布线层。第二包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分。
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公开(公告)号：CN110277381B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201811636063.0
申请日：2018-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括连接结构，连接结构包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一布线层和第二布线层以及第一连接过孔和第二连接过孔。包括芯构件的芯结构位于所述第一绝缘层上。第一通孔穿透所述芯构件。无源组件在所述第一通孔中位于所述第一绝缘层上并且通过所述第一连接过孔连接到所述第一布线层。第一包封剂覆盖所述无源组件的至少一部分。第二通孔穿透所述芯结构和所述第一绝缘层。半导体芯片在所述第二通孔中位于所述第二绝缘层上并且通过所述第二连接过孔连接到所述第二布线层。第二包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分。
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