公开(公告)号：CN110277381A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201811636063.0

申请日：2018-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文善希 ,  姜明杉 ,  高永宽 ,  李彰培 ,  金镇洙

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括连接结构，连接结构包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一布线层和第二布线层以及第一连接过孔和第二连接过孔。包括芯构件的芯结构位于所述第一绝缘层上。第一通孔穿透所述芯构件。无源组件在所述第一通孔中位于所述第一绝缘层上并且通过所述第一连接过孔连接到所述第一布线层。第一包封剂覆盖所述无源组件的至少一部分。第二通孔穿透所述芯结构和所述第一绝缘层。半导体芯片在所述第二通孔中位于所述第二绝缘层上并且通过所述第二连接过孔连接到所述第二布线层。第二包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分。

公开(公告)号：CN111146177A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201910843672.1

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明杉 ,  高永宽 ,  朴庸镇 ,  文善希

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H05K1/18

Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括绝缘层、设置在所述绝缘层上的重新分布层以及贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层的连接过孔；框架，设置在所述连接结构上并且具有通孔；半导体芯片，设置在所述通孔中，位于所述连接结构上并且具有被设置为面对所述连接结构的连接焊盘；以及无源组件，设置在所述框架上。

公开(公告)号：CN111146177B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201910843672.1

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明杉 ,  高永宽 ,  朴庸镇 ,  文善希

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H10B80/00 ,  H05K1/18

Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括绝缘层、设置在所述绝缘层上的重新分布层以及贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层的连接过孔；框架，设置在所述连接结构上并且具有通孔；半导体芯片，设置在所述通孔中，位于所述连接结构上并且具有被设置为面对所述连接结构的连接焊盘；以及无源组件，设置在所述框架上。

公开(公告)号：CN110277381B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201811636063.0

申请日：2018-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文善希 ,  姜明杉 ,  高永宽 ,  李彰培 ,  金镇洙

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括连接结构，连接结构包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一布线层和第二布线层以及第一连接过孔和第二连接过孔。包括芯构件的芯结构位于所述第一绝缘层上。第一通孔穿透所述芯构件。无源组件在所述第一通孔中位于所述第一绝缘层上并且通过所述第一连接过孔连接到所述第一布线层。第一包封剂覆盖所述无源组件的至少一部分。第二通孔穿透所述芯结构和所述第一绝缘层。半导体芯片在所述第二通孔中位于所述第二绝缘层上并且通过所述第二连接过孔连接到所述第二布线层。第二包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分。