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公开(公告)号：CN111146178B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201911035147.3
申请日：2019-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，具有腔并且具有将彼此相对的第一表面和第二表面连接的布线结构；连接结构，设置在所述框架的所述第一表面上，并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层；半导体芯片，设置在所述腔内并且具有连接到所述第一重新分布层的连接垫；包封剂，包封所述半导体芯片；以及第二重新分布层，具有重新分布图案以及连接所述布线结构和所述重新分布图案的连接过孔。所述连接过孔包括连接到所述布线结构的第一过孔以及设置在所述第一过孔上并连接到所述重新分布图案的第二过孔，所述第二过孔的下表面具有比所述第一过孔的上表面的面积大的面积。
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公开(公告)号：CN109841589B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201810438061.4
申请日：2018-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L21/683 , H01L21/48
Abstract: 本公开提供一种载体基板及其制造方法以及制造半导体封装件的方法。所述载体基板包括：芯层；第一金属层，设置在所述芯层上；释放层，设置在所述第一金属层上；及第二金属层，设置在所述释放层上。所述第一金属层、所述释放层和所述第二金属层形成多个单元图案部，或者所述释放层和所述第二金属层形成多个单元图案部，所述多个单元图案部的面积小于所述芯层的面积。
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公开(公告)号：CN109712952B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201810539777.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，该半导体封装件包括支撑构件，支撑构件具有腔并且包括布线结构，布线结构使支撑构件的彼此相对的第一表面和第二表面连接。连接构件，位于支撑构件的第二表面上并且包括连接到布线结构的第一重新分布层。半导体芯片，位于连接构件上，位于腔中，并且具有连接到第一重新分布层的连接焊盘。包封件，包封设置于腔中的半导体芯片并且覆盖支撑构件的第一表面。第二重新分布层，位于支撑构件的第一表面上并且包括布线图案和连接过孔，布线图案嵌入在包封件中并且具有暴露的表面，连接过孔贯穿包封件以使布线结构和布线图案彼此连接。
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公开(公告)号：CN110970310A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910908620.8
申请日：2019-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种敞开式焊盘结构及包括敞开式焊盘结构的半导体封装件，所述敞开式焊盘结构包括：绝缘层；第一焊盘，设置在所述绝缘层上；第二焊盘，设置在所述绝缘层上并与所述第一焊盘间隔开；以及钝化层，设置在所述绝缘层上，覆盖所述第一焊盘和所述第二焊盘，并具有用于使所述第一焊盘和所述第二焊盘中的每个的至少一部分敞开的开口。所述钝化层覆盖所述开口中的所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的所述绝缘层，并且t1和t2满足t1>t2，其中，t1是所述钝化层的除了所述开口之外的区域的厚度，t2是所述钝化层的在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的区域的厚度。
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公开(公告)号：CN110858571A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910097843.0
申请日：2019-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种包括有机中介器的半导体封装件，所述包括有机中介器的半导体封装件包括：半导体芯片；连接构件，位于所述半导体芯片上并且包括焊盘层、重新分布层以及绝缘层；结合构件，位于所述半导体芯片和所述焊盘层之间；表面处理层，位于所述焊盘层上并且包括至少一个金属层；以及凸块下金属(UBM)层，嵌入在所述连接构件中。所述UBM层包括：UBM焊盘、位于所述UBM焊盘上的至少一个镀层以及UBM过孔。所述表面处理层仅设置在所述焊盘层的一个表面上，并且所述镀层仅设置在所述UBM焊盘的一个表面上，并且所述镀层的侧表面的至少一部分与所述绝缘层的围绕所述镀层的侧表面间隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146177B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910843672.1
申请日：2019-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/31 , H10B80/00 , H05K1/18
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括绝缘层、设置在所述绝缘层上的重新分布层以及贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层的连接过孔；框架，设置在所述连接结构上并且具有通孔；半导体芯片，设置在所述通孔中，位于所述连接结构上并且具有被设置为面对所述连接结构的连接焊盘；以及无源组件，设置在所述框架上。
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公开(公告)号：CN110277381B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201811636063.0
申请日：2018-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括连接结构，连接结构包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一布线层和第二布线层以及第一连接过孔和第二连接过孔。包括芯构件的芯结构位于所述第一绝缘层上。第一通孔穿透所述芯构件。无源组件在所述第一通孔中位于所述第一绝缘层上并且通过所述第一连接过孔连接到所述第一布线层。第一包封剂覆盖所述无源组件的至少一部分。第二通孔穿透所述芯结构和所述第一绝缘层。半导体芯片在所述第二通孔中位于所述第二绝缘层上并且通过所述第二连接过孔连接到所述第二布线层。第二包封剂覆盖所述半导体芯片的至少一部分。
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公开(公告)号：CN111199945A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911093452.8
申请日：2019-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495
Abstract: 本公开提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括彼此电连接的多个布线层，并且具有凹入部，所述凹入部的底表面上设置有阻挡层；半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，所述无效表面设置在所述凹入部中以面对所述阻挡层；包封剂，覆盖所述框架的至少一部分以及所述半导体芯片的至少一部分，所述包封剂设置在所述凹入部的至少一部分中；以及连接结构，设置在所述框架和所述有效表面上，并且包括重新分布层，所述重新分布层电连接到所述多个布线层和所述连接垫。所述阻挡层的厚度大于所述多个布线层中的每者的厚度。
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公开(公告)号：CN110556364A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201811398329.2
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L25/16
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件。半导体封装件包括：支撑构件，包括树脂主体和至少一个无源组件，树脂主体具有彼此背对的第一表面和第二表面并且具有腔，所述至少一个无源组件嵌入树脂主体中并且具有从第一表面暴露的连接端子；第一连接构件，设置在树脂主体的第一表面上，并且具有设置在树脂主体的第一表面上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上并连接到连接端子的第一重新分布层；第二连接构件，设置在第一连接构件上并覆盖腔，并且具有设置在第一连接构件上并覆盖腔的表面的第二绝缘层以及位于第二绝缘层上并连接到第一重新分布层的第二重新分布层；以及半导体芯片，在腔中设置在第二连接构件上。
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公开(公告)号：CN110858571B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910097843.0
申请日：2019-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种包括有机中介器的半导体封装件，所述包括有机中介器的半导体封装件包括：半导体芯片；连接构件，位于所述半导体芯片上并且包括焊盘层、重新分布层以及绝缘层；结合构件，位于所述半导体芯片和所述焊盘层之间；表面处理层，位于所述焊盘层上并且包括至少一个金属层；以及凸块下金属(UBM)层，嵌入在所述连接构件中。所述UBM层包括：UBM焊盘、位于所述UBM焊盘上的至少一个镀层以及UBM过孔。所述表面处理层仅设置在所述焊盘层的一个表面上，并且所述镀层仅设置在所述UBM焊盘的一个表面上，并且所述镀层的侧表面的至少一部分与所述绝缘层的围绕所述镀层的侧表面间隔开。
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