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公开(公告)号：CN119542310A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411129186.0
申请日：2024-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L23/485 , H01L23/482 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种半导体封装，包括：下封装衬底，包括下绝缘层；第一半导体器件，安装在下封装衬底上；核心层，在下封装衬底上，以与第一半导体器件横向间隔开；包封材料，围绕第一半导体器件并且覆盖核心层的上部；上封装衬底，设置在包封材料上，上封装衬底包括第一上重分布层和第二上重分布层；其中，第一上重分布图案的第一精细图案的第一线宽和第一线间距分别大于或等于第二上重分布图案的第二精细图案的对应的第二线宽和对应的第二线间距。
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公开(公告)号：CN109755206B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201810399546.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种连接构件及其制造方法以及半导体封装件。所述半导体封装件包括：半导体芯片；连接构件，具有第一表面和与第一表面背对的第二表面，半导体芯片设置在第一表面上；包封件，设置在连接构件的第一表面上，并包封半导体芯片；钝化层，位于连接构件的第二表面上；以及凸块下金属层，部分地嵌在钝化层中，其中，凸块下金属层包括：凸块下金属过孔，嵌在钝化层中并连接到连接构件的重新分布层；以及凸块下金属焊盘，连接到凸块下金属过孔，并从钝化层的表面突出，并且凸块下金属过孔的与凸块下金属焊盘接触的部分的宽度比凸块下金属过孔的与重新分布层接触的部分的宽度窄。
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公开(公告)号：CN111293108A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911217424.2
申请日：2019-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/498
Abstract: 本公开提供一种中介体及包括其的半导体封装件，所述半导体封装件包括具有多个连接结构和钝化层的中介体，多个连接结构均包括彼此电连接的重新分布层，钝化层覆盖连接结构中的每个的至少一部分，并填充连接结构之间的空间。第一半导体芯片设置在中介体上并具有第一连接垫，并且第二半导体芯片在中介体上与第一半导体芯片相邻设置并具第二连接垫。连接结构独立地被布置为均在第一半导体芯片和第二半导体芯片在中介体上的堆叠方向上与第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一者或两者至少部分地叠置。连接结构中的每个的重新分布层经由凸块下金属电连接到第一连接垫和第二连接垫中的至少一个。
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公开(公告)号：CN110858571B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910097843.0
申请日：2019-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种包括有机中介器的半导体封装件，所述包括有机中介器的半导体封装件包括：半导体芯片；连接构件，位于所述半导体芯片上并且包括焊盘层、重新分布层以及绝缘层；结合构件，位于所述半导体芯片和所述焊盘层之间；表面处理层，位于所述焊盘层上并且包括至少一个金属层；以及凸块下金属(UBM)层，嵌入在所述连接构件中。所述UBM层包括：UBM焊盘、位于所述UBM焊盘上的至少一个镀层以及UBM过孔。所述表面处理层仅设置在所述焊盘层的一个表面上，并且所述镀层仅设置在所述UBM焊盘的一个表面上，并且所述镀层的侧表面的至少一部分与所述绝缘层的围绕所述镀层的侧表面间隔开。
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公开(公告)号：CN114551393A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111121406.1
申请日：2021-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 提供了一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括：半导体芯片；下再分布层，其位于半导体芯片的下表面上；下钝化层，其位于下再分布层的下表面上；UBM焊盘，其位于下钝化层上，并且包括上焊盘和连接到上焊盘的下焊盘，上焊盘在其上表面处的水平长度大于在其下表面处的水平长度；种子层，其位于下钝化层与UBM焊盘之间；以及外部连接端子，其位于UBM焊盘的下表面上，其中，种子层包括覆盖上焊盘的侧表面的第一种子部分、覆盖上焊盘的下表面的一部分的第二种子部分以及覆盖下焊盘的侧表面的一部分的第三种子部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111293108B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201911217424.2
申请日：2019-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/498
Abstract: 本公开提供一种中介体及包括其的半导体封装件，所述半导体封装件包括具有多个连接结构和钝化层的中介体，多个连接结构均包括彼此电连接的重新分布层，钝化层覆盖连接结构中的每个的至少一部分，并填充连接结构之间的空间。第一半导体芯片设置在中介体上并具有第一连接垫，并且第二半导体芯片在中介体上与第一半导体芯片相邻设置并具第二连接垫。连接结构独立地被布置为均在第一半导体芯片和第二半导体芯片在中介体上的堆叠方向上与第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一者或两者至少部分地叠置。连接结构中的每个的重新分布层经由凸块下金属电连接到第一连接垫和第二连接垫中的至少一个。
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公开(公告)号：CN115483177A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210164541.2
申请日：2022-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 公开了一种半导体封装器件，包括：半导体芯片，在所述半导体芯片的有源表面上包括第一芯片焊盘和第二芯片焊盘；以及在所述第一芯片焊盘和第二芯片焊盘上的再分布基板。所述再分布基板包括顺序堆叠在所述有源表面上的第一再分布图案和第二再分布图案。所述第一再分布图案包括第一通孔部分和与所述第一通孔部分竖直重叠的第一通孔焊盘部分。所述第二再分布图案包括第二通孔部分和与所述第二通孔部分竖直重叠的第二通孔焊盘部分。所述第一通孔部分与所述第一芯片焊盘接触。所述第二通孔部分与所述第二芯片焊盘接触。所述第二通孔部分的长度大于所述第一通孔部分的长度。
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公开(公告)号：CN117637667A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310645288.7
申请日：2023-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件可以包括：下再分布层，所述下再分布层包括下布线和下通路；嵌入区域，所述嵌入区域位于所述下再分布层上；芯层，所述芯层位于所述下再分布层上并且包括芯通路；以及底凸块结构，所述底凸块结构包括底凸块焊盘和底凸块通路，所述底凸块焊盘位于所述下再分布层的下表面上，所述底凸块通路连接所述下布线和所述底凸块焊盘，在俯视图中，所述底凸块焊盘可以与所述底凸块通路、所述下通路和所述芯通路交叠，并且在所述俯视图中，所述底凸块通路可以与所述下通路和所述芯通路中的至少一者间隔开。
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公开(公告)号：CN109841589B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201810438061.4
申请日：2018-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L21/683 , H01L21/48
Abstract: 本公开提供一种载体基板及其制造方法以及制造半导体封装件的方法。所述载体基板包括：芯层；第一金属层，设置在所述芯层上；释放层，设置在所述第一金属层上；及第二金属层，设置在所述释放层上。所述第一金属层、所述释放层和所述第二金属层形成多个单元图案部，或者所述释放层和所述第二金属层形成多个单元图案部，所述多个单元图案部的面积小于所述芯层的面积。
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公开(公告)号：CN109712952B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201810539777.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，该半导体封装件包括支撑构件，支撑构件具有腔并且包括布线结构，布线结构使支撑构件的彼此相对的第一表面和第二表面连接。连接构件，位于支撑构件的第二表面上并且包括连接到布线结构的第一重新分布层。半导体芯片，位于连接构件上，位于腔中，并且具有连接到第一重新分布层的连接焊盘。包封件，包封设置于腔中的半导体芯片并且覆盖支撑构件的第一表面。第二重新分布层，位于支撑构件的第一表面上并且包括布线图案和连接过孔，布线图案嵌入在包封件中并且具有暴露的表面，连接过孔贯穿包封件以使布线结构和布线图案彼此连接。
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