公开(公告)号：CN111146178A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911035147.3

申请日：2019-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李韩亐 ,  高永宽

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，具有腔并且具有将彼此相对的第一表面和第二表面连接的布线结构；连接结构，设置在所述框架的所述第一表面上，并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层；半导体芯片，设置在所述腔内并且具有连接到所述第一重新分布层的连接垫；包封剂，包封所述半导体芯片；以及第二重新分布层，具有重新分布图案以及连接所述布线结构和所述重新分布图案的连接过孔。所述连接过孔包括连接到所述布线结构的第一过孔以及设置在所述第一过孔上并连接到所述重新分布图案的第二过孔，所述第二过孔的下表面具有比所述第一过孔的上表面的面积大的面积。

公开(公告)号：CN111199945A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911093452.8

申请日：2019-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李韩亐 ,  高永宽

IPC: H01L23/495

Abstract: 本公开提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括彼此电连接的多个布线层，并且具有凹入部，所述凹入部的底表面上设置有阻挡层；半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，所述无效表面设置在所述凹入部中以面对所述阻挡层；包封剂，覆盖所述框架的至少一部分以及所述半导体芯片的至少一部分，所述包封剂设置在所述凹入部的至少一部分中；以及连接结构，设置在所述框架和所述有效表面上，并且包括重新分布层，所述重新分布层电连接到所述多个布线层和所述连接垫。所述阻挡层的厚度大于所述多个布线层中的每者的厚度。

公开(公告)号：CN111199945B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201911093452.8

申请日：2019-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李韩亐 ,  高永宽

IPC: H01L23/495

Abstract: 本公开提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括彼此电连接的多个布线层，并且具有凹入部，所述凹入部的底表面上设置有阻挡层；半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面，所述无效表面设置在所述凹入部中以面对所述阻挡层；包封剂，覆盖所述框架的至少一部分以及所述半导体芯片的至少一部分，所述包封剂设置在所述凹入部的至少一部分中；以及连接结构，设置在所述框架和所述有效表面上，并且包括重新分布层，所述重新分布层电连接到所述多个布线层和所述连接垫。所述阻挡层的厚度大于所述多个布线层中的每者的厚度。

公开(公告)号：CN111146178B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201911035147.3

申请日：2019-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李韩亐 ,  高永宽

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：框架，具有腔并且具有将彼此相对的第一表面和第二表面连接的布线结构；连接结构，设置在所述框架的所述第一表面上，并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层；半导体芯片，设置在所述腔内并且具有连接到所述第一重新分布层的连接垫；包封剂，包封所述半导体芯片；以及第二重新分布层，具有重新分布图案以及连接所述布线结构和所述重新分布图案的连接过孔。所述连接过孔包括连接到所述布线结构的第一过孔以及设置在所述第一过孔上并连接到所述重新分布图案的第二过孔，所述第二过孔的下表面具有比所述第一过孔的上表面的面积大的面积。

公开(公告)号：CN110970310A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910908620.8

申请日：2019-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高永宽 ,  李韩亐

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种敞开式焊盘结构及包括敞开式焊盘结构的半导体封装件，所述敞开式焊盘结构包括：绝缘层；第一焊盘，设置在所述绝缘层上；第二焊盘，设置在所述绝缘层上并与所述第一焊盘间隔开；以及钝化层，设置在所述绝缘层上，覆盖所述第一焊盘和所述第二焊盘，并具有用于使所述第一焊盘和所述第二焊盘中的每个的至少一部分敞开的开口。所述钝化层覆盖所述开口中的所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的所述绝缘层，并且t1和t2满足t1>t2，其中，t1是所述钝化层的除了所述开口之外的区域的厚度，t2是所述钝化层的在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的区域的厚度。