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公开(公告)号：CN113284862A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110188275.2
申请日：2021-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面，芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔，通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra；再分布衬底，在芯构件的第一表面上，并且包括再分布层；半导体芯片，在再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至再分布层的接触焊盘；以及密封物，在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件，芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。
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公开(公告)号：CN113284862B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202110188275.2
申请日：2021-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面，芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔，通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra；再分布衬底，在芯构件的第一表面上，并且包括再分布层；半导体芯片，在再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至再分布层的接触焊盘；以及密封物，在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件，芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。
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公开(公告)号：CN111199950B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201911132469.X
申请日：2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：第一连接结构，具有第一表面和第二表面；第一半导体芯片，设置在第一表面上；第一包封剂，设置在第一表面上并覆盖第一半导体芯片的至少一部分；第二半导体芯片，设置在第二表面上；一个或更多个第一金属构件，设置在第二表面上；一个或更多个第二金属构件，设置在第二表面上；第二包封剂，设置在第二表面上，并分别覆盖第二半导体芯片的至少一部分以及第一金属构件和第二金属构件的至少一部分；以及第二连接结构，设置在第二包封剂的其上设置有第一连接结构的侧的相对侧上。
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公开(公告)号：CN111199950A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911132469.X
申请日：2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：第一连接结构，具有第一表面和第二表面；第一半导体芯片，设置在第一表面上；第一包封剂，设置在第一表面上并覆盖第一半导体芯片的至少一部分；第二半导体芯片，设置在第二表面上；一个或更多个第一金属构件，设置在第二表面上；一个或更多个第二金属构件，设置在第二表面上；第二包封剂，设置在第二表面上，并分别覆盖第二半导体芯片的至少一部分以及第一金属构件和第二金属构件的至少一部分；以及第二连接结构，设置在第二包封剂的其上设置有第一连接结构的侧的相对侧上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111755426B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010161192.X
申请日：2020-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一连接构件，包括第一重新分布层；第一框架，设置在所述第一连接构件上；第一半导体芯片，设置在所述第一贯穿部中并且具有第一连接垫；第一包封剂，覆盖所述第一框架和所述第一半导体芯片中的每个的一部分，并且填充所述第一贯穿部的至少一部分；第二连接构件，设置在所述第一包封剂上并且包括第二重新分布层；第二半导体芯片，设置在所述第二连接构件上并且具有第二连接垫；第二包封剂，覆盖所述第二半导体芯片的一部分；以及第一贯穿过孔，贯穿所述第一连接构件的一部分、所述第一框架和所述第一包封剂，并且使所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此电连接。
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公开(公告)号：CN109755234B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201811042077.X
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H01L23/31 , H10B80/00
Abstract: 本发明提供了一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括框架、半导体芯片、第一金属凸块、第二金属凸块、包封剂以及连接构件。框架包括绝缘层、布线层和连接过孔层，并且包括具有止挡层的凹入部。半导体芯片具有连接焊盘并设置在凹入部中以使无效表面面对止挡层。第一金属凸块设置在连接焊盘上。第二金属凸块设置在布线层的最上布线层上。包封剂覆盖框架、半导体芯片以及第一金属凸块和第二金属凸块中的每个的至少部分并且填充凹入部的至少部分。连接构件设置在框架和半导体芯片的有效表面上并且包括通过第一金属凸块和第二金属凸块电连接到连接焊盘和最上布线层的重新分布层。
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公开(公告)号：CN113921495A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110782806.0
申请日：2021-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一重分布结构，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的第一重分布层；半导体芯片，其设置在第一重分布结构的第一表面上，并且包括电连接到第一重分布层并嵌入在第一绝缘层中的连接焊盘；垂直连接结构，其设置在第一表面上并且电连接到第一重分布层；密封剂，其包封半导体芯片和垂直连接结构中的每一个的至少一部分；第二重分布结构，其设置在密封剂上并且包括连接到垂直连接结构的第二重分布层电；以及连接凸块，其设置在第二表面上并且电连接到第一重分布层。
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公开(公告)号：CN111755426A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010161192.X
申请日：2020-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一连接构件，包括第一重新分布层；第一框架，设置在所述第一连接构件上；第一半导体芯片，设置在所述第一贯穿部中并且具有第一连接垫；第一包封剂，覆盖所述第一框架和所述第一半导体芯片中的每个的一部分，并且填充所述第一贯穿部的至少一部分；第二连接构件，设置在所述第一包封剂上并且包括第二重新分布层；第二半导体芯片，设置在所述第二连接构件上并且具有第二连接垫；第二包封剂，覆盖所述第二半导体芯片的一部分；以及第一贯穿过孔，贯穿所述第一连接构件的一部分、所述第一框架和所述第一包封剂，并且使所述第一重新分布层和所述第二重新分布层彼此电连接。
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公开(公告)号：CN111755395A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201911299256.6
申请日：2019-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：连接结构，包括一个或更多个重新分布层；芯结构，设置在所述连接结构的表面上；半导体芯片，设置在所述表面上，并且包括电连接到所述连接结构的所述重新分布层的连接垫；第一包封剂，设置在所述表面上并且覆盖所述芯结构和所述半导体芯片中的每个的至少一部分；天线基板，设置在所述第一包封剂上并且包括一个或更多个布线层，所述布线层的至少一部分包括天线图案；以及贯穿过孔，贯穿所述连接结构、所述芯结构、所述第一包封剂和所述天线基板中的每个的至少一部分。
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