公开(公告)号：CN113284862A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110188275.2

申请日：2021-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文炅燉 ,  姜明杉 ,  高永灿 ,  权伊亿 ,  金廷锡 ,  李共济 ,  赵俸紸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面，芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔，通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra；再分布衬底，在芯构件的第一表面上，并且包括再分布层；半导体芯片，在再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至再分布层的接触焊盘；以及密封物，在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件，芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。

公开(公告)号：CN113284862B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202110188275.2

申请日：2021-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文炅燉 ,  姜明杉 ,  高永灿 ,  权伊亿 ,  金廷锡 ,  李共济 ,  赵俸紸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：芯构件，具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面，芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔，通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra；再分布衬底，在芯构件的第一表面上，并且包括再分布层；半导体芯片，在再分布衬底上在所述通孔中，并具有电连接至再分布层的接触焊盘；以及密封物，在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件，芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。

公开(公告)号：CN117320459A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310269766.9

申请日：2023-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文炅燉 ,  金钟润 ,  张在权

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L23/367

Abstract: 半导体封装包括缓冲器管芯。一个或多个第一半导体管芯堆叠在缓冲器管芯上，使得有源表面面向缓冲器管芯。第二半导体管芯堆叠在第一半导体管芯上。第二半导体管芯包括第一层和设置在第一层上的第二层。第一层包括第一半导体衬底。第一存储器块设置在第一半导体衬底上。第一穿透电极竖直穿透第一半导体衬底并连接到第一存储器块。第二层包括第二半导体衬底和设置在第二半导体衬底上的计算块。第一层和第二层具有彼此接触的有源表面。第一存储器块和计算块分别具有彼此接触的第一焊盘和第二焊盘。

公开(公告)号：CN116264767A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211082798.X

申请日：2022-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢仁浩 ,  郭东华 ,  文炅燉 ,  李元锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括有源区域，有源区域具有第一杂质区域和第二杂质区域；字线，在基底的第一表面上，字线在第一方向上延伸；第一位线，在字线上，第一位线在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且第一位线连接到第一杂质区域；第一接触塞，在第一位线之间，第一接触塞分别连接到第二杂质区域；第二位线，在基底的第二表面上，第二位线电连接到第一杂质区域；以及第一电容器，在第一接触塞上。

公开(公告)号：CN114078830A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110754281.X

申请日：2021-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜命衫 ,  高永璨 ,  金廷锡 ,  文炅燉 ,  赵捧住

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装包括：重分布基板，包括介电层和在介电层中的布线图案，布线图案包括：水平延伸的线部分及与线部分连接的通孔部分，通孔部分的宽度小于线部分的宽度；在重分布基板的顶表面上的钝化层，钝化层包括与介电层的材料不同的材料；导电柱，导电柱穿透钝化层，导电柱连接到通孔部分；以及连接端子，在导电柱的顶表面上，导电柱的顶表面与钝化层的顶表面之间的距离大于钝化层的厚度。