半导体封装
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113284862A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110188275.2

    申请日:2021-02-18

    Abstract: 公开了一种半导体封装,包括:芯构件,具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面,芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔,通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra;再分布衬底,在芯构件的第一表面上,并且包括再分布层;半导体芯片,在再分布衬底上在所述通孔中,并具有电连接至再分布层的接触焊盘;以及密封物,在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件,芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。

    半导体封装
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113284862B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202110188275.2

    申请日:2021-02-18

    Abstract: 公开了一种半导体封装,包括:芯构件,具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面,芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔,通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra;再分布衬底,在芯构件的第一表面上,并且包括再分布层;半导体芯片,在再分布衬底上在所述通孔中,并具有电连接至再分布层的接触焊盘;以及密封物,在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件,芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。

    半导体封装及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119725333A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202410558969.4

    申请日:2024-05-07

    Abstract: 一种半导体封装,可以包括半导体芯片、半导体芯片上的再分布层、覆盖再分布层的保护图案、以及再分布层上的连接端子。再分布层可以包括再分布层的顶表面上的再分布焊盘,并且再分布焊盘可以包括第一焊盘和第一焊盘上的第二焊盘。第二焊盘可以具有倾斜并且延伸到第一焊盘的顶表面的侧表面,并且保护图案可以与第二焊盘的侧表面间隔开,并且可以具有倾斜并且延伸到第一焊盘的顶表面的侧表面。

    半导体封装件
    4.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114649273A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202111454605.4

    申请日:2021-12-01

    Abstract: 一种半导体封装件包括其中设置有连接布线的支撑基板。至少一个电容器设置在支撑基板上。电容器具有从支撑基板的上表面暴露的第一电极和第二电极。再分布布线层覆盖支撑基板的上表面。再分布布线层具有分别与连接布线以及第一电极和第二电极电连接的再分布布线。半导体芯片设置在再分布布线层上。半导体芯片具有芯片焊盘和外连接器,芯片焊盘电连接到再分布布线,外连接器设置在支撑基板的下表面上并电连接到连接布线。

    半导体封装件
    5.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN113921495A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202110782806.0

    申请日:2021-07-12

    Abstract: 一种半导体封装件包括:第一重分布结构,其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的第一重分布层;半导体芯片,其设置在第一重分布结构的第一表面上,并且包括电连接到第一重分布层并嵌入在第一绝缘层中的连接焊盘;垂直连接结构,其设置在第一表面上并且电连接到第一重分布层;密封剂,其包封半导体芯片和垂直连接结构中的每一个的至少一部分;第二重分布结构,其设置在密封剂上并且包括连接到垂直连接结构的第二重分布层电;以及连接凸块,其设置在第二表面上并且电连接到第一重分布层。

    半导体封装
    6.
    发明公开
    半导体封装 审中-实审

    公开(公告)号:CN114078830A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110754281.X

    申请日:2021-07-01

    Abstract: 一种半导体封装包括:重分布基板,包括介电层和在介电层中的布线图案,布线图案包括:水平延伸的线部分及与线部分连接的通孔部分,通孔部分的宽度小于线部分的宽度;在重分布基板的顶表面上的钝化层,钝化层包括与介电层的材料不同的材料;导电柱,导电柱穿透钝化层,导电柱连接到通孔部分;以及连接端子,在导电柱的顶表面上,导电柱的顶表面与钝化层的顶表面之间的距离大于钝化层的厚度。

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