公开(公告)号：CN116344468A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211626168.4

申请日：2022-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文炅墩 ,  郭东华 ,  卢仁浩

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体封装件包括：封装基板；第一半导体芯片，安装在封装基板上，并且所述第一半导体芯片包括第一半导体衬底；以及第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片上，并且所述第二半导体芯片包括第二半导体衬底，所述第二半导体衬底包括有源表面和无源表面。第二半导体芯片还包括在竖直方向上从无源表面延伸的隔开的多个散热鳍。

公开(公告)号：CN117855183A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202310905558.3

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文炅墩 ,  徐祥熏 ,  金知晃 ,  白尚津 ,  黄贤瀞

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一再分布结构；第一半导体器件，安装在第一再分布结构上；模制层，围绕第一半导体器件；第二再分布结构，设置在模制层和第一半导体器件上；多个竖直连接导体，在模制层中竖直地延伸，并将第一再分布图案电连接到第二再分布图案；第二半导体器件，安装在第二再分布结构上，第二半导体器件和第一半导体器件彼此竖直地部分重叠；散热焊盘结构，接触第一半导体器件的上表面；以及散热板，设置在散热焊盘结构上，并沿第一直线与第二半导体器件间隔开，该第一直线在与第一半导体器件的上表面平行的水平方向上延伸。

公开(公告)号：CN117423680A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310522363.0

申请日：2023-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文炅墩

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H10B80/00 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种具有半导体芯片之间的信号传输路径的半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括：第一重分布衬底；布置在第一重分布衬底上并且包括下芯片和上芯片的半导体芯片堆叠件；布置在第一重分布衬底上围绕半导体芯片堆叠件的贯通柱；以及布置在半导体芯片堆叠件和贯通柱上的第二重分布衬底。上芯片包括布置在集成电路层上的贯通电极，并且具有作为有源面且面向下芯片的前表面，以及作为无源面并且面向第二重分布衬底的背表面。

公开(公告)号：CN114649273A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111454605.4

申请日：2021-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明杉 ,  高永灿 ,  金廷锡 ,  文炅墩

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L23/64 ,  H01L23/538

Abstract: 一种半导体封装件包括其中设置有连接布线的支撑基板。至少一个电容器设置在支撑基板上。电容器具有从支撑基板的上表面暴露的第一电极和第二电极。再分布布线层覆盖支撑基板的上表面。再分布布线层具有分别与连接布线以及第一电极和第二电极电连接的再分布布线。半导体芯片设置在再分布布线层上。半导体芯片具有芯片焊盘和外连接器，芯片焊盘电连接到再分布布线，外连接器设置在支撑基板的下表面上并电连接到连接布线。