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公开(公告)号：CN119993948A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411516259.1
申请日：2024-10-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 星科金朋私人有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H05K1/18
Abstract: 半导体封装件包括：上封装件，其包括第一封装衬底、安装在第一封装衬底上的第一半导体芯片、以及围绕第一半导体芯片的第一模制层；印刷电路板(PCB)，在PCB上，上封装件安装在中心区域中；以及加强件，其位于PCB的顶表面上并且包括开口。PCB的顶表面在PCB的边缘区域的至少一部分中接触加强件的底表面。在PCB的中心区域中和在除PCB的边缘区域的至少一部分之外的边缘区域中，PCB的顶表面在竖直方向上与加强件的底表面间隔开，并且加强件的开口在竖直方向上与上封装件重叠。
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公开(公告)号：CN112151461B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202010272728.5
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H10D80/30 , H01L23/488 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 公开了一种半导体封装包括：重新分布结构，包括重新分布绝缘层和重新分布图案；第一半导体芯片，设置在重新分布绝缘层的第一表面上并电连接到重新分布图案；以及下电极焊盘，设置在重新分布绝缘层的与第一表面相对的第二表面上，下电极焊盘包括嵌入在重新分布绝缘层中的第一部分和从重新分布绝缘层的第二表面突出的第二部分，其中，下电极焊盘的第一部分的厚度大于下电极焊盘的第二部分的厚度。
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公开(公告)号：CN117320459A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310269766.9
申请日：2023-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/367
Abstract: 半导体封装包括缓冲器管芯。一个或多个第一半导体管芯堆叠在缓冲器管芯上，使得有源表面面向缓冲器管芯。第二半导体管芯堆叠在第一半导体管芯上。第二半导体管芯包括第一层和设置在第一层上的第二层。第一层包括第一半导体衬底。第一存储器块设置在第一半导体衬底上。第一穿透电极竖直穿透第一半导体衬底并连接到第一存储器块。第二层包括第二半导体衬底和设置在第二半导体衬底上的计算块。第一层和第二层具有彼此接触的有源表面。第一存储器块和计算块分别具有彼此接触的第一焊盘和第二焊盘。
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公开(公告)号：CN114068506A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110765738.7
申请日：2021-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一重新分布衬底；第一半导体芯片，其安装在第一重新分布衬底上；第一模制层，其位于第一重新分布衬底上，并且覆盖第一半导体芯片的顶表面和侧表面；第二重新分布衬底，其位于第一模制层上；以及粘合膜，其位于第二重新分布衬底与第一模制层之间。粘合膜与第一半导体芯片间隔开，并且覆盖第一模制层的顶表面。粘合膜的侧表面与第二重新分布衬底的侧表面共面。
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公开(公告)号：CN103531547B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201310282434.0
申请日：2013-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/488 , H01L21/58 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/13 , H01L23/49838 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15151 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 公开了半导体封装件及形成所述半导体封装件的方法。在所述半导体封装件和所述方法中，封装基板包括不与半导体芯片堆叠的孔。因此，可以在无空隙的情况下形成模制层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107275312A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710082929.7
申请日：2017-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/162 , H01L27/0802 , H01L27/0805 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2225/0651 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/00014 , H01L23/64 , H01L23/3128
Abstract: 提供了一种无源元件封装件和包括该无源元件封装件的半导体模块。所述无源元件封装件包括：第一基板；第一无源元件，设置在第一基板上；第二基板，设置在第一无源元件上；第二无源元件，设置在第二基板上；密封件，密封第一无源元件和第二无源元件。无源元件封装件可以减小包括无源元件封装件的半导体模块的尺寸。
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公开(公告)号：CN113270329A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110046610.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/498
Abstract: 公开了一种用于制造半导体封装件的方法，所述方法包括：在第一载体基底上形成剥离层，其中，剥离层包括第一部分和第二部分，其中，第一部分具有第一厚度，并且第二部分具有比第一厚度厚的第二厚度；在剥离层上形成阻挡层；在阻挡层上形成重新分布层，其中，重新分布层包括布线和绝缘层；将半导体芯片安装在重新分布层上；在重新分布层上形成模制层以至少部分地围绕半导体芯片；将第二载体基底附着到模制层上；去除第一载体基底和剥离层；去除阻挡层；以及将焊球附着到通过去除阻挡层与剥离层的第二部分而暴露的重新分布层上。
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公开(公告)号：CN106098931B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201610281200.8
申请日：2016-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一个实施例中，一种磁阻芯片封装件，所述磁阻芯片封装件包括：电路板；屏蔽体，其包括位于电路板上的屏蔽基底部件和从屏蔽基底部件的一侧延伸的屏蔽中间部件；磁阻芯片，其位于屏蔽基底部件上并且包括磁阻单元阵列；内部连接部件，其将磁阻芯片电连接至电路板；包封部件，其包封电路板上的磁阻芯片，并且所述包封部件的上表面高于磁阻芯片的上表面；以及屏蔽盖，其位于屏蔽中间部件上和包封部件上。
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公开(公告)号：CN106098931A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610281200.8
申请日：2016-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一个实施例中，一种磁阻芯片封装件，所述磁阻芯片封装件包括：电路板；屏蔽体，其包括位于电路板上的屏蔽基底部件和从屏蔽基底部件的一侧延伸的屏蔽中间部件；磁阻芯片，其位于屏蔽基底部件上并且包括磁阻单元阵列；内部连接部件，其将磁阻芯片电连接至电路板；包封部件，其包封电路板上的磁阻芯片，并且所述包封部件的上表面高于磁阻芯片的上表面；以及屏蔽盖，其位于屏蔽中间部件上和包封部件上。
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