公开(公告)号：CN117497492A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310433554.X

申请日：2023-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄贤净 ,  宋仁形 ,  李贤锡

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了封装件及其制造方法。该封装件包括：下衬底，其具有上焊盘；下芯片，其位于下衬底上；模制层，其位于下芯片和下衬底上；支柱，其延伸穿过模制层并围绕下部芯片设置在上焊盘上，支柱具有小于上焊盘的直径的直径；以及上衬底，其位于支柱和模制层上，上衬底包括具有大于支柱的直径的直径的下焊盘。

公开(公告)号：CN117476565A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310574727.X

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东奎 ,  金俊成 ,  李贤锡 ,  黄贤净

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 一种半导体封装件，包括：第一重分布衬底；半导体芯片，其设置在第一重分布衬底的顶表面上；导电结构，其设置在第一重分布衬底的顶表面上并且与半导体芯片间隔开；模塑层，其设置在第一重分布衬底上并且覆盖半导体芯片的侧表面和导电结构的侧表面；以及第二重分布衬底，其位于模塑层和导电结构上。导电结构包括设置在第一重分布衬底上的第一导电结构，以及设置在第一导电结构的顶表面上的第二导电结构。第二重分布衬底包括绝缘层。第二导电结构的顶表面的至少一部分与第二重分布衬底的绝缘层直接接触。

公开(公告)号：CN114068506A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110765738.7

申请日：2021-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄贤净 ,  石敬林 ,  李锡贤 ,  张在权

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一重新分布衬底；第一半导体芯片，其安装在第一重新分布衬底上；第一模制层，其位于第一重新分布衬底上，并且覆盖第一半导体芯片的顶表面和侧表面；第二重新分布衬底，其位于第一模制层上；以及粘合膜，其位于第二重新分布衬底与第一模制层之间。粘合膜与第一半导体芯片间隔开，并且覆盖第一模制层的顶表面。粘合膜的侧表面与第二重新分布衬底的侧表面共面。