公开(公告)号：CN111613538A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010025247.4

申请日：2020-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭桭 ,  金成焕 ,  朱昶垠 ,  权柒佑 ,  林荣奎 ,  李晟旭

IPC: H01L21/48

Abstract: 提供了一种制造半导体芯片的连接结构的方法和一种制造半导体封装件的方法。所述制造半导体芯片的连接结构的方法包括：准备半导体芯片，半导体芯片具有其上设置有连接垫的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且半导体芯片包括设置在第一表面上并覆盖连接垫的钝化层；在半导体芯片的第一表面上形成绝缘层，绝缘层覆盖钝化层的至少一部分；形成穿透绝缘层的通路孔以暴露钝化层的至少一部分；通过去除被通路孔暴露的钝化层来暴露连接垫的至少一部分；通过用导电材料填充通路孔来形成重新分布过孔；以及在重新分布过孔和绝缘层上形成重新分布层。

公开(公告)号：CN111834319B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202010181672.2

申请日：2020-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭桭 ,  金成焕 ,  朱昶垠 ,  权柒佑 ,  林荣奎 ,  李晟旭

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面的主体、设置在所述主体的所述第一表面上的连接垫和设置在所述连接垫上的扩展垫；以及连接结构，包括设置在所述半导体芯片的所述主体的所述第一表面上的绝缘层、贯穿所述绝缘层并且具有与所述扩展垫接触的一侧的重新分布过孔和设置在所述绝缘层上并且具有与所述重新分布过孔的另一侧接触的过孔垫的重新分布层，其中，所述半导体芯片的所述扩展垫的水平截面面积大于所述半导体芯片的所述连接垫的水平截面面积。

公开(公告)号：CN111341752A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201911240528.5

申请日：2019-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔大渊 ,  郑载穆 ,  金恩珍 ,  权柒佑

IPC: H01L23/498 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有连接垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上。所述连接结构包括：第一绝缘层；第一重新分布层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层。所述第一重新分布层具有一个或更多个开口。所述开口分别具有包括多个突起的形状，并且B/A为1.5或更小，其中，A表示所述第一重新分布层的厚度，并且B表示所述第二绝缘层的覆盖所述第一重新分布层的区域的厚度。

公开(公告)号：CN119447099A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410792332.1

申请日：2024-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明杉 ,  权柒佑 ,  朴玉敬

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装件包括：具有腔的陶瓷衬底；下再分布结构，其位于陶瓷衬底的下表面上并且电连接到陶瓷衬底；上再分布结构，其位于陶瓷衬底的上表面上并且电连接到陶瓷衬底；多个半导体芯片，其在上再分布结构上沿第一方向布置；以及桥接芯片结构，其位于陶瓷衬底的腔中并且包括将多个半导体芯片彼此电连接的桥接芯片。

公开(公告)号：CN111341752B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201911240528.5

申请日：2019-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔大渊 ,  郑载穆 ,  金恩珍 ,  权柒佑

IPC: H01L23/498 ,  H05K1/18

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有连接垫；包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及连接结构，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上。所述连接结构包括：第一绝缘层；第一重新分布层，设置在所述第一绝缘层上；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一重新分布层。所述第一重新分布层具有一个或更多个开口。所述开口分别具有包括多个突起的形状，并且B/A为1.5或更小，其中，A表示所述第一重新分布层的厚度，并且B表示所述第二绝缘层的覆盖所述第一重新分布层的区域的厚度。

公开(公告)号：CN111834319A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010181672.2

申请日：2020-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭桭 ,  金成焕 ,  朱昶垠 ,  权柒佑 ,  林荣奎 ,  李晟旭

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，包括具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面的主体、设置在所述主体的所述第一表面上的连接垫和设置在所述连接垫上的扩展垫；以及连接结构，包括设置在所述半导体芯片的所述主体的所述第一表面上的绝缘层、贯穿所述绝缘层并且具有与所述扩展垫接触的一侧的重新分布过孔和设置在所述绝缘层上并且具有与所述重新分布过孔的另一侧接触的过孔垫的重新分布层，其中，所述半导体芯片的所述扩展垫的水平截面面积大于所述半导体芯片的所述连接垫的水平截面面积。