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公开(公告)号：CN106853609A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201610070647.0
申请日：2016-02-01
Applicant: K.C.科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光装置及其方法，该装置包括：抛光头，以使晶片位于下侧的状态对晶片加压并使其旋转；垫高测定部，在化学机械抛光工序过程中，获取抛光垫的半径方向上的高度偏差；调节器，具有臂部和调节盘，臂部以铰链轴为中心旋回旋转规定角度，调节盘将抛光垫压向臂部的下侧并进行旋转；控制部，在第二位置上以第二旋回速度对臂部的旋回速度进行调节，第二位置上的抛光垫的高度高于第一位置上的高度，第二旋回速度小于第一旋回速度，由此，通过调节调节盘的旋回速度，能够缓和在抛光垫的不同位置上的高度偏差，因此，即便相同的施压力作用于晶片，根据抛光垫的高度偏差，摩擦力不同，从而能够按各区域调节晶片的每小时的抛光量。
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公开(公告)号：CN106625201A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201511021045.8
申请日：2015-12-30
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/34 , B24B37/005
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光装置，能够通过厚度传感器的偏移特性来准确地获得未歪曲的晶片抛光层的厚度，上述化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，在化学机械抛光工序中，与上述晶片的板表面相接触来进行加压；厚度传感器，向上述晶片施加信号，来获得上述晶片的厚度信息；控制部，在上述晶片不位于上述隔膜的底板的状态下，接收来自上述厚度传感器的第一输出信号之后，在使上述晶片位于上述隔膜的底板的状态下进行化学机械抛光工序的过程中，从上述厚度传感器接收第二输出信号，从而从上述第二输出信号减去上述第一输出信号的信号来获得上述晶片的厚度分布。
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公开(公告)号：CN106466807A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201511023760.5
申请日：2015-12-30
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/32 , B24B37/013 , B24B49/02 , B24B49/10
CPC classification number: B24B37/10 , B24B37/013 , B24B37/32 , B24B49/02 , B24B49/105
Abstract: 涉及化学机械抛光装置及方法，化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，具有挡圈，在化学机械抛光工序中与晶片的板表面相接触来进行加压，挡圈包括第一、第二部件，第一部件由导电材料形成，并在晶片周围形成具有不同高度的第一、第二台阶面，第二部件在第一部件的下侧由非导电性部件层叠而成，在化学机械抛光工序中与抛光垫接触；厚度传感器，向晶片施加涡流信号，来获得晶片厚度信息，控制部，从厚度传感器所接收的来自第一、第二台阶面的第二输出信号获得抛光垫的厚度信息，通过厚度传感器获得来自晶片的抛光层的第三输出信号，从第三输出信号中反映抛光垫的厚度信息，来获得晶片抛光层的厚度。
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公开(公告)号：CN102233542B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201110116264.X
申请日：2011-05-03
Applicant: 三星电子株式会社 , K.C.科技股份有限公司
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B37/345 , B24B37/30
Abstract: 本发明涉及一种化学机械研磨设备、方法及系统，该化学机械研磨系统包含：至少一个研磨压板，以可旋转方式予以安装，其中，压板垫装配于该至少一个研磨压板的上部表面上；导轨，沿着预定的路径予以安置；基板载体单元，包括用以在研磨程序期间向下按压基板的旋转式管套，该基板载体单元在装载有该基板时沿着该导轨移动；衔接单元，经安装以衔接至该基板载体单元，以便在该基板载体单元定位于该研磨压板上方时，将空气压力供应至向下按压由基板载体单元固持的基板的旋转式管套，因此，即使移动该基板载体单元以在该复数个研磨压板上连续地研磨该基板，该基板载体单元也实质上消除由该基板载体单元的移动所引起的空气压力供应管的扭转的现象。
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公开(公告)号：CN101298668B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810096081.4
申请日：2008-04-30
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种等离子体产生装置，其可以在所期望的位置混合源气体和活性气体。上述等离子体产生装置包括：等离子体产生单元；配置在等离子体产生单元下面的喷头，喷头与等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构，由上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，且上板结构和下板结构中的一个具有被上下贯穿的多个导管；活性气体供应单元，该活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，该源气体供应单元向喷头内部的源气体流动空间供应源气体。由此，可以在所期望的位置上顺利混合源气体和活性气体以提高等离子体的沉积效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101362123B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810131348.9
申请日：2008-08-06
Applicant: K.C.科技股份有限公司
Inventor： 赵康一
IPC: B05B15/02
Abstract: 本发明公开一种喷嘴清洗装置及清洗方法。所述喷嘴清洗装置包含：中间隔着狭缝喷嘴而相面对布置的一对清洗块，该清洗块具有对应于狭缝喷嘴宽度方向尺寸的长度；移动部件，以用于使相面对布置的所述一对清洗块朝相互接触或隔离的方向进退移动。本发明不仅对向基板上喷射药液的狭缝喷嘴具有清洗功能，而且同时起到在长期不使用狭缝喷嘴时防止狭缝喷嘴的喷口露在外部的密封部件的作用。
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公开(公告)号：CN101288865B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810092456.X
申请日：2008-04-11
Applicant: K.C.科技股份有限公司
Inventor： 赵康一
Abstract: 本发明公开一种狭缝式涂布机的涂布液供应装置，其包含：活塞；气缸，其形成插入活塞并使活塞在水平方向上进行往复运动的活塞滑行部，并形成在所述活塞滑行部末端朝上下方向扩张空间的扩管部。本发明中在狭缝喷嘴上部沿水平方向设置用于供应涂布液的泵，缩短了涂布液的供应路径，在解决了输出延迟引发的问题的同时可以实现泵容量的大型化，具有提高狭缝涂布机性能的效果。
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公开(公告)号：CN101078882B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710107441.1
申请日：2007-05-11
Applicant: K.C.科技股份有限公司
Inventor： 赵康一
IPC: G03F7/16 , G02F1/1333
CPC classification number: B05C11/00 , B05C5/0254
Abstract: 本发明涉及测量基板涂敷装置(Substrate Coating Apparatus)的狭缝喷嘴(Slit Nozzle)所喷出的光刻胶的横向喷射均匀度的装置及方法。依据本发明所提供的狭缝喷嘴的横向喷射均匀度测量装置包含具有与所述狭缝喷嘴的喷出口相对的检测面的多个流体压力测量单元，所述流体压力测量单元沿所述狭缝喷嘴的横向并排。
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公开(公告)号：CN101445918A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810181578.6
申请日：2008-11-27
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种用来在一个处理室内同时提供不同的源气来同时对多个衬底进行沉积薄膜过程的原子层沉积装置。上述原子层沉积装置包括将吹扫气体倾斜地喷射到衬底而分离供应不同源气的区域的喷头。喷头和基座中至少一个可以相对于对方进行旋转，且喷头能形成多个提供源气的喷射区域。随着喷头或基座的旋转，通过衬底按顺序经过喷射源气的区域可以在衬底上沉积薄膜。因此，可以提高薄膜沉积过程的效率、处理速度和薄膜质量。
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公开(公告)号：CN101369521A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810146151.2
申请日：2008-08-12
Applicant: K.C.科技股份有限公司
Inventor： 崔泰均
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种具有被构造成沉淀防止部分的大面积基底蚀刻设备以及一种防沉淀方法。该大面积基底蚀刻设备包括：蚀刻室，具有设置在一侧的入口部分，穿过入口部分输送基底，并在蚀刻室中蚀刻基底；沉淀防止部分，设置在入口部分处，并防止在蚀刻室中产生的烟雾在入口部分的内表面上沉积、干燥而产生沉淀。因此，能够防止因沉淀导致的基底损坏，并且能够平稳地执行制造工艺，从而提高了产率并降低了制造成本。
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