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公开(公告)号：CN101469412A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810184442.0
申请日：2008-12-24
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜沉积装置和其方法，其包括反应室，可以旋转地装载在上述反应室内且安装至少一个衬底的基座，装载在上述反应室的上部而将多个气体分别地提供给上述反应室内的气体供给单元，与提供上述多个气体的各个区域的边界相对应装载在上述基座上且具备排出周围气体的排气线的分离排气单元和对上述分离排气单元提供吸入力的真空抽气单元，其可以分离和排出源气和反应气体且通过减少粒子等不纯物的产生可以提高薄膜质量。
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公开(公告)号：CN101298668A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810096081.4
申请日：2008-04-30
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种等离子体产生装置，其可以在所期望的位置混合源气体和活性气体。上述等离子体产生装置包括：等离子体产生单元；配置在等离子体产生单元下面的喷头，喷头与等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构，由上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，且上板结构和下板结构中的一个具有被上下贯穿的多个导管；活性气体供应单元，该活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，该源气体供应单元向喷头内部的源气体流动空间供应源气体。由此，可以在所期望的位置上顺利混合源气体和活性气体以提高等离子体的沉积效率。
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公开(公告)号：CN101298668B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810096081.4
申请日：2008-04-30
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种等离子体产生装置，其可以在所期望的位置混合源气体和活性气体。上述等离子体产生装置包括：等离子体产生单元；配置在等离子体产生单元下面的喷头，喷头与等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构，由上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，且上板结构和下板结构中的一个具有被上下贯穿的多个导管；活性气体供应单元，该活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，该源气体供应单元向喷头内部的源气体流动空间供应源气体。由此，可以在所期望的位置上顺利混合源气体和活性气体以提高等离子体的沉积效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101445918A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810181578.6
申请日：2008-11-27
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种用来在一个处理室内同时提供不同的源气来同时对多个衬底进行沉积薄膜过程的原子层沉积装置。上述原子层沉积装置包括将吹扫气体倾斜地喷射到衬底而分离供应不同源气的区域的喷头。喷头和基座中至少一个可以相对于对方进行旋转，且喷头能形成多个提供源气的喷射区域。随着喷头或基座的旋转，通过衬底按顺序经过喷射源气的区域可以在衬底上沉积薄膜。因此，可以提高薄膜沉积过程的效率、处理速度和薄膜质量。
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公开(公告)号：CN101469412B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810184442.0
申请日：2008-12-24
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜沉积装置和其方法，其包括反应室，可以旋转地装载在上述反应室内且安装至少一个衬底的基座，装载在上述反应室的上部而将多个气体分别地提供给上述反应室内的气体供给单元，与提供上述多个气体的各个区域的边界相对应装载在上述基座上且具备排出周围气体的排气线的分离排气单元和对上述分离排气单元提供吸入力的真空抽气单元，其可以分离和排出源气和反应气体且通过减少粒子等不纯物的产生可以提高薄膜质量。
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公开(公告)号：CN101445918B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810181578.6
申请日：2008-11-27
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种用来在一个处理室内同时提供不同的源气来同时对多个衬底进行沉积薄膜过程的原子层沉积装置。上述原子层沉积装置包括将吹扫气体倾斜地喷射到衬底而分离供应不同源气的区域的喷头。喷头和基座中至少一个可以相对于对方进行旋转，且喷头能形成多个提供源气的喷射区域。随着喷头或基座的旋转，通过衬底按顺序经过喷射源气的区域可以在衬底上沉积薄膜。因此，可以提高薄膜沉积过程的效率、处理速度和薄膜质量。
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公开(公告)号：CN205122542U
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201520652693.2
申请日：2015-08-26
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , B24B37/10
Abstract: 本实用新型提供一种晶元处理装置，其涉及一种进行化学机械研磨工艺和清洗工艺的晶元处理装置，所述晶元处理装置包括化学机械研磨模块和清洗模块，所述化学机械研磨模块包括：第一研磨盘群，其为排列两个以上研磨盘的第一列；第二研磨盘群，其为与所述第一列隔离排列两个以上研磨盘的第二列，在所述第一研磨盘群和所述第二研磨盘群分别对晶元进行化学机械研磨工艺，所述清洗机模块包括：第一清洗机群，其为在所述化学机械研磨模块的一侧排列两个以上的清洗机而成的第三列；第二清洗机群，其为在所述化学机械研磨模块的一侧排列两个以上的清洗机而成的第四列。从而，所述晶元处理装置具有根据多种处理工艺能够进行不同选择的配置结构。
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公开(公告)号：CN205564714U
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201521052655.X
申请日：2015-08-26
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种晶元的多步骤清洗机，作为对完成化学机械研磨工艺的晶元依次进行清洗的装置，其特征在于，包括：第一清洗机，其对完成化学机械研磨工艺的晶元进行清洗；第二清洗机，其向所述晶元的表面提供有机溶剂，以去除晶元表面附着的有机异物；移送单元，其移动所述晶元。
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