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公开(公告)号：CN101298668A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810096081.4
申请日：2008-04-30
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种等离子体产生装置，其可以在所期望的位置混合源气体和活性气体。上述等离子体产生装置包括：等离子体产生单元；配置在等离子体产生单元下面的喷头，喷头与等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构，由上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，且上板结构和下板结构中的一个具有被上下贯穿的多个导管；活性气体供应单元，该活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，该源气体供应单元向喷头内部的源气体流动空间供应源气体。由此，可以在所期望的位置上顺利混合源气体和活性气体以提高等离子体的沉积效率。
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公开(公告)号：CN101298668B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810096081.4
申请日：2008-04-30
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种等离子体产生装置，其可以在所期望的位置混合源气体和活性气体。上述等离子体产生装置包括：等离子体产生单元；配置在等离子体产生单元下面的喷头，喷头与等离子体产生单元一起形成等离子体室，且包括上下结合的上板结构和包括多个源气体喷射口的下板结构，由上板结构和下板结构形成用于供应源气体的源气体流动空间，且上板结构和下板结构中的一个具有被上下贯穿的多个导管；活性气体供应单元，该活性气体供应单元向等离子体产生单元供应活性气体；和源气体供应单元，该源气体供应单元向喷头内部的源气体流动空间供应源气体。由此，可以在所期望的位置上顺利混合源气体和活性气体以提高等离子体的沉积效率。
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公开(公告)号：CN101445918A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810181578.6
申请日：2008-11-27
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种用来在一个处理室内同时提供不同的源气来同时对多个衬底进行沉积薄膜过程的原子层沉积装置。上述原子层沉积装置包括将吹扫气体倾斜地喷射到衬底而分离供应不同源气的区域的喷头。喷头和基座中至少一个可以相对于对方进行旋转，且喷头能形成多个提供源气的喷射区域。随着喷头或基座的旋转，通过衬底按顺序经过喷射源气的区域可以在衬底上沉积薄膜。因此，可以提高薄膜沉积过程的效率、处理速度和薄膜质量。
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公开(公告)号：CN101445918B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810181578.6
申请日：2008-11-27
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种用来在一个处理室内同时提供不同的源气来同时对多个衬底进行沉积薄膜过程的原子层沉积装置。上述原子层沉积装置包括将吹扫气体倾斜地喷射到衬底而分离供应不同源气的区域的喷头。喷头和基座中至少一个可以相对于对方进行旋转，且喷头能形成多个提供源气的喷射区域。随着喷头或基座的旋转，通过衬底按顺序经过喷射源气的区域可以在衬底上沉积薄膜。因此，可以提高薄膜沉积过程的效率、处理速度和薄膜质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1777346B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510125306.0
申请日：2005-11-15
Applicant: K.C.科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及等离子处理装置，更具体来说，涉及可提高等离子密度的均匀性，并可适用于最近基板大型化的趋势的等离子电极构造及其电极制造方法、电极冷却方法。另外，涉及利用上述等离子电极构造的等离子源及等离子处理装置、以及其控制方法。本发明的等离子源，其特征在于，具有多个单位电极单元和一对电极板，所述一对电极板使所述单位电极单元根据被处理物的宽度组装，从而被配置在所述被处理物上。另外，其特征在于，所述单位电极单元包含：单位电极板、形成在所述单位电极板上的电极、和形成在所述单位电极板的一个侧面的间隙槽。
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公开(公告)号：CN101469412A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810184442.0
申请日：2008-12-24
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜沉积装置和其方法，其包括反应室，可以旋转地装载在上述反应室内且安装至少一个衬底的基座，装载在上述反应室的上部而将多个气体分别地提供给上述反应室内的气体供给单元，与提供上述多个气体的各个区域的边界相对应装载在上述基座上且具备排出周围气体的排气线的分离排气单元和对上述分离排气单元提供吸入力的真空抽气单元，其可以分离和排出源气和反应气体且通过减少粒子等不纯物的产生可以提高薄膜质量。
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公开(公告)号：CN105525276A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510684207.X
申请日：2015-10-20
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45536 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 提供一种薄膜形成方法及原子层沉积装置。薄膜形成方法包括：使用含有硅的硅前驱体物质作为源气体；使用经等离子活化的氮气作为反应气体；使用氮气作为净化气体，并且按照所述源气体、所述净化气体、所述反应气体、所述净化气体的顺序来有序地提供气体，形成氮化硅膜(Si3N4)。
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公开(公告)号：CN101768731B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN200910265830.6
申请日：2009-12-28
Applicant: K.C.科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/45546 , H01L21/67742 , H01L21/67754 , H01L21/68771
Abstract: 本发明公开一种可以同时装载和卸载多个基板的原子层沉积装置。所述原子层装置在利用处理模块移动多个基板时可以将所述基板装载和卸载，其包括：装卸载模块，其用于装载和卸载基板；处理模块，其具备同时收纳多个基板执行沉积工程的多个处理室，并具备吸入所述处理室中央部分的排放气体向所述处理室上部排出的配备有排气器的气体喷射单元；和传送模块，其处于所述装卸载模块和所述处理模块之间移送所述基板，具备将多个基板同时拾取移送的传送机器人。
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公开(公告)号：CN101469412B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810184442.0
申请日：2008-12-24
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供了一种薄膜沉积装置和其方法，其包括反应室，可以旋转地装载在上述反应室内且安装至少一个衬底的基座，装载在上述反应室的上部而将多个气体分别地提供给上述反应室内的气体供给单元，与提供上述多个气体的各个区域的边界相对应装载在上述基座上且具备排出周围气体的排气线的分离排气单元和对上述分离排气单元提供吸入力的真空抽气单元，其可以分离和排出源气和反应气体且通过减少粒子等不纯物的产生可以提高薄膜质量。
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