公开(公告)号：CN1990124A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610110689.9

申请日：2006-08-08

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 尹勤植 ,  蔡熙成

IPC: B08B3/00 ,  B08B3/02 ,  B05B7/04

Abstract: 本发明涉及基片清洗用二流体喷射模块及利用该二流体喷射模块的基片清洗装置，所提供的基片清洗用二流体喷射模块包含：主体内部的用于接收干燥空气的第一接收部；所述主体内部的用于接收清洗液的第二接收部；喷射通道，该喷射通道一端与所述第一接收部连通，另一端露在所述主体外部，而侧方具有流入所述第二接收部的清洗液的混入口。依据本发明，由于向基片表面喷射混合而生成的均匀的二流体，因此大幅度提高基片的清洗效率。而且，由于本发明通过各种方式以最简单的结构进行制造，因此易于制造和维护。

公开(公告)号：CN106853609A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201610070647.0

申请日：2016-02-01

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 赵珳技 ,  蔡熙成

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明涉及化学机械抛光装置及其方法，该装置包括：抛光头，以使晶片位于下侧的状态对晶片加压并使其旋转；垫高测定部，在化学机械抛光工序过程中，获取抛光垫的半径方向上的高度偏差；调节器，具有臂部和调节盘，臂部以铰链轴为中心旋回旋转规定角度，调节盘将抛光垫压向臂部的下侧并进行旋转；控制部，在第二位置上以第二旋回速度对臂部的旋回速度进行调节，第二位置上的抛光垫的高度高于第一位置上的高度，第二旋回速度小于第一旋回速度，由此，通过调节调节盘的旋回速度，能够缓和在抛光垫的不同位置上的高度偏差，因此，即便相同的施压力作用于晶片，根据抛光垫的高度偏差，摩擦力不同，从而能够按各区域调节晶片的每小时的抛光量。

公开(公告)号：CN205069592U

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201520744503.X

申请日：2015-09-23

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 蔡熙成

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/34

Abstract: 本实用新型涉及一种化学机械研磨装置的调节器，其作为在化学机械研磨工艺中，对与晶元板面接触的研磨垫表面进行改质的化学机械研磨装置的调节器，其包括：臂，其从旋转中心延伸并进行往返旋回运动；调节单元，其与在所述臂的末端旋转驱动的驱动轴连动并进行旋转驱动，在底面把持调节盘并对所述研磨垫加压的同时对所述研磨垫表面进行微细切削；位移传感器，其测量所述调节盘的上下移动位移量；控制部，其从所述位移传感器感知根据所述调节盘的往返旋回运动路径的所述调节盘的高度变动量，并测量为所述研磨垫的高度偏差。因此，本实用新型能够更快更准确地计算出，为了缓和研磨垫表面高度偏差向调节盘施加的加压力，更加提高了缓和研磨垫高度偏差的平坦化效率。

公开(公告)号：CN204868552U

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201520276764.3

申请日：2015-04-30

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 蔡熙成 ,  金志郁

IPC: B24B53/017

Abstract: 本实用新型涉及一种化学机械抛光装置的调节器，其包括：臂部，从旋转中心延伸而进行往复旋转运动；调节单元，与在上述臂部的末端部进行旋转驱动的驱动轴相联动而旋转驱动，在底面握持有调节盘，一边向上述抛光垫施压，一边对上述抛光垫的表面进行微切削；以及磁铁，被设置成使磁力施加于抑制上述调节单元向重力方向移动的方向，通过借助上述磁铁的磁力而向与重力相反的方向抬起调节单元，从而以小于上述调节单元的自重的压力，对上述抛光垫进行精准控制加压来进行修整。