公开(公告)号：CN104241167A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410260488.1

申请日：2014-06-12

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 赵珳技 ,  孙准晧

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B1/04

CPC classification number: H01L21/67046 ,  A46B13/001 ,  B08B1/04

Abstract: 本发明公开了一种基板清洗装置及方法与基板清洗用清洗刷组件，作为一种伴随着与旋转的清洗刷相接触而清洗基板的表面的方法，该方法包括：基板清洗步骤，所述清洗刷的部分区域突出，仅所述清洗刷的突出区域与所述基板相接触，从而去除残留在所述基板的表面上的异物，根据本发明提供的基板清洗装置及方法，清洗刷的部分区域以沿径向突出的状态通过与基板的表面的相接触来进行清洗，通过突出区域的清洗刷以更高的摩擦力擦拭异物，来确保彻底去除残留在基板上的异物。

公开(公告)号：CN106853609A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201610070647.0

申请日：2016-02-01

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 赵珳技 ,  蔡熙成

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明涉及化学机械抛光装置及其方法，该装置包括：抛光头，以使晶片位于下侧的状态对晶片加压并使其旋转；垫高测定部，在化学机械抛光工序过程中，获取抛光垫的半径方向上的高度偏差；调节器，具有臂部和调节盘，臂部以铰链轴为中心旋回旋转规定角度，调节盘将抛光垫压向臂部的下侧并进行旋转；控制部，在第二位置上以第二旋回速度对臂部的旋回速度进行调节，第二位置上的抛光垫的高度高于第一位置上的高度，第二旋回速度小于第一旋回速度，由此，通过调节调节盘的旋回速度，能够缓和在抛光垫的不同位置上的高度偏差，因此，即便相同的施压力作用于晶片，根据抛光垫的高度偏差，摩擦力不同，从而能够按各区域调节晶片的每小时的抛光量。

公开(公告)号：CN104241167B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410260488.1

申请日：2014-06-12

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 赵珳技 ,  孙准晧

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B1/04

CPC classification number: H01L21/67046 ,  A46B13/001 ,  B08B1/04

Abstract: 本发明公开了一种基板清洗装置及方法与基板清洗用清洗刷组件，作为一种伴随着与旋转的清洗刷相接触而清洗基板的表面的方法，该方法包括：基板清洗步骤，所述清洗刷的部分区域突出，仅所述清洗刷的突出区域与所述基板相接触，从而去除残留在所述基板的表面上的异物，根据本发明提供的基板清洗装置及方法，清洗刷的部分区域以沿径向突出的状态通过与基板的表面的相接触来进行清洗，通过突出区域的清洗刷以更高的摩擦力擦拭异物，来确保彻底去除残留在基板上的异物。

公开(公告)号：CN206296791U

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201621247565.0

申请日：2016-11-18

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 赵珳技 ,  安俊镐 ,  崔光洛

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/20 ,  B24B37/34

Abstract: 本实用新型涉及一种化学机械研磨装置，其提供一种化学机械研磨装置，其包括：研磨平板，其上面覆盖有与晶元的所述研磨层接触的研磨垫，并进行自转；研磨头，其在化学机械研磨工艺中以将所述晶元设置于下侧的状态进行加压并旋转，并沿着具有所述研磨平板的半径方向成分的方向进行往返移动，所述往返移动路径沿着包括互不相同的第一方向和第二方向在内的两个以上的方向进行往返移动,通过使晶元的研磨面和用于供给研磨液而形成于研磨垫的槽的接触角和接触位置变化，晶元研磨面进行更为光滑且没有方向性的研磨工艺，从而可提高研磨品质，同时在化学机械研磨工艺中通过以较高的摩擦状态接触的晶元与研磨垫的摩擦接触，可解决向下加压晶元的研磨头的后方翘起的倾斜问题。

公开(公告)号：CN206541816U

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201621461472.8

申请日：2016-12-29

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 李气雨 ,  赵珳技

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型涉及一种基板移送装置及包括其的基板处理系统，对进行药液涂覆工艺处理的基板进行移送的基板移送装置包括：振动板，其利用通过超声波产生的振动能来使得基板悬浮；移送部件，其使得通过振动板悬浮的基板移送；偏差补偿部，其对悬浮的基板和移送部件之间的高度偏差进行补偿，据此可得到的效果在于，使得基板的悬浮高度及悬浮姿势保持一致。

公开(公告)号：CN206541806U

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201621349969.0

申请日：2016-12-09

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 权宁奎 ,  孙昞澈 ,  赵珳技 ,  安俊镐

IPC: H01L21/67

CPC classification number: B24B37/20 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

Abstract: 本实用新型涉及一种基板处理系统，基板处理系统包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；预备清洗区域，其设置于研磨部，并对执行研磨工艺的基板进行预备清洗(pre‑cleaning)；清洗部，其对在预备清洗区域得到预备清洗的基板进行清洗，从而有利效果在于，不降低工艺效率，并将在清洗工艺前残留于基板的异物最小化。

公开(公告)号：CN206537949U

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201621364504.2

申请日：2016-12-13

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 李气雨 ,  赵珳技

IPC: B65G49/06 ,  C03C17/00

Abstract: 本实用新型涉及一种基板移送装置以及包含其的基板处理系统与基板处理装置，所述基板移送装置对药液涂敷工艺得到处理的基板进行移送，其包括：基板移送部，其包括独立地被分割的多个悬浮部，并且将基板以悬浮的状态进行移送；控制部，其个别地对通过多个悬浮板而产生的悬浮力进行控制，据此，可得到的效果在于，在没有基板的偏转的状态下，使得基板平坦地悬浮，并提高药液的涂敷均匀性。