公开(公告)号：CN101369521A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810146151.2

申请日：2008-08-12

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 崔泰均

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种具有被构造成沉淀防止部分的大面积基底蚀刻设备以及一种防沉淀方法。该大面积基底蚀刻设备包括：蚀刻室，具有设置在一侧的入口部分，穿过入口部分输送基底，并在蚀刻室中蚀刻基底；沉淀防止部分，设置在入口部分处，并防止在蚀刻室中产生的烟雾在入口部分的内表面上沉积、干燥而产生沉淀。因此，能够防止因沉淀导致的基底损坏，并且能够平稳地执行制造工艺，从而提高了产率并降低了制造成本。

公开(公告)号：CN101369521B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200810146151.2

申请日：2008-08-12

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 崔泰均

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种具有被构造成沉淀防止部分的大面积基底蚀刻设备以及一种防沉淀方法。该大面积基底蚀刻设备包括：蚀刻室，具有设置在一侧的入口部分，穿过入口部分输送基底，并在蚀刻室中蚀刻基底；沉淀防止部分，设置在入口部分处，并防止在蚀刻室中产生的烟雾在入口部分的内表面上沉积、干燥而产生沉淀。因此，能够防止因沉淀导致的基底损坏，并且能够平稳地执行制造工艺，从而提高了产率并降低了制造成本。