公开(公告)号：CN106625201A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201511021045.8

申请日：2015-12-30

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金钟千 ,  任桦爀 ,  金旻成 ,  赵玟技

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005

Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光装置，能够通过厚度传感器的偏移特性来准确地获得未歪曲的晶片抛光层的厚度，上述化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，在化学机械抛光工序中，与上述晶片的板表面相接触来进行加压；厚度传感器，向上述晶片施加信号，来获得上述晶片的厚度信息；控制部，在上述晶片不位于上述隔膜的底板的状态下，接收来自上述厚度传感器的第一输出信号之后，在使上述晶片位于上述隔膜的底板的状态下进行化学机械抛光工序的过程中，从上述厚度传感器接收第二输出信号，从而从上述第二输出信号减去上述第一输出信号的信号来获得上述晶片的厚度分布。

公开(公告)号：CN106466807A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201511023760.5

申请日：2015-12-30

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金钟千 ,  金旻成 ,  任桦爀 ,  金志郁

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/32 ,  B24B37/013 ,  B24B49/02 ,  B24B49/10

CPC classification number: B24B37/10 ,  B24B37/013 ,  B24B37/32 ,  B24B49/02 ,  B24B49/105

Abstract: 涉及化学机械抛光装置及方法，化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，具有挡圈，在化学机械抛光工序中与晶片的板表面相接触来进行加压，挡圈包括第一、第二部件，第一部件由导电材料形成，并在晶片周围形成具有不同高度的第一、第二台阶面，第二部件在第一部件的下侧由非导电性部件层叠而成，在化学机械抛光工序中与抛光垫接触；厚度传感器，向晶片施加涡流信号，来获得晶片厚度信息，控制部，从厚度传感器所接收的来自第一、第二台阶面的第二输出信号获得抛光垫的厚度信息，通过厚度传感器获得来自晶片的抛光层的第三输出信号，从第三输出信号中反映抛光垫的厚度信息，来获得晶片抛光层的厚度。

公开(公告)号：CN106826533A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610039039.3

申请日：2016-01-20

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金钟千 ,  金旻成 ,  赵玟技

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/32 ,  B24B49/04 ,  B24B49/10

Abstract: 本发明涉及化学机械抛光装置，包括：抛光平板，在上表面覆盖有抛光垫并进行自转；抛光头，化学机械抛光工序中，与晶片的板表面相接触并施压，并且设有挡圈，挡圈包括第一部件和第二部件，第一部件形成于晶片的周围，第二部件形成于第一部件的下侧；厚度传感器，定位于抛光平板并与抛光垫一同旋转，向晶片施加涡流信号，并接收输出信号；以及控制部，在厚度传感器中以第一部件的位置为基准位置，获取从基准位置到晶片的抛光层所占的抛光层区域上的晶片的抛光层厚度，由于当厚度传感器通过第一部件时由厚度传感器所接收的输出信号的输出电压的大小发生剧烈变化，因此，可将输出电压的变化位置作为基准位置，由此检测出晶片抛光层的位置。

公开(公告)号：CN206536347U

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201620998256.0

申请日：2016-08-30

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金旻成 ,  金钟千

IPC: B24B37/005

Abstract: 本实用新型提供一种化学机械研磨装置，其作为一种进行研磨的化学机械研磨装置，包括：研磨平板，其以所述晶元的所述研磨层接触的研磨垫覆盖于其上面的形式进行自转；光传感器，其设置有光发送部与光接收部，所述光发送部将多个光信号照射至所述晶元的所述研磨层并形成点区域，所述光接收部接收光接收信号，所述光接收信号是在所述光发送部照射的光信号在所述研磨层反射的；控制部，其从在所述光接收部中接收的所述光接收信号得到所述晶元的研磨层厚度，并且通过第一光接收信号感知所述光传感器是否位于所述晶元的下侧，所述第一光接收信号是从作为所述光接收部中一部分的感知部得到的。

公开(公告)号：CN205021393U

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201520508997.1

申请日：2015-07-14

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 任桦爀 ,  金旻成 ,  董慜攝 ,  金钟千

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/015 ,  B24B57/02

Abstract: 本实用新型涉及化学机械抛光装置，上述化学机械抛光装置包括：抛光板，以与晶片的抛光面相接触的方式进行旋转，以对上述抛光面进行抛光；浆液供给部，在上述晶片以与上述抛光板相接触的方式进行抛光的工序中，供给浆液；以及温度调节单元，在向上述抛光板供给晶片之前，对上述晶片进行加热，由此，能够缩短每单位时间的抛光量保持较低状态的初始阶段所需的时间，因此，能够通过缩短化学机械抛光工序所需的整个时间来提高生产率，能够提供有利于使晶片抛光面的抛光量偏差较小的进行控制的环境。

公开(公告)号：CN206084732U

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201620868067.1

申请日：2016-08-11

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金钟千 ,  金旻成 ,  赵玟技

IPC: B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  B24B37/10

Abstract: 本实用新型涉及未形成气相沉积膜的裸晶片的研磨装置，提供一种裸晶片的研磨装置，包括：研磨垫；研磨头，其把所述裸晶片向下方加压；旋转驱动部，其使所述研磨垫与所述加压手段中任意一个以上旋转；光传感器，其向所述裸晶片的研磨面照射光信号，接收所述光信号从所述裸晶片反射的受光信号；控制部，其从所述光传感器接收的所述受光信号算出所述裸晶片的厚度，从而能够利用特定波段的光，从由在裸晶片的底面和上面反射的反射光构成的受光信号，在研磨工序中检测裸晶片的厚度。

公开(公告)号：CN205380555U

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201520776909.6

申请日：2015-10-08

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金钟千 ,  赵玟技

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34

Abstract: 涉及化学机械抛光装置，包括：抛光平板，上面被抛光垫覆盖；抛光头，形成有被多个隔壁分割的多个压力腔室，隔膜的底板位于压力腔室的下侧，通过调节压力腔室的压力，使位于底板下侧的晶片在被加压的状态下进行旋转；浆料供给部，向抛光垫和晶片中的至少一个供给浆料；第一传感器，检测晶片的厚度分布；以及控制部，对化学机械抛光工序进行控制，从而在执行使晶片的抛光面达到预定的第一抛光厚度为止的化学机械抛光工序期间，一边调节压力腔室的气压，一边执行化学机械抛光工序，以减少第一传感器检测的晶片的厚度偏差，当达到第一抛光厚度后，自第一抛光厚度到目标厚度为止，不执行减少晶片的厚度偏差的抛光厚度偏差调整，而仅执行抛光工序。