公开(公告)号：CN106826533A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610039039.3

申请日：2016-01-20

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金钟千 ,  金旻成 ,  赵玟技

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/32 ,  B24B49/04 ,  B24B49/10

Abstract: 本发明涉及化学机械抛光装置，包括：抛光平板，在上表面覆盖有抛光垫并进行自转；抛光头，化学机械抛光工序中，与晶片的板表面相接触并施压，并且设有挡圈，挡圈包括第一部件和第二部件，第一部件形成于晶片的周围，第二部件形成于第一部件的下侧；厚度传感器，定位于抛光平板并与抛光垫一同旋转，向晶片施加涡流信号，并接收输出信号；以及控制部，在厚度传感器中以第一部件的位置为基准位置，获取从基准位置到晶片的抛光层所占的抛光层区域上的晶片的抛光层厚度，由于当厚度传感器通过第一部件时由厚度传感器所接收的输出信号的输出电压的大小发生剧烈变化，因此，可将输出电压的变化位置作为基准位置，由此检测出晶片抛光层的位置。

公开(公告)号：CN106625201A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201511021045.8

申请日：2015-12-30

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金钟千 ,  任桦爀 ,  金旻成 ,  赵玟技

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005

Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光装置，能够通过厚度传感器的偏移特性来准确地获得未歪曲的晶片抛光层的厚度，上述化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，在化学机械抛光工序中，与上述晶片的板表面相接触来进行加压；厚度传感器，向上述晶片施加信号，来获得上述晶片的厚度信息；控制部，在上述晶片不位于上述隔膜的底板的状态下，接收来自上述厚度传感器的第一输出信号之后，在使上述晶片位于上述隔膜的底板的状态下进行化学机械抛光工序的过程中，从上述厚度传感器接收第二输出信号，从而从上述第二输出信号减去上述第一输出信号的信号来获得上述晶片的厚度分布。

公开(公告)号：CN106466807A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201511023760.5

申请日：2015-12-30

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金钟千 ,  金旻成 ,  任桦爀 ,  金志郁

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/32 ,  B24B37/013 ,  B24B49/02 ,  B24B49/10

CPC classification number: B24B37/10 ,  B24B37/013 ,  B24B37/32 ,  B24B49/02 ,  B24B49/105

Abstract: 涉及化学机械抛光装置及方法，化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，具有挡圈，在化学机械抛光工序中与晶片的板表面相接触来进行加压，挡圈包括第一、第二部件，第一部件由导电材料形成，并在晶片周围形成具有不同高度的第一、第二台阶面，第二部件在第一部件的下侧由非导电性部件层叠而成，在化学机械抛光工序中与抛光垫接触；厚度传感器，向晶片施加涡流信号，来获得晶片厚度信息，控制部，从厚度传感器所接收的来自第一、第二台阶面的第二输出信号获得抛光垫的厚度信息，通过厚度传感器获得来自晶片的抛光层的第三输出信号，从第三输出信号中反映抛光垫的厚度信息，来获得晶片抛光层的厚度。

公开(公告)号：CN205465666U

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201520776912.8

申请日：2015-10-08

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金旻成 ,  任桦爀 ,  董慜摄

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34

Abstract: 涉及一种化学机械抛光装置，包括：抛光平板，上部面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，向抛光垫加压晶片，并进行旋转；第一传感器，设置在抛光平板上，与抛光平板一同旋转，当经过晶片的下侧时，接收包含晶片抛光层厚度信息的输出信号；传感器旋转位置检测部，检测与抛光平板一同旋转的第一传感器的旋转位置；晶片旋转位置检测部，检测晶片的旋转位置；控制部，计算出与第一传感器通过晶片下侧的轨迹对应的晶片的抛光层厚度，第一传感器通过晶片下侧的轨迹是由传感器旋转位置检测部和晶片旋转位置检测部来检测的。

公开(公告)号：CN206084732U

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201620868067.1

申请日：2016-08-11

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金钟千 ,  金旻成 ,  赵玟技

IPC: B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  B24B37/10

Abstract: 本实用新型涉及未形成气相沉积膜的裸晶片的研磨装置，提供一种裸晶片的研磨装置，包括：研磨垫；研磨头，其把所述裸晶片向下方加压；旋转驱动部，其使所述研磨垫与所述加压手段中任意一个以上旋转；光传感器，其向所述裸晶片的研磨面照射光信号，接收所述光信号从所述裸晶片反射的受光信号；控制部，其从所述光传感器接收的所述受光信号算出所述裸晶片的厚度，从而能够利用特定波段的光，从由在裸晶片的底面和上面反射的反射光构成的受光信号，在研磨工序中检测裸晶片的厚度。

公开(公告)号：CN206536347U

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201620998256.0

申请日：2016-08-30

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金旻成 ,  金钟千

IPC: B24B37/005

Abstract: 本实用新型提供一种化学机械研磨装置，其作为一种进行研磨的化学机械研磨装置，包括：研磨平板，其以所述晶元的所述研磨层接触的研磨垫覆盖于其上面的形式进行自转；光传感器，其设置有光发送部与光接收部，所述光发送部将多个光信号照射至所述晶元的所述研磨层并形成点区域，所述光接收部接收光接收信号，所述光接收信号是在所述光发送部照射的光信号在所述研磨层反射的；控制部，其从在所述光接收部中接收的所述光接收信号得到所述晶元的研磨层厚度，并且通过第一光接收信号感知所述光传感器是否位于所述晶元的下侧，所述第一光接收信号是从作为所述光接收部中一部分的感知部得到的。

公开(公告)号：CN205009026U

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201520770916.5

申请日：2015-09-30

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金旻成 ,  任桦爀 ,  董慜摄

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/10

Abstract: 本实用新型涉及一种化学机械抛光装置，为了制作多个元件，对隔着间隔配置上述元件的晶片的抛光层进行抛光，包括：抛光平板，上述抛光平板的上表面覆盖有抛光垫并进行自转，上述抛光垫与上述晶片的上述抛光层相接触；以及光传感器，向上述晶片的抛光面照射光，从而检测上述晶片的抛光层的厚度，上述光的斑点大小的直径大于上述元件的宽度和长度中的至少一个，由此，从以扩大的面积向抛光层入射而反射的受光信号准确地检测抛光层的厚度。

公开(公告)号：CN205237796U

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201520606208.8

申请日：2015-08-12

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金旻成 ,  任桦爀

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  G01B21/08

Abstract: 本实用新型涉及一种化学机械研磨装置，包括：研磨盘，其上面覆盖有研磨垫并进行自转；研磨头，其将晶元加压至研磨垫并旋转；调质器，其以用旋转的调质盘与研磨垫的表面接触的状态，对研磨垫的表面进行改质；传感器，其对接收信号进行接收，接收信号包括厚度和距离中任意一个以上的信号成分；控制部，其将根据从第一接收信号的研磨垫的垫厚度变化的信号成分反映至第二接收信号，从而对晶元的研磨层厚度进行感知，传感器在调质盘的下侧接收第一接收信号，在晶元的下侧接收第二接收信号。从而可反映研磨垫厚度变动，并对最终得到的研磨层厚度或研磨层厚度变动量进行更为正确地测定。

公开(公告)号：CN205021393U

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201520508997.1

申请日：2015-07-14

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 任桦爀 ,  金旻成 ,  董慜攝 ,  金钟千

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/015 ,  B24B57/02

Abstract: 本实用新型涉及化学机械抛光装置，上述化学机械抛光装置包括：抛光板，以与晶片的抛光面相接触的方式进行旋转，以对上述抛光面进行抛光；浆液供给部，在上述晶片以与上述抛光板相接触的方式进行抛光的工序中，供给浆液；以及温度调节单元，在向上述抛光板供给晶片之前，对上述晶片进行加热，由此，能够缩短每单位时间的抛光量保持较低状态的初始阶段所需的时间，因此，能够通过缩短化学机械抛光工序所需的整个时间来提高生产率，能够提供有利于使晶片抛光面的抛光量偏差较小的进行控制的环境。

公开(公告)号：CN205166654U

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201520776913.2

申请日：2015-10-08

Applicant: K.C.科技股份有限公司

Inventor： 金旻成 ,  任桦爀

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005

Abstract: 一种化学机械抛光装置，包括：抛光平板，抛光平板的上表面被抛光垫覆盖并进行自转；抛光头，在化学机械抛光工序中，一边向抛光垫加压晶片，一边进行旋转，并向抛光垫的具有半径方向成分的方向进行往复移动；传感器，固定在抛光平板，与抛光平板一同旋转，并接收具有晶片的抛光层的厚度信息的接收信号；传感器位置检测单元，检测固定在抛光平板的传感器的旋转位置；控制部，在从传感器位于晶片的底面起接收的第一接收信号的发生位置，检测抛光垫上的晶片的位置，并从所述晶片的检测位置，检测对于晶片的检测轨迹，测定检测轨迹中的晶片的抛光层的厚度，其中，对于晶片的检测轨迹与从传感器接收的第一接收信号对应。