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公开(公告)号：CN106625201A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201511021045.8
申请日：2015-12-30
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/34 , B24B37/005
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光装置，能够通过厚度传感器的偏移特性来准确地获得未歪曲的晶片抛光层的厚度，上述化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，在化学机械抛光工序中，与上述晶片的板表面相接触来进行加压；厚度传感器，向上述晶片施加信号，来获得上述晶片的厚度信息；控制部，在上述晶片不位于上述隔膜的底板的状态下，接收来自上述厚度传感器的第一输出信号之后，在使上述晶片位于上述隔膜的底板的状态下进行化学机械抛光工序的过程中，从上述厚度传感器接收第二输出信号，从而从上述第二输出信号减去上述第一输出信号的信号来获得上述晶片的厚度分布。
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公开(公告)号：CN106826533A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610039039.3
申请日：2016-01-20
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/32 , B24B49/04 , B24B49/10
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光装置，包括：抛光平板，在上表面覆盖有抛光垫并进行自转；抛光头，化学机械抛光工序中，与晶片的板表面相接触并施压，并且设有挡圈，挡圈包括第一部件和第二部件，第一部件形成于晶片的周围，第二部件形成于第一部件的下侧；厚度传感器，定位于抛光平板并与抛光垫一同旋转，向晶片施加涡流信号，并接收输出信号；以及控制部，在厚度传感器中以第一部件的位置为基准位置，获取从基准位置到晶片的抛光层所占的抛光层区域上的晶片的抛光层厚度，由于当厚度传感器通过第一部件时由厚度传感器所接收的输出信号的输出电压的大小发生剧烈变化，因此，可将输出电压的变化位置作为基准位置，由此检测出晶片抛光层的位置。
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公开(公告)号：CN205271697U
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201520599387.7
申请日：2015-08-10
Applicant: K.C.科技股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种化学机械研磨装置及用于该装置的研磨板组装体，用于研磨晶片的表面，其特征在于，包括：承载头，其以使晶片位于一个地点的状态，在对晶片向下加压的同时进行旋转驱动；研磨板，其进行旋转驱动；第一研磨垫，其安装于所述研磨板，在化学机械研磨工序中与位于所述承载头底面的所述晶片的边缘末端的部分相接触；第二研磨垫，其安装于所述研磨板，在化学机械研磨工序中与位于所述承载头底面的所述晶片的另一部分相接触，且由比所述第一研磨垫更硬质材料形成，在晶片边缘与研磨垫贴紧的状态下，能够提高晶片边缘的单位时间的研磨量。
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公开(公告)号：CN204927248U
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201520401849.X
申请日：2015-06-11
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677
Abstract: 本实用新型涉及能够执行多种处理工序的晶片处理系统，本实用新型提供的晶片处理系统，包括：晶片载体，以保持晶片的状态沿着指定的第一路径和第二路径中的至少一个路径移动；第一处理平板，配置于上述第一路径上；以及第二处理平板，配置于上述第二路径上，针对借助上述晶片载体搬运的上述晶片，在上述第一处理平板和上述第二处理平板中的至少一个上执行处理工序，由此可以连续地向处理平板供给晶片载体，从而以高的单位时间效率执行处理工序。
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公开(公告)号：CN204954603U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520543473.6
申请日：2015-07-24
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: B24B37/34
Abstract: 本实用新型涉及化学机械抛光装置用承载头的隔膜，包括：底板，对晶片的板面进行施压；侧面，从底板的边缘向上侧折弯而成；以及固定片，包括多个垂直延伸部和水平延伸部，上述多个垂直延伸部在上述侧面和上述底板的中心之间以环形向上延伸而成，上述水平延伸部从多个垂直延伸部的上端部水平延伸，上述水平延伸部与承载头的本体部相结合，并在上述底板和上述本体部之间形成多个压力腔室，水平延伸部从底板的中心越远则形成得越长，其以变得更长的水平延伸部的变低的上下方向的弯曲位移来收容由于水平延伸部和垂直延伸部之间的连接部的圆周方向的周长变长而变高的弯曲刚性，从而可分别减少每个固定片与隔膜底板相连接的部分的应力变动幅度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204819116U
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201520378625.1
申请日：2015-06-03
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B57/02 , B24B37/005
Abstract: 本实用新型涉及一种化学机械抛光装置，在晶片与抛光垫相接触的状态下执行化学机械抛光工序，其特征在于，包括：抛光板，其以上面附着有抛光垫的状态进行自转；抛光头，施压的同时进行旋转，所述施压使得晶片的工序面与所述抛光垫相接触；浆液供给部，向从所述抛光垫的旋转中心往半径方向相隔不同距离的多个位置供给浆液，且具备有浆液供给口，向在所述抛光垫上对应于晶片所处区域的所述抛光垫的半径方向位置供给浆液，从而向抛光垫的多个半径方向上的位置供给浆液，由此可以实现向晶片的抛光层均匀地，按所希望的份量供给浆液，从而提供可以提高晶片的化学抛光效果的化学机械抛光装置。
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公开(公告)号：CN204706549U
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201520277193.5
申请日：2015-04-30
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/02
Abstract: 本实用新型涉及基板旋转装置的接触支撑体，其包括：内侧支撑体，配置在向垂直方向延伸并旋转驱动的旋转轴的上侧，并在中央部形成有用于使紧固螺丝贯通的贯通孔，从而借助紧固螺丝与上述旋转轴结合成一体，上述内侧支撑体由塑料和树脂中的任意一种以上的材料形成；以及外侧支撑体，以包围上述内侧支撑体的圆周外围的方式形成，并由硬度低于上述内侧支撑体的可挠性材质形成，在上述外侧支撑体的圆周面上形成有用于收容上述基板的边缘的凹槽，在上述凹槽的下侧形成有向下斜面，本实用新型的基板旋转装置的接触支撑体与基板的边缘保持高的摩擦特性，从而能够与使基板旋转驱动的接触支撑体无滑动地实现旋转驱动。
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公开(公告)号：CN204668283U
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201520390498.7
申请日：2015-06-08
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/304
Abstract: 本实用新型涉及晶片处理装置，其包括：支架，使晶片以被放置的状态旋转；喷嘴，用于向上述晶片的表面喷射清洗液和漂洗液中的一种以上的流体；以及喷嘴调节部，用于调节上述喷嘴的喷射方向、喷射高度、喷射压力及移动速度中的一个以上，由此，提供提高上述晶片处理装置的每小时晶片的处理效率的晶片处理装置。
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公开(公告)号：CN206084732U
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201620868067.1
申请日：2016-08-11
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B49/12 , B24B37/10
Abstract: 本实用新型涉及未形成气相沉积膜的裸晶片的研磨装置，提供一种裸晶片的研磨装置，包括：研磨垫；研磨头，其把所述裸晶片向下方加压；旋转驱动部，其使所述研磨垫与所述加压手段中任意一个以上旋转；光传感器，其向所述裸晶片的研磨面照射光信号，接收所述光信号从所述裸晶片反射的受光信号；控制部，其从所述光传感器接收的所述受光信号算出所述裸晶片的厚度，从而能够利用特定波段的光，从由在裸晶片的底面和上面反射的反射光构成的受光信号，在研磨工序中检测裸晶片的厚度。
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公开(公告)号：CN205380555U
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201520776909.6
申请日：2015-10-08
Applicant: K.C.科技股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/34
Abstract: 涉及化学机械抛光装置，包括：抛光平板，上面被抛光垫覆盖；抛光头，形成有被多个隔壁分割的多个压力腔室，隔膜的底板位于压力腔室的下侧，通过调节压力腔室的压力，使位于底板下侧的晶片在被加压的状态下进行旋转；浆料供给部，向抛光垫和晶片中的至少一个供给浆料；第一传感器，检测晶片的厚度分布；以及控制部，对化学机械抛光工序进行控制，从而在执行使晶片的抛光面达到预定的第一抛光厚度为止的化学机械抛光工序期间，一边调节压力腔室的气压，一边执行化学机械抛光工序，以减少第一传感器检测的晶片的厚度偏差，当达到第一抛光厚度后，自第一抛光厚度到目标厚度为止，不执行减少晶片的厚度偏差的抛光厚度偏差调整，而仅执行抛光工序。
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