公开(公告)号：CN101853812B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200910168187.5

申请日：2009-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王文德 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  庄俊杰 ,  林政贤

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明提供一种图像感测装置及其制造方法，上述图像感测装置的制造方法包括提供一装置基板，其具有一前侧和一后侧；于上述装置基板中形成一第一辐射线感测区和一第二辐射线感测区，上述第一辐射线感测区和上述第二辐射线感测区以一隔绝结构隔开；于上述装置基板的上述后侧上方形成一透明层；于上述透明层中形成一开口，上述开口对准上述隔绝结构；利用一不透明材料填入上述开口。本发明可以降低图像感测装置中的光学串扰，提高图像感测装置的性能。

公开(公告)号：CN103579264A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310042268.7

申请日：2013-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  庄俊杰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14696

Abstract: 本发明公开了一种用于制造3D图像传感器结构的系统和方法。所述方法包括在衬底上提供具有背照式光敏区的图像传感器，将第一介电层施加到所述衬底的与收集图像数据的衬底侧相对的第一侧，将可选为多晶硅的半导体层施加到所述第一介电层。至少一个控制晶体管可制造在所述半导体层内的第一介电层上，并且可选为行选择、复位或源极跟随器晶体管。将金属间介电层施加在所述第一介电层上方，以及可具有设置在其中的至少一个金属互连件。可将第二层间介电层设置在控制晶体管上。可通过将晶圆接合到所述衬底或通过沉积来施加所述介电层以及半导体层。

公开(公告)号：CN103456750A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210514992.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  万孟勋 ,  王子睿 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/18 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及了一种器件，包括位于其中的图像传感器的第一芯片，以及与该第一芯片相接合的第二芯片。第二芯片包括从基本上由复位晶体管、选择器、行选择器及其组合构成的组中选出来的逻辑器件。该逻辑器件和图像传感器相互电连接，并且是相同的像素单元的部分。本发明还提供了一种具有高占空因数的图像传感器。

公开(公告)号：CN103378112A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210536910.2

申请日：2012-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  蔡双吉

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供了减少光敏二极管之间的串扰的系统和方法。在实施例中，第一滤色器在第一光敏二极管上方形成而第二滤色器在第二光敏二极管上方形成，间隙在第一滤色器和第二滤色器之间形成。间隙将起到反射光的作用，否则光将从第一滤色器跨越到第二滤色器，从而减少第一光敏二极管和第二光敏二极管之间的串扰。也可以在第一光敏二极管和第二光敏二极管之间形成反射栅格以协助反射并进一步减少串扰量。本发明还提供了图像传感器器件和方法。

公开(公告)号：CN103378109A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210272395.1

申请日：2012-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  陈思莹 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种背照式图像传感器包括光电二极管以及位于第一芯片中的第一晶体管，其中，第一晶体管电耦合至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括在第二芯片中形成的第二晶体管以及在第三芯片中形成的多个逻辑电路，其中，第二芯片堆叠在第一芯片上并且第三芯片堆叠在第二芯片上。逻辑电路、第二晶体管和第一晶体管通过多个接合焊盘和通孔相互耦合。本发明还提供了用于垂直集成的背照式图像传感器的装置。

公开(公告)号：CN101924113B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201010156924.2

申请日：2010-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  庄俊杰 ,  简荣亮

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种图像传感器及半导体制造工艺。本发明实施例关于双重浅沟槽隔离。在关于互补式金属-氧化物-半导体图像传感器技术的不同实施例中，双重STI表示一STI结构位于像素区，而另一STI结构位于周边或逻辑区。每一STI结构的深度取决于每一区中装置的需求及/或隔离容限。在一实施例中，像素区采用NMOS装置且此区的STI结构浅于周边区的STI结构，周边区采用NMOS装置及PMOS装置，具有P型及N型阱且需要更佳防护的隔离(即，较深的STI)。取决于实施方式，本发明不同方法实施例可采用不同数量的掩模层(例如，二或三个)来制作双重STI。本发明可以降低暗电流漏电，因而改善暗信号效能。

公开(公告)号：CN102237383B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201010535484.1

申请日：2010-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  杜友伦 ,  刘人诚 ,  周耕宇 ,  王从建

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/1872 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明实施例提供一种图像感测元件及其制作方法，该元件包括：一基底，具有一前侧及一背侧；一光线感测元件，形成于该基底中，该光线感测元件用以检测通过该背侧进入该基底的一光波；以及一再结晶硅层，形成于该基底的该背侧上，该再结晶硅层具有与该基底的光激发荧光强度不同的光激发荧光强度。本发明可减少暗电流及白像素。

公开(公告)号：CN102074564B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201010283441.9

申请日：2010-09-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘人诚 ,  杨敦年 ,  郭正铮 ,  陈承先 ,  伍寿国

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L24/12 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种用于CMOS图像传感器的结合处理。本发明还提供了一种制造集成电路(IC)的方法。该方法包括：在衬底的前侧上形成电器件；在衬底的前侧上形成顶部金属焊盘，该顶部金属焊盘连接至电器件；在衬底的前侧上形成钝化层，顶部金属焊盘被嵌入钝化层中；在钝化层中形成开口，使顶部金属焊盘暴露；在衬底中形成深沟槽；将导电材料填充在深沟槽和开口中，得到深沟槽中的晶圆通孔(TWV)部件和开口中的焊盘-TWV部件，其中，顶部金属焊盘通过焊盘-TWV部件连接至TWV部件；以及进行抛光处理以去除多余的导电材料，形成基本平坦的表面。

公开(公告)号：CN102867832A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210010832.2

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  林政贤 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  林月秋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体结构的一个实施例。该半导体结构包括具有正面和背面的器件衬底、被设置在该器件衬底正面上的互连结构、以及与该互连结构相连接的接合焊盘。接合焊盘包括位于介电材料层中的凹陷区域、介于凹陷区域之间的介电材料层的介电台、以及被设置在凹陷区域中和介电台上的金属层。本发明还提供了一种具有接合焊盘结构的背照式传感器及其制造方法。

公开(公告)号：CN102034843B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010503787.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘汉琦 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  刘源鸿

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成具有一开口的一保护层；通过开口而在一基底区内注入一掺杂物，该保护层保护不同的基底区；以及缩减保护层的厚度。一不同的型态包括：蚀刻一基底，以在其内形成一凹口；通过位于基底上方的一保护层内的一开口，在凹口内的一基底区注入一掺杂物；以及缩减保护层的厚度。另一型态包括：在一基底上形成一保护层；在保护层上方形成具有一开口的光致抗蚀剂；通过开口来蚀刻保护层，以露出基底；蚀刻基底，以在基底内形成一凹口；在一基底部注入一掺杂物，而保护层保护位于其下方一不同的基底部；以及蚀刻保护层以缩减其厚度。本发明使得易于进行掺杂物的注入。