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公开(公告)号：CN103576462A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210250473.8
申请日：2012-07-19
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种用于对背面湿法腐蚀后的晶片的正面进行光刻方法，属于半导体制造的光刻技术领域。该光刻方法包括步骤：提供背面湿法腐蚀后的晶片；在所述晶片的背面上贴膜；将所述晶片的背面相向地置于光刻机的载片台上固定；以及在所述晶圆的正面上完成正面光刻。本发明的光刻方法简单、成本低，并且能有效提高该晶片的正面光刻的精确度。
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公开(公告)号：CN102486987B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201010568456.X
申请日：2010-12-01
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种刻蚀方法和系统，该方法包括：主刻蚀停止后，判断所述主刻蚀停止时是否捕捉到了刻蚀停止点，如果否，进入过刻蚀步骤继续捕捉刻蚀停止点，所述过刻蚀步骤在达到预设的最大过刻蚀时间时，以及捕捉到刻蚀停止点之后，再经过了正常的过刻蚀时间时自动停止；所述过刻蚀停止后，判断所述过刻蚀停止前是否捕捉到了刻蚀停止点，如果是，根据刻蚀厚度和最大主刻蚀时间，得出最大主刻蚀时间的修正值；采用所述最大主刻蚀时间的修正值进行下一次刻蚀过程。本发明实施例通过引入判断机制以及时间反馈机制，通过控制刻蚀设备的刻蚀方式，避免了现有技术中因过早的停止主刻蚀，而导致的过刻蚀之后的刻蚀残留以及器件CD偏大等问题。
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公开(公告)号：CN102465587B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010545775.9
申请日：2010-11-16
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 孙景艳
Abstract: 本发明涉及一种建筑防火门墙的对接装置及方法，该装置用于连通建筑防火门墙两侧的已安装高架地板，所述设置在地面的两建筑防火门墙之间具有伸缩缝，包括对接地板和用于托起对接地板的支撑机构；所述对接地板在支撑机构的支撑下用于与两侧的已安装高架地板进行水平对接。本发明对接地板与已安装高架地板水平对接，处于同一水平面，对接地板和已安装高架地板之间不存在高度差，从而使得推车在经过建筑防火门墙处时能够平稳经过，不发生振动，保证了圆片的安全。
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公开(公告)号：CN102386211B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010269279.5
申请日：2010-08-31
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42368 , H01L29/1087 , H01L29/7835
Abstract: 一种LDMOS器件，包括源区，栅极区，漏区，体区以及掺杂类型与体区相反的漂移区，体区在衬底区之上，漂移区在漏区和体区之间。LDMOS器件还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层位于漂移区之上，栅极区之下。采用本发明的结构，可以提高器件的击穿电压，有利于降低导通电阻，使器件的功耗降低。并且在调整制造过程中，调整绝缘介质层和漂移区的结深对其他器件的较小。
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公开(公告)号：CN102373445B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010263325.0
申请日：2010-08-25
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种化学气相淀积反应腔中漏率的监控方法，将自动测漏步骤加入到化学气相淀积跑片过程的氢氟酸清洗步骤中。采用该方法进行化学气相淀积反应腔中漏率的监测，可以做到实时监测，减少在机台异常情况下制造产品的状况发生，一旦有问题可以报警并及时解决；并且将漏率监测植入到正常的产品制造流程之中，对机台的可服务时间没有影响；同时，采用此方法，在机台做完漏率监测步骤之后可以直接执行后续的开启等离子体等步骤，可以避免手动测漏，机台反应腔降温而死机。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103426924A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210147143.6
申请日：2012-05-14
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0878 , H01L29/66734
Abstract: 本发明提供一种沟槽型功率MOSFET及其制备方法，属于沟槽型功率MOSFET技术领域。该制备方法包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上生长形成第一漂移区；对所述第一漂移区构图刻蚀形成第二沟槽；在所述第二沟槽中外延生长半导体层以形成部分地填充所述第二沟槽底部的第二漂移区，并且，所述第二漂移区的掺杂浓度高于所述第一漂移区的掺杂浓度；以及在所述第二漂移区上方、所述第二沟槽内形成栅沟槽结构。该制备方法过程简单可靠，通过该方法制备形成的沟槽型功率MOSFET的导通电阻小。
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公开(公告)号：CN103424998A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210159883.1
申请日：2012-05-21
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种微电机系统制造工艺中聚酰亚胺刻蚀后去除光刻胶的方法，包括下列步骤：采用干法去胶机台在顶针顶起状态下对圆片的光刻胶表面进行预处理，包括用等离子体对所述光刻胶表面进行轰击；对所述光刻胶进行湿法去胶。本发明首先在Pin up对光刻胶表面进行预处理，然后进行湿法去胶。由于Pin up状态反应相对不剧烈，因此不至于造成聚酰亚胺被一同去除。另外进行过预处理后，在湿法去胶工序中光刻胶就很容易被去掉，因此去胶会很干净，为产品在聚酰亚胺刻蚀后的膜生长提供良好的条件，保障了产品的性能，并降低了去胶的返工率，提升了产能。且不再需要频繁对去胶液进行换液，提高了正性去胶液的利用率。
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公开(公告)号：CN103390647A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210142749.0
申请日：2012-05-10
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L23/4824 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/07 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L29/7835 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种功率MOS器件结构，包括多个LDMOS基本单元和多个焊接垫；所述多个LDMOS基本单元并联，并与所述多个焊接垫通过金属电连接，以引出所述多个LDMOS基本单元的栅端、源端、漏端及衬底；其中，所述多个焊接垫正下方设有LDMOS基本单元；所述多个焊接垫包括厚度为3.5um至4.5um、线宽为1.5um至2.5um的单层金属。本发明将功率MOS器件中焊接垫以下的芯片面积充分利用，在不增加芯片总面积的前提下，增加了并联LDMOS基本单元的数量，可有效降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN103378087A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210130387.3
申请日：2012-04-28
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/26513 , H01L21/32055 , H01L21/76202 , H01L21/76224 , H01L21/8232 , H01L27/0248 , H01L29/402 , H01L29/66121 , H01L29/87
Abstract: 本发明涉及一种静电释放保护结构，包括：衬底，具有第一导电类型；阱区，具有第二导电类型；衬底接触区，设于衬底内，具有第一导电类型；阱区接触区，设于阱区内，具有第二导电类型；衬底反掺杂区，位于衬底接触区和阱区接触区之间，具有第二导电类型；阱区反掺杂区，位于衬底接触区和阱区接触区之间，具有第一导电类型；连通区，设于衬底和阱区的横向交界处；第一隔离区，处于衬底反掺杂区和连通区之间；第二隔离区，处于阱区反掺杂区和连通区之间；氧化层，一端设于第一隔离区上，另一端设于衬底上；场板结构，设于氧化层上。本发明还涉及一种静电释放保护结构制造方法。本发明可通过调节场板结构的宽度和位置来调整开启电压。
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公开(公告)号：CN102294671B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201010165695.0
申请日：2010-05-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种支撑装置及组装薄膜物理钛腔的线圈和护罩的方法，所述线圈的第一位置、第三位置和第五位置分别设置有线圈组装部，所述第一位置为电源的进线位置，所述第五位置为电源的出线位置，所述第三位置位于所述第一位置和第五位置之间；所述护罩上设置有护罩组装部，分别对应于所述线圈组装部，该方法包括如下步骤：将所述支撑装置放置于所述护罩内；将所述线圈定位于所述支撑装置的凹槽，并使所述线圈的线圈组装部与护罩的护罩组装部位于同一高度；在所述第一位置、第三位置和第五位置分别连接所述线圈组装部与护罩组装部。本发明在组装过程中，护罩上产生的颗粒少。
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