公开(公告)号：CN103681779A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210333874.X

申请日：2012-09-11

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 周宏伟 ,  阮孟波 ,  吴宗宪 ,  孙晓儒

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0878 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明揭示了一种场效应晶体管的外延结构，它包括：N+衬底、形成在衬底上的N-外延层、形成在N-外延层中并且填充有P－外延层的倾斜沟槽、形成在P-外延层中的P+阱、形成在P+阱中的N+源区；以及形成在P-沟槽以外区域的N-外延层上的多晶硅栅极。其中，N-外延层的掺杂浓度从N+衬底向着远离衬底的方向是缓变的。本发明的场效应晶体管的外延结构击穿电压较高而导通电阻同时较小。

公开(公告)号：CN103426924A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210147143.6

申请日：2012-05-14

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 周宏伟 ,  阮孟波 ,  吴宗宪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种沟槽型功率MOSFET及其制备方法，属于沟槽型功率MOSFET技术领域。该制备方法包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上生长形成第一漂移区；对所述第一漂移区构图刻蚀形成第二沟槽；在所述第二沟槽中外延生长半导体层以形成部分地填充所述第二沟槽底部的第二漂移区，并且，所述第二漂移区的掺杂浓度高于所述第一漂移区的掺杂浓度；以及在所述第二漂移区上方、所述第二沟槽内形成栅沟槽结构。该制备方法过程简单可靠，通过该方法制备形成的沟槽型功率MOSFET的导通电阻小。