公开(公告)号：CN103943548A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310025246.X

申请日：2013-01-23

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 许剑 ,  何敏 ,  章舒 ,  罗泽煌 ,  吴孝嘉

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76213 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/408 ,  H01L21/76202

Abstract: 本发明公开了一种分立式场氧结构的半导体器件的制造方法，包括：在晶圆表面生长缓冲氧化层；在缓冲氧化层上通过淀积形成氮化硅层；光刻定义出场区并蚀刻，去除场区上的氮化硅；对场区进行离子注入；生长场氧化层；剥除氮化硅层；对晶圆进行湿浸，去除缓冲氧化层和部分的场氧化层；重新在晶圆表面生长缓冲氧化层及在重新生长的缓冲氧化层上通过淀积形成氮化硅层；光刻定义出漂移区并蚀刻，去除所述漂移区上的氮化硅；对漂移区进行离子注入；生长漂移区氧化层。本发明在生长场氧化层完成后剥除氮化硅层，这时可以通过调整wet dip的量来优化场氧鸟嘴的长度，解决了场氧鸟嘴过长的问题。

公开(公告)号：CN103296082A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210045076.7

申请日：2012-02-27

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙贵鹏 ,  张森 ,  吴孝嘉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43

Abstract: 本发明提供一种金属氧化层半导体场效应晶体管，其包括第一导电性材料基板，形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层，在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面，所述金属层上敷设有绝缘层。本发明所述金属氧化层半导体场效应晶体管器件，与常规金属氧化层半导体场效应晶体管器件具有相同崩溃电压的情况下，可具有更低的导通电阻。

公开(公告)号：CN103296081A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210043445.9

申请日：2012-02-24

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  韩广涛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS），属于半导体功率器件技术领域。该LDMOS包括：源区、栅介质层、漏区、漂移区、场氧化层、栅极以及独立设置在场氧化层之上的用于提高LDMOS的崩溃电压的场区辅助电极；栅极包括对应设置在栅介质层之上的第一部分和从所述第一部分延伸至部分所述场氧化层之上的第二部分；第二部分栅极的长度被从预定长度值缩短，如果第二部分栅极的长度被设置为预定长度值时，LDMOS的崩溃电压能够基本达到最大崩溃电压值。该LDMOS栅-漏电容Cgd小，开关速度快，并且，崩溃电压高，直流输出特性好。

公开(公告)号：CN102088031B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200910188704.5

申请日：2009-12-03

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  韩广涛

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种NLDMOS器件，包括浮置-P型结构，第一场氧区，第二场氧区，N型漂移区，第一场氧区和第二场氧区位于N型漂移区之上相对设置，所述浮置-P型结构位于N型漂移区的中部，所述的第一场氧区和第二场氧区不是连在一起，两者之间的有源区的宽度配合注入浮置-P型结构的长度。采用本发明的结构，不但可以提高半导体器件的击穿电压，而且有效地降低了导通电阻，同时减小了对高能注入的需求，降低了对工艺机台的限制，生产中容易实现。

公开(公告)号：CN103187279B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110451716.X

申请日：2011-12-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  罗泽煌 ,  陈正培 ,  章舒 ,  何延强

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中LDMOS漂移区氧化层边缘硅容易裸露导致LDMOS器件击穿的问题。本发明实施例提供的方案为：一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括LDMOS区和CMOS区；在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层；在经过牺牲氧化处理的所述半导体衬底上形成掩蔽层；利用所述掩蔽层作为掩膜，形成所述LDMOS的漂移区，然后在所述漂移区上方形成漂移区氧化层；去除所述掩蔽层。本发明实施例适用于BCD工艺等。

公开(公告)号：CN103296082B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210045076.7

申请日：2012-02-27

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙贵鹏 ,  张森 ,  吴孝嘉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43

Abstract: 本发明提供一种金属氧化层半导体场效应晶体管，其包括第一导电性材料基板，形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层，在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面，所述金属层上敷设有绝缘层。本发明所述金属氧化层半导体场效应晶体管器件，与常规金属氧化层半导体场效应晶体管器件具有相同崩溃电压的情况下，可具有更低的导通电阻。

公开(公告)号：CN102737970B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201110081949.5

申请日：2011-04-01

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  陈正培 ,  杨育明 ,  黄竹

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265 ,  H01L29/49 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及其栅介质层制造方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括埋层、外延层、有源区；以具有下沉区图案的光刻胶层为掩膜，在所述基底表面内形成下沉区，所述下沉区与所述基底的其它区域具有不同的掺杂状态；采用湿氧工艺在基底表面上形成介质氧化层，所述介质氧化层覆盖于下沉区的部分为电容介质层，覆盖于有源区的部分为栅介质层。本发明利用在杂质浓度不同的区域，热氧化速度也不同的原理，使形成的覆盖于下沉区的电容介质层厚度大于栅介质层的厚度，从而减少了一次定义栅介质层区域的光刻过程，进而简化了工艺流程，降低了工艺成本，工艺复杂度降低了，器件的生产速度必然得到了提高。

公开(公告)号：CN102593040B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210075340.1

申请日：2012-03-21

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  章舒 ,  许剑 ,  何延强 ,  何敏

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76202

Abstract: 本发明公开了一种LOCOS多层氧化层的集成制作方法，该方法在下层芯片结构上制作衬垫；在所述衬垫上定义第一种厚度氧化层区域，并在所述第一种厚度氧化层区域开口，进行第一次氧化生长；然后，定义第二种厚度氧化层区域，并开口，进行第二次氧化生长，从而形成不同厚度的氧化层；最后去除衬垫，进行湿法回刻以调整鸟嘴，完成多层氧化层的制作。该LOCOS多层氧化层的集成制作方法采用LOCOS工艺，通过对多层氧化层的工艺进行集成，可以优化多层氧化层厚度比例和湿法回刻，解决了多种厚度的氧化层同时存在时的鸟嘴问题，实现了更低的成本和更短的制作周期。

公开(公告)号：CN102087998B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN200910188619.9

申请日：2009-12-04

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明涉及一种双多晶结构器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成阱和有源区，并热生长场氧层；热氧化生长第一栅氧层；淀积第一多晶硅层；采用等离子注入形成多晶硅电阻；通过等离子注入形成多晶硅电容下极板和第一栅极，并蚀刻掉多余的第一多晶硅层；对所述双多晶结构器件进行热处理；热氧化生长第二栅氧层，并生长绝缘介质；阈值调整注入；淀积第二多晶硅层；通过等离子注入形成多晶硅电容上极板和第二栅极，并蚀刻掉多余的第二多晶硅层。采用本发明方法制造的双多晶结构器件，利用两层不同的多晶硅分别作为高、低压器件的栅极，将其热处理、栅氧化层生长等工艺分离，使得高低压器件的参数特性可以独立调整，互不影响。

公开(公告)号：CN103187279A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110451716.X

申请日：2011-12-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  房世林 ,  罗泽煌 ,  陈正培 ,  章舒 ,  何延强

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中LDMOS漂移区氧化层边缘硅容易裸露导致LDMOS器件击穿的问题。本发明实施例提供的方案为：一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括LDMOS区和CMOS区；在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；去除所述牺牲氧化层；在经过牺牲氧化处理的所述半导体衬底上形成掩蔽层；利用所述掩蔽层作为掩膜，形成所述LDMOS的漂移区，然后在所述漂移区上方形成漂移区氧化层；去除所述掩蔽层。本发明实施例适用于BCD工艺等。