公开(公告)号：CN106033726A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201510104438.9

申请日：2015-03-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 王蛟 ,  黄枫 ,  赵龙杰 ,  林峰 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/1033

Abstract: 一种场效应晶体管的制作方法，多晶硅层形成后，光刻和刻蚀多晶硅层以形成源端区域，然后保留光刻胶，与衬底结构表面呈70°～80°的注入角度进行杂质注入。因为杂质注入有一定的注入角度，源端区域边缘的多晶硅层和栅氧化层有一部份区域会被杂质注入射穿，并注入到衬底结构内部，由此可以形成一个稳定的、极小的沟道。从而，在不增加光刻版以及不降低BV的情况下，极大的减小沟道长度，使得Rdson比传统制造技术的Rdson大大降低。

公开(公告)号：CN105336689A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410298952.6

申请日：2014-06-26

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种节省光刻版数量的金属氧化物半导体场器件制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成N阱、P阱、隔离结构及栅氧化层，并淀积多晶硅；采用第一光刻版光刻并刻蚀，形成NMOS的多晶硅栅极；去胶后进行轻掺杂漏极离子注入，在所述P阱内形成N型第一掺杂区；在所述NMOS的多晶硅栅极两侧形成侧墙；进行N型重掺杂离子注入，在所述P阱内形成N型第二掺杂区；采用第二光刻版光刻并刻蚀，形成PMOS的多晶硅栅极；在光刻胶的掩蔽下进行P型重掺杂离子注入，在所述N阱内形成P型掺杂区。本发明相对于传统技术省掉了NLDD注入及NSD注入的光刻版，从而大大降低了成本。

公开(公告)号：CN103296082B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210045076.7

申请日：2012-02-27

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙贵鹏 ,  张森 ,  吴孝嘉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43

Abstract: 本发明提供一种金属氧化层半导体场效应晶体管，其包括第一导电性材料基板，形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层，在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面，所述金属层上敷设有绝缘层。本发明所述金属氧化层半导体场效应晶体管器件，与常规金属氧化层半导体场效应晶体管器件具有相同崩溃电压的情况下，可具有更低的导通电阻。

公开(公告)号：CN102569075B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201010589182.2

申请日：2010-12-15

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层；采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，能够生产出关键尺寸为0.18μm或0.18μm以下的器件；且在后续进行CMP工艺时，可以实现基底表面的全局平坦化，减小了工艺缺陷的发生。

公开(公告)号：CN102087998B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN200910188619.9

申请日：2009-12-04

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明涉及一种双多晶结构器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成阱和有源区，并热生长场氧层；热氧化生长第一栅氧层；淀积第一多晶硅层；采用等离子注入形成多晶硅电阻；通过等离子注入形成多晶硅电容下极板和第一栅极，并蚀刻掉多余的第一多晶硅层；对所述双多晶结构器件进行热处理；热氧化生长第二栅氧层，并生长绝缘介质；阈值调整注入；淀积第二多晶硅层；通过等离子注入形成多晶硅电容上极板和第二栅极，并蚀刻掉多余的第二多晶硅层。采用本发明方法制造的双多晶结构器件，利用两层不同的多晶硅分别作为高、低压器件的栅极，将其热处理、栅氧化层生长等工艺分离，使得高低压器件的参数特性可以独立调整，互不影响。

公开(公告)号：CN104167360B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201310186628.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 章舒 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/426 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在晶圆的衬底上生长氧化层；在晶圆表面涂覆光刻胶；使用第一光刻掩模版进行光刻，显影后露出第一注入窗口；通过第一注入窗口进行离子注入，在衬底内形成漂移区；去胶后再次于晶圆表面涂覆一层光刻胶；使用漂移区氧化层光刻掩模版进行光刻；对氧化层进行刻蚀，形成漂移区氧化层。本发明还涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件。本发明先生长漂移区氧化层，再进行漂移区注入。避免了热生长漂移区氧化层引起的漂移区注入离子的横扩区域浓度淡、导通电阻较高的问题，直接将较高浓度的离子注入到该区域，有效地降低了导通电阻。

公开(公告)号：CN102386211B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201010269279.5

申请日：2010-08-31

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  孙贵鹏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种LDMOS器件，包括源区，栅极区，漏区，体区以及掺杂类型与体区相反的漂移区，体区在衬底区之上，漂移区在漏区和体区之间。LDMOS器件还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层位于漂移区之上，栅极区之下。采用本发明的结构，可以提高器件的击穿电压，有利于降低导通电阻，使器件的功耗降低。并且在调整制造过程中，调整绝缘介质层和漂移区的结深对其他器件的较小。

公开(公告)号：CN106571388A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201510647166.7

申请日：2015-10-08

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 祁树坤 ,  孙贵鹏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/063 ,  H01L29/407

Abstract: 本发明涉及一种具有RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型阱区、第一导电类型阱区内的漏极、第二导电类型阱区内的源极和体区、跨设于所述第一导电类型阱区和第二导电类型阱区表面的栅极，还包括设于所述第一导电类型阱区顶部、且位于所述栅极和漏极之间的浮层环，以及多个贯穿所述浮层环伸入所述第一导电类型阱区内的沟槽多晶硅电极。本发明减弱了浮层环中引入的附加电场对器件总电场的影响，且由于沟槽多晶硅电极的容性耦合，使得浮层环的电位相对稳定，并且降低了Cgd，有助于改善器件的动态特性。

公开(公告)号：CN106291265A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510244075.9

申请日：2015-05-13

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 马春霞 ,  肖魁 ,  孙贵鹏 ,  林中瑀

IPC: G01R31/12

Abstract: 一种DC-DC电路中开关管的耐压测试方法，包括：根据DC-DC电路的结构进行流片以完成晶圆片的制作；将所述晶圆片与传输线脉冲发生器连接；记录传输线脉冲发生器输出的测试数据，所述测试数据包括维持电压和维持电流；根据所述测试数据获取DC-DC电路中开关管的耐压结果。本发明可以缩短开发周期、降低成本。

公开(公告)号：CN106206561A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510213256.5

申请日：2015-04-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙俊 ,  林中瑀 ,  汪广羊 ,  孙贵鹏

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/87

Abstract: 本发明涉及一种LDMOS可控硅结构的静电保护器件，包括P型衬底，所述衬底上N阱、P阱，搭接于所述P阱上且延伸至所述N阱边缘的栅极，设于所述N阱内的第一N+结构和第一P+结构，设于所述P阱内的第二N+结构和第二P+结构，所述第一N+结构为漏极N+结构，所述第一P+结构为漏极P+结构，所述第二N+结构为源极N+结构，所述第二P+结构为源极P+结构，所述漏极P+结构到所述栅极的距离大于所述漏极N+结构到所述栅极的距离。本发明LDMOS-SCR的漏极P+结构到栅极的距离大于漏极N+结构到栅极的距离，不易形成穿通，因此可以确保击穿电压BV。