公开(公告)号：CN102931088A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110228625.X

申请日：2011-08-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 肖魁 ,  严以杰

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种LDMOS器件制造方法，该方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成栅介质层、多晶硅层和金属硅化物层；对所述基底进行快速热退火处理；刻蚀所述多晶硅层和金属硅化物层，形成多晶硅加金属硅化物的栅电极；在所述基底内形成沟道区及漂移区。本发明所公开的LDMOS器件制造方法，在多晶硅层和金属硅化物层形成后通过快速热退火处理将所述多晶硅层和金属硅化物层之间的应力释放掉，进而在后续形成沟道区及漂移区的高温退火时避免了金属硅化物出现Peeling现象；而且，本发明所公开的LDMOS器件制造方法，可实现沟道区的渐变杂质分布和漂移区的自对准注入，从而可提高LDMOS器件的性能，简化工艺复杂度。

公开(公告)号：CN106291265A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510244075.9

申请日：2015-05-13

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 马春霞 ,  肖魁 ,  孙贵鹏 ,  林中瑀

IPC: G01R31/12

Abstract: 一种DC-DC电路中开关管的耐压测试方法，包括：根据DC-DC电路的结构进行流片以完成晶圆片的制作；将所述晶圆片与传输线脉冲发生器连接；记录传输线脉冲发生器输出的测试数据，所述测试数据包括维持电压和维持电流；根据所述测试数据获取DC-DC电路中开关管的耐压结果。本发明可以缩短开发周期、降低成本。

公开(公告)号：CN105870017A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201510032619.5

申请日：2015-01-22

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 陈淑娴 ,  肖魁

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，先形成侧墙，然后进行源/漏(S/D)注入工艺形成重掺杂的漏极区和源极区，接着再进行轻掺杂漏注入工艺形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区，相对于传统的做法改变了工艺次序，因而形成重掺杂的漏极区和源极区、形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区这两个步骤可以共用一个光刻胶。相对于传统做法而言，本方法可以省略一次的光刻和去胶步骤，而仅仅多了一步去除侧墙的步骤，因而本方法可以降低工艺的复杂程度，缩短生产周期，提高生产效率，并且节约产品制造成本。

公开(公告)号：CN105869988A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201510029289.4

申请日：2015-01-20

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 马春霞 ,  肖魁

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成所述半导体器件；在所述衬底上形成所述半导体器件之前，在所述衬底表面形成低氧洁净区，所述半导体器件形成在所述低氧洁净区内。根据本发明的制造方法，对形成在普通的直拉单晶硅衬底的半导体器件的栅氧质量可靠性有明显改善，可以不用采购价格较贵的经过特殊处理的硅衬底，节约了半导体制造厂的材料成本。通过增加高温吸杂氧化的步骤，加速硅中氧的外扩散，在衬底表面形成一层低氧洁净区，减少了与氧有关的缺陷。另外，吸杂氧化不需要增加额外的设备，可以采用扩散炉管，与生产线工艺兼容。

公开(公告)号：CN106653842A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510719263.2

申请日：2015-10-28

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 肖魁

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7801 ,  H01L27/0255

Abstract: 本发明涉及一种具有静电释放保护结构的半导体器件，静电释放保护结构为连接于半导体器件的栅极和源极之间的二极管，二极管包括二极管主体和连接于二极管主体两端、分别用于电性连接栅极和源极的两个连接部，两个连接部的下方各设有一沟槽，沟槽的内表面及沟槽之间的衬底表面设有绝缘层，二极管主体设于衬底表面的绝缘层上，连接部分别从二极管主体的一端向下伸入各自的沟槽内；二极管上设有介质层，介质层上设有金属导线层。本发明需要整体淀积的介质层厚度更薄，对于厚介质处接触孔腐蚀的工艺难度也相应降低，在降低成本的同时提高了生产率。

公开(公告)号：CN105097506A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410179392.2

申请日：2014-04-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 胡金节 ,  肖魁

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种多晶硅发射极垂直NPN晶体管的制造方法，包括下列步骤：在晶圆上形成集电区和基区；淀积绝缘介质层；在绝缘介质层上光刻并刻蚀出发射区域；淀积多晶硅，多晶硅位于所述发射区域的部分与基区的单晶硅直接接触；对晶圆进行热退火；对发射区域的多晶硅进行掺杂；进行热退火使得多晶硅中的杂质扩散到基区的单晶硅中，形成发射结。本发明通过在多晶硅淀积后、掺杂之前的热退火过程中产生的热应力，使得多晶硅和单晶硅界面的薄氧化层断裂，变得更加不连续。这样在后续的发射极杂质退火中，掺杂元素能够更好地扩散，多晶硅和单晶硅界面的氧元素也会有更好的界面态，从而改善晶体管低频下的噪声特性。